- 专利标题: 一种皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源
-
申请号: CN202210622192.4申请日: 2022-06-02
-
公开(公告)号: CN114942664B公开(公告)日: 2023-09-12
- 发明人: 曾衍瀚 , 李旭 , 杨敬慈 , 黄文健 , 陈美玲 , 鲍宇琛 , 程杰 , 张妤婷
- 申请人: 广州大学
- 申请人地址: 广东省广州市大学城外环西路230号
- 专利权人: 广州大学
- 当前专利权人: 广州大学
- 当前专利权人地址: 广东省广州市大学城外环西路230号
- 代理机构: 广州高炬知识产权代理有限公司
- 代理商 刘志敏
- 主分类号: G05F1/567
- IPC分类号: G05F1/567
摘要:
本发明公开了一种皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源,其由供电电压产生电路和基准产生电路两部分组成,其中供电电压产生电路用来产生一个与电源电压弱相关的供电电压,以改善电路因运放缺失而带来的电压线性度恶化的问题,同时基准产生电路用来产生一个与温度无关的基准电压,实现温度补偿,该电路通过利用MOS的泄漏电流,极大程度的降低了电路的静态电流,使得电路的功耗能够达到皮瓦级,同时该电路仅利用5个MOS管,降低电路的复杂度,使得电路的最小供电电压降低至0.3V,使得电路能够适用于超低功耗的场景,同时电路的工作温度范围达到‑40℃~150℃,使得电路能够在满足超低功耗性能的同时适用各种复杂环境。
公开/授权文献
- CN114942664A 一种皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源 公开/授权日:2022-08-26
IPC分类: