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公开(公告)号：CN114942664B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210622192.4
申请日：2022-06-02
Applicant: 广州大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源，其由供电电压产生电路和基准产生电路两部分组成，其中供电电压产生电路用来产生一个与电源电压弱相关的供电电压，以改善电路因运放缺失而带来的电压线性度恶化的问题，同时基准产生电路用来产生一个与温度无关的基准电压，实现温度补偿，该电路通过利用MOS的泄漏电流，极大程度的降低了电路的静态电流，使得电路的功耗能够达到皮瓦级，同时该电路仅利用5个MOS管，降低电路的复杂度，使得电路的最小供电电压降低至0.3V，使得电路能够适用于超低功耗的场景，同时电路的工作温度范围达到‑40℃～150℃，使得电路能够在满足超低功耗性能的同时适用各种复杂环境。
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公开(公告)号：CN115903977A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211370805.6
申请日：2022-11-03
Applicant: 广州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集尘电路技术领域，且公开了一种采用逻辑控制消除LCO震荡的DLDO电路，包括细调电路、粗调电路、窗口比较器、动态单限比较器与负载电路，所述窗口比较器的输入端与电路输出电压VOUT相连，所述窗口比较器的输出端与细调电路的输入端相连，所述单限比较器的输入端与电路输出电压VOUT相连，所述单限比较器的输出端与细调电路的输入端相连，所述细调电路包括稳定状态检测、双向移位寄存器组与小尺寸PMOS阵列。该采用逻辑控制消除LCO震荡的DLDO电路，采用动态比较器技术，有效避免了比较器输出信号的非期望翻转，同时降低了比较器的功耗，并通过使用粗调电路与细调电路相结合的技术，提升瞬态响应速度的同时降低了输出电压的误差。
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公开(公告)号：CN115657778B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202211371610.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 广州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，且公开了一种采用双向逐次逼近比较型SAR二分法电路的DLDO电路，该电路包括以双向逐次逼近比较型(SAR)为核心的二分法粗调电路、细调电路、窗口比较器、单限比较器和负载电路。其中，该二分法电路部分还包括了大尺寸二进制PMOS阵列，细调电路中包括了细调逻辑和小尺寸PMOS阵列。其中单限比较器将输出电压VOUT与参考电压VREF进行比较，得到方向FD信号，用来控制双向二分法粗调电路和细调电路的调整方向，使输入电压VOUT趋近于参考电压VREF。本发明具有瞬态响应速度快，上下冲电压小，电路结构简单，全集成化等优点，电路实现了快速将输出电压稳定在参考值附近的能力，减小了上下冲电压，并且确保了输出电压VOUT的带载能力。
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公开(公告)号：CN114462292B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202111387473.8
申请日：2021-11-22
Applicant: 广州大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/373 , G06F18/214 , G06F111/04
Abstract: 本发明提供了一种基于SQP算法的电路参数优化方法，包括S1，通过待优化电路的器件的参数生成向量x；S2，通过待优化电路的约束条件和目标性能指标定义向量y；S3，通过采样算法在样本空间(X,Y)中进行采样,调用电路仿真软件获得仿真结果,采样得到的参数对(x,y)组成训练集；S4，通过拟合y＝f(x)的函数关系，构建神经网络模型；S5，通过序二次规划算法对S4中产生的神经网络模型进行寻优，获得最优解。本发明使用神经网络构建仿真模型可以在调用电路仿真软件次数更少的情况下，更加准确全面的描述样本空间的分布。可以从全局角度获取到该结构下最优的电路参数组合。使用SQP算法的容易的获得全局最优解，而摆脱局部最优解的收敛。
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公开(公告)号：CN116526980A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310103257.9
申请日：2023-02-08
Applicant: 广州大学
