一种三电极结构及硅微米柱列的分布优化方法

    公开(公告)号:CN119805012A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202411628128.2

    申请日:2024-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种三电极结构,其中有收集极、引出极和阴极,还有硅微米柱;还公开了一种硅微米柱列的分布优化方法,增加了收集极采集到的电流。本发明装置通过采用新型三电极结构,能够有效提升电场传感器的灵敏度、稳定性和抗干扰能力。硅微米柱能够更好地适应复杂环境中的电场测量,减少外界噪声的影响,确保数据的稳定性与准确性。此外,硅微米柱的均匀分布和优化方法还能够进一步提高电流收集效率,优化电极的性能,适应不同应用场景的需求。本发明不仅在电场传感器的灵敏度和稳定性上具有显著提升,而且在抗干扰能力方面也表现出色,能够满足更高要求的电场测量任务,具有广泛的应用前景。

    一种磁屏蔽结构
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119789771A

    公开(公告)日:2025-04-08

    申请号:CN202411628123.X

    申请日:2024-11-14

    Abstract: 本发明公开了一种磁屏蔽结构,属于传感器技术领域;该磁屏蔽结构,包括,膜堆单元,所述膜堆单元从下至上依次包括底反铁磁钉扎层、反磁铁层、势垒层、自由层、软磁层和钉扎层;隧穿磁阻单元,设置在所述膜堆单元下方;基板,所述隧穿磁阻单元和膜堆单元均设置在所述基板上;所述自由层的材质为CoFeB,其厚度为2nm;所述软磁层的材质为NiFe,其厚度为30nm;该磁屏蔽结构,通过控制坡莫合金的厚度来实现磁屏蔽效果,在不增加很多体积的情况下实现高的磁屏蔽倍数,同时实现宽量程的测量范围。

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