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公开(公告)号：CN108699682B
公开(公告)日：2020-12-22
申请号：CN201680081469.X
申请日：2016-02-19
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 根据本公开内容的一个方面，提供一种检查在真空腔室(2)中的第一真空处理区域(10)与至少一个第二真空处理区域(12)之间延伸的气体分离通道(20)的气体分离品质的方法，其中气体分离通道(20)被构造为用于基板的通路，同时减少从第一真空处理区域(10)至至少一个第二真空处理区域(12)中的气流。此方法包括：将测试气体(31)引入至第一真空处理区域(10)中；以及测量至少一个第二真空处理区域(12)中的背景气体中的测试气体的第一含量(33)。根据第二方面，提供用于执行此方法的一种真空处理装置(1)和一种真空沉积装置(100,500)。
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公开(公告)号：CN107438897A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201580078653.4
申请日：2015-04-09
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波 , 格奥尔·约斯特 , 斯蒂芬·凯勒 , 安科·赫尔密西 , 托马斯·格比利
IPC: H01L21/687
Abstract: 本文描述了一种用于待处理基板的载体系统。所述载体系统包括主载体(100)，所述主载体(100)包括用于将一个或多个副载体(400；800)耦接到主载体(100)的副载体耦接装置(201)。所述主载体(100)包括具有带交叉格栅(121)的网格形状的副载体支撑部分(120)，其中副载体耦接装置(201)提供在格栅(121)处。所述载体系统还包括用于支撑一个或多个待处理基板(500)的副载体(400；800)，其中副载体(400；800)包括一个或多个开口(422)。副载体(400；800)还包括用于耦接基板(500)的基板耦接装置(430；431)，其中基板耦接装置(430；431)被配置用于将基板(500)保持在与副载体(400；800)的开口(422)部分地重叠的位置。
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公开(公告)号：CN108884558B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201680084064.1
申请日：2016-05-02
Applicant: 应用材料公司
Inventor： 朴炫灿 , 托马斯·格比利 , 阿杰伊·萨姆普斯·博霍洛坎
IPC: C23C14/35
Abstract: 根据本公开内容的一方面，提供一种利用至少一个阴极组件(10)涂布基板(100)的方法，此至少一个阴极组件(10)具有溅射靶材(20)及磁体组件(25)，磁体组件(25)围绕旋转轴(A)是可旋转的。此方法包括：当以往复方式在第一扇区(12)中移动磁体组件时对基板(100)进行涂布；以及当以往复方式在不同于第一扇区(12)的第二扇区(14)中移动磁体组件(25)时对基板(100)进行后续涂布。根据第二方面，提供一种用于执行所述的方法的涂布设备。
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公开(公告)号：CN110352100A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201780087719.5
申请日：2017-07-14
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 本公开内容提供一种用于清洁材料沉积源(400)的部件(20)的方法(100)。所述方法(100)包括：将所述部件(20)插入(110)清洁液(201)中；将超声源(220)插入(120)所述部件(20)的内部中；和操作(130)所述超声源(220)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114630922B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202080076762.3
申请日：2020-02-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供一种用于在基板上沉积材料的真空处理设备(110)。真空处理设备(110)包括：真空腔室，真空腔室包括处理区域(111)；在真空腔室的处理区域(111)内的沉积设备(112)；在真空腔室内部的冷却表面(113)；和在冷却表面(113)与处理区域(111)之间的一个或多个可移动的遮挡件(220)。
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公开(公告)号：CN110621803B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201880007588.X
申请日：2018-04-18
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述了一种用于沉积已蒸发材料于基板上的蒸发源(100)。蒸发源包括坩埚(110)，坩埚(110)用于材料蒸发；分配组件(120)，分配组件(120)具有一个或多个出口(125)，所述一个或多个出口(125)用于提供已蒸发材料至基板，分配组件与坩埚流体连通；和测量组件(130)。测量组件包括管(140)，管将分配组件(120)的内部空间(121)与压力传感器(145)连接。
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公开(公告)号：CN107567653B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201580078936.9
申请日：2015-05-15
Applicant: 应用材料公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明描述了一种用于真空处理系统(500)的负载锁定腔室(100)。负载锁定腔室包括负载锁定壁，负载锁定壁包围负载锁定腔室空间，其中负载锁定壁包括第一负载锁定壁(101)和第二负载锁定壁(102)，其中第二负载锁定壁(102)与第一负载锁定壁(101)相对地布置。负载锁定腔室还包括用于抽空负载锁定腔室(100)的至少一个第一真空抽吸出口(110)和至少一个第二真空抽吸出口(111)；其中至少一个第一真空抽吸出口(110)是位于第一负载锁定壁(101)处，并且至少一个第二真空抽吸出口(111)是位于第二负载锁定壁(102)处。另外，还描述了一种真空处理系统和一种用于抽空负载锁定腔室的方法。
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公开(公告)号：CN112575301A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011084003.X
申请日：2016-04-21
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 提供一种用于利用至少一个阴极组件(10)涂布基板(100)的方法，至少一个阴极组件(10)具有三个或更多个可旋转靶(20)，三个或更多个可旋转靶(20)各包括位于其中的磁体组件(25)。所述方法包括：旋转磁体组件(25)至相对于平面(22)的多个不同的角位置，平面(22)从基板(100)垂直地延伸至三个或更多个可旋转靶(20)的相应可旋转靶的轴(21)；以及根据储存于数据库或存储器中的函数改变下述的至少一者：提供至三个或更多个可旋转靶(20)的功率、磁体组件(25)的停留时间、以及磁体组件(25)的持续地改变的角速度。
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公开(公告)号：CN111719116A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010428072.1
申请日：2015-08-24
Applicant: 应用材料公司
Abstract: 描述一种用于真空溅射沉积的设备(100)。所述设备包括：真空腔室(110)；真空腔室(110)内的三个或更多个溅射阴极，用于在基板(200)上溅射材料；气体分配系统(130)，用于向真空腔室(110)提供包括H2的处理气体；真空系统(140)，用于在真空腔室(110)内提供真空；和安全布置(160)，用于降低氧氢爆炸的风险，其中安全布置(160)包含连接至真空系统(140)的稀释气体馈给单元(165)，用于稀释处理气体(111)的H2含量。
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