Abstract: 本发明公开了一种基于翻转电压跟随器电流源的共源共栅运算放大器，翻转电压跟随器电流源结构、套筒式共源共栅结构、电流复用结构和共模反馈结构、电路偏置电压和偏置电流；所述翻转电压跟随器电流源结构为M1、M2、M3和M4；所述套筒式共源共栅结构为M5、M6、M7、M8、M9、M10、M11、M12、M13、VOUTN和VOUTP；所述电流复用结构为M5、M6、M11和M12；所述共模反馈结构为M14、M15、M16、M17、M18、M19、M20、M21和VCMFB；本发明能够解决现有套筒式共源运输放大器的动态电流需要依靠静态电流来决定，导致运算放大器放大效果不明显、存在失调风险和动态电流小的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115657778A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211371610.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 广州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，且公开了一种采用双向逐次逼近比较型SAR二分法电路的DLDO电路，该电路包括以双向逐次逼近比较型(SAR)为核心的二分法粗调电路、细调电路、窗口比较器、单限比较器和负载电路。其中，该二分法电路部分还包括了大尺寸二进制PMOS阵列，细调电路中包括了细调逻辑和小尺寸PMOS阵列。其中单限比较器将输出电压VOUT与参考电压VREF进行比较，得到方向FD信号，用来控制双向二分法粗调电路和细调电路的调整方向，使输入电压VOUT趋近于参考电压VREF。本发明具有瞬态响应速度快，上下冲电压小，电路结构简单，全集成化等优点，电路实现了快速将输出电压稳定在参考值附近的能力，减小了上下冲电压，并且确保了输出电压VOUT的带载能力。
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公开(公告)号：CN114942664A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210622192.4
申请日：2022-06-02
Applicant: 广州大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源，其由供电电压产生电路和基准产生电路两部分组成，其中供电电压产生电路用来产生一个与电源电压弱相关的供电电压，以改善电路因运放缺失而带来的电压线性度恶化的问题，同时基准产生电路用来产生一个与温度无关的基准电压，实现温度补偿，该电路通过利用MOS的泄漏电流，极大程度的降低了电路的静态电流，使得电路的功耗能够达到皮瓦级，同时该电路仅利用5个MOS管，降低电路的复杂度，使得电路的最小供电电压降低至0.3V，使得电路能够适用于超低功耗的场景，同时电路的工作温度范围达到‑40℃～150℃，使得电路能够在满足超低功耗性能的同时适用各种复杂环境。
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公开(公告)号：CN114722760B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202210428041.5
申请日：2022-04-22
Applicant: 广州大学
IPC: G06F30/373
Abstract: 本发明公开了一种辅助电路参数优化的SPICE电路网表生成方法，通过设置SPICE的.option语句对仿真过程进行一组配置，默认的，我们这里使用一组option语句，可以做到只在参数优化前进行电路的可行性检验，在参数优化过程中不检查电路结构，不生成仿真图形文件，最大减少仿真时间，在优化完成后生成波形文件并进行显示，遵守设定的规则下，用户也可以按照自己的需要自行配置,设置元器件库,可以选择用户使用的元器件库。该辅助电路参数优化的SPICE电路网表生成方法，通过在决定了电路的结构之后，可以通过该方法构建合理的SPICE仿真流程，之后再通过多种优化器对电路仿真模型进行寻优，寻找最优的电路参数组合。
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公开(公告)号：CN114741970B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202210467275.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 广州大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/337 , G06N3/042 , G06N3/092 , G06F111/04
Abstract: 本发明涉及电路参数优化技术领域，公开了一种改进的深度确定性策略梯度算法的电路参数优化方法，包括如下步骤：S1、根据hspice仿真工具对电路的性能指标进行初始仿真，得到仿真网表数据；S2、将电路仿真网表数据作为模拟集成电路自定义的系统环境；S3、根据初始仿真网表数据，获取网表中的最优仿真数据作为系统奖励值；S4、对电路系统环境，增加约束条件，增加电路可行性。本发明通过不断进行网络更新优化，使生成的电路性能参数可以达到甚至优于人工设计水平的模拟集成电路，以获取最大系统奖励值为目标，不断优化电路参数，得到更好的奖励值，即获得更好的电路性能指标。
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公开(公告)号：CN116578151A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310496179.3
申请日：2023-05-04
Applicant: 广州大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本说明书实施例提供了一种基于自适应功率晶体管的LDO调节电路及方法，其中该电路包括：电压差时间转换器VDTC，与电荷泵CP连接，用于比较输出电压VOUT与参考电压VREF，根据比较结果产生脉冲信号；电荷泵CP，与自适应功率晶体管中的副功率管和非负增益级连接，用于根据制脉冲信号产生上拉或下拉电流；米勒补偿电容，跨接在第一增益级的输出和输出电压VOUT之间，用于分离整个电路的主次节点；下冲改善电路，连接输出电压VOUT和主功率管栅极，用于检测输出电压VOUT的剧烈变化并在超出阈值范围后产生脉冲信号；自适应功率晶体管，连接在第一增益级的输出之后，用于根据负载电流条件自适应控制开关，提供在较宽电流负载范围内的稳定输出电压。
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