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公开(公告)号:CN114942664B
公开(公告)日:2023-09-12
申请号:CN202210622192.4
申请日:2022-06-02
Applicant: 广州大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源,其由供电电压产生电路和基准产生电路两部分组成,其中供电电压产生电路用来产生一个与电源电压弱相关的供电电压,以改善电路因运放缺失而带来的电压线性度恶化的问题,同时基准产生电路用来产生一个与温度无关的基准电压,实现温度补偿,该电路通过利用MOS的泄漏电流,极大程度的降低了电路的静态电流,使得电路的功耗能够达到皮瓦级,同时该电路仅利用5个MOS管,降低电路的复杂度,使得电路的最小供电电压降低至0.3V,使得电路能够适用于超低功耗的场景,同时电路的工作温度范围达到‑40℃~150℃,使得电路能够在满足超低功耗性能的同时适用各种复杂环境。
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公开(公告)号:CN116208161A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202211493564.4
申请日:2022-11-25
Applicant: 广州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于衬底偏置技术的低压逐次逼近型模数转换器电路,该电路包括二进制权重的VCM‑based差分电容阵列,低漏电衬底驱动型自举开关,衬底偏置的带浮动反相器放大级的动态比较器,基于衬底输入对的SAR逻辑单元,以及编码器。本发明具有低功耗,低失调电压,低噪声,电路结构简单等优点,整体电路工作在0.6V的低压条件下,确保了系统极低的静态电流。二级动态比较器采用了衬底偏置的锁存器,降低了动态比较器的失调电压,同时该动态比较器还采用浮动驱动型的预放大级,从而提升了模数转换器的信噪比等动态性能。
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公开(公告)号:CN116098628A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202310076731.3
申请日:2023-01-16
Applicant: 广州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于微分识别的便携式心电信号检测系统,包括AFE模块,HB Detector模块;其中AFE模块包括仪表放大器、辅助单元和再处理单元,AFE模块以仪表放大器为核心,对输入的心电信号进行低噪放大,辅助单元采用预充电技术及直流失调反馈技术来提高电路整体的抗干扰能力,再处理单元包含微分器和低通滤波器,对心电信号进行微分及滤波降噪操作;HB Detector模块为包含共享状态机的对称环路,对称环路各自以比较器为核心,包括控制单元和自适应阈值电压生成器。本发明基于降噪技术及自适应阈值生成技术,具备低功耗、低噪声、中等输入阻抗、抑制电极直流失调、自适应抗干扰等优点。
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公开(公告)号:CN116526980A
公开(公告)日:2023-08-01
申请号:CN202310103257.9
申请日:2023-02-08
Applicant: 广州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于翻转电压跟随器电流源的共源共栅运算放大器,翻转电压跟随器电流源结构、套筒式共源共栅结构、电流复用结构和共模反馈结构、电路偏置电压和偏置电流;所述翻转电压跟随器电流源结构为M1、M2、M3和M4;所述套筒式共源共栅结构为M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、VOUTN和VOUTP;所述电流复用结构为M5、M6、M11和M12;所述共模反馈结构为M14、M15、M16、M17、M18、M19、M20、M21和VCMFB;本发明能够解决现有套筒式共源运输放大器的动态电流需要依靠静态电流来决定,导致运算放大器放大效果不明显、存在失调风险和动态电流小的问题。
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公开(公告)号:CN115664352A
公开(公告)日:2023-01-31
申请号:CN202211313799.0
申请日:2022-10-25
Applicant: 广州大学
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域,且公开了人体生物电信号放大系统,包括电容耦合斩波运算放大器电路以及低通滤波器电路,电容耦合斩波器放大电路包含将输入的人体生物电信号进行放大转换的仪表放大器电路、直流伺服回路电路、直流阻塞电路、第二级运算放大器以及预充电输入阻抗提升电路,低通滤波电路包含将电容耦合斩波放大器输出的信号进行低通滤波的Gm/C低通滤波器和体端共模反馈电路,本发明具有低功耗,低噪声,高输入阻抗,高共模抑制比,高输出摆幅等优点,确保了系统实现对微弱人体生物电信号的放大,实现了对人体生物电信号基线漂移影响的抑制以及电极直流失调的消除,保证了采集到人体生物电信号的质量。
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公开(公告)号:CN114942664A
公开(公告)日:2022-08-26
申请号:CN202210622192.4
申请日:2022-06-02
Applicant: 广州大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源,其由供电电压产生电路和基准产生电路两部分组成,其中供电电压产生电路用来产生一个与电源电压弱相关的供电电压,以改善电路因运放缺失而带来的电压线性度恶化的问题,同时基准产生电路用来产生一个与温度无关的基准电压,实现温度补偿,该电路通过利用MOS的泄漏电流,极大程度的降低了电路的静态电流,使得电路的功耗能够达到皮瓦级,同时该电路仅利用5个MOS管,降低电路的复杂度,使得电路的最小供电电压降低至0.3V,使得电路能够适用于超低功耗的场景,同时电路的工作温度范围达到‑40℃~150℃,使得电路能够在满足超低功耗性能的同时适用各种复杂环境。
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