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公开(公告)号：CN116735032A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310543000.5
申请日：2023-05-12
申请人： 广州大学
IPC分类号： G01K13/00
摘要： 本说明书实施例提供了一种基于双环路钳位结构的温度感知电路，包括参考电压生成电路、基准电流生成电路、PTAT感温电压生成电路和CTAT感温电压生成电路；参考电压生成电路与基准电流生成电路连接，用于生成参考电压；基准电流生成电路为双环路钳位结构，包括两个运放，分别连接在电阻两端，对电阻两端电压进行钳位处理，通过电阻生成基准电流；通过基准电流对PTAT感温电压生成电路和CTAT感温电压生成电路进行偏置，PTAT感温电压生成电路和CTAT感温电压生成电路采用二极管堆叠结构实现PTAT电压和CTAT电压的一阶温度系数加倍。本发明提高了感温电路的分辨率，减小了电路面积，降低了感温电路的功耗。
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公开(公告)号：CN116505742A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310428004.9
申请日：2023-04-19
申请人： 广州大学
IPC分类号： H02M1/08 , G06F7/50 , H03K5/156 , G01R19/165 , H02M1/00
摘要： 本发明公开了一种用于升压转换器的二分法零电流追踪电路及方法，电路包括：依次连接的输出稳压校准模块、反向电流检测模块、移位加法器模块和占空比调制模块；反向电流感应模块感应高边功率开关管两端的电压并进行比较，根据比较结果激励移位加法器模块中的高位寄存器或者低位寄存器；移位加法器模块根据反向电流感应模块的比较结果，通过二分法的方式输出四位控制信号SW4SW3SW2SW1；占空比调制模块用于根据移位加法器输出的四位控制信号，生成匹配升压转换器的高边功率管导通时间的占空比控制信号；输出稳压校准模块将升压转换器的输出反馈电压Vfb与基准电压VREF比较，根据比较结果把升压电路的电压升压到预设的电压，本发明可以实现升压转换器的二分法零电流追踪。
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公开(公告)号：CN115185331B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202210828943.8
申请日：2022-07-15
申请人： 广州大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明涉及集成电路设计技术领域，公开了一种基于衬底二极管电流的宽温度范围的CMOS电压基准源，其包括启动电路、具有对称双支路结构的电流源以及利用了衬底二极管电流的输出电路组成，其中，具有对称双支路结构的电流源能够产生一个与热电压成正比的偏置电流，该偏置电流灌入到利用了衬底二极管电流的输出电路中，从而得到宽温度范围内的基准电压。本发明通过设置偏置电流灌入，利用衬底二极管电流的输出电路，与温度成正比的热电压和与温度成反比的阈值电压相叠加，以实现第一次温度补偿，同时在高温时利用衬底二极管电流随温度极速增大的特性可以实现电路的第二次温度补偿，能够在低功耗的条件下能够得到一个宽温度范围的基准电压。
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公开(公告)号：CN115185331A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210828943.8
申请日：2022-07-15
申请人： 广州大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明涉及集成电路设计技术领域，公开了一种基于衬底二极管电流的宽温度范围的CMOS电压基准源，其包括启动电路、具有对称双支路结构的电流源以及利用了衬底二极管电流的输出电路组成，其中，具有对称双支路结构的电流源能够产生一个与热电压成正比的偏置电流，该偏置电流灌入到利用了衬底二极管电流的输出电路中，从而得到宽温度范围内的基准电压。本发明通过设置偏置电流灌入，利用衬底二极管电流的输出电路，与温度成正比的热电压和与温度成反比的阈值电压相叠加，以实现第一次温度补偿，同时在高温时利用衬底二极管电流随温度极速增大的特性可以实现电路的第二次温度补偿，能够在低功耗的条件下能够得到一个宽温度范围的基准电压。
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公开(公告)号：CN118199641A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410378101.6
申请日：2024-03-29
申请人： 广州大学
IPC分类号： H03M1/34 , H03K19/0185
摘要： 本申请公开了一种基于交叉耦合结构的动态比较器电路及其控制方法，电路包括高增益预放大器单元和高速锁存器单元，其中，高增益预放大器单元包括交叉耦合输入单元、锁存控制单元、推挽输出单元和第一尾电流源单元，高速锁存器单元包括输入输出隔离单元、共模反馈单元、锁存结构单元和第二尾电流源单元。本申请实施例能够通过添加少量晶体管如交叉耦合管，使再生过程中的正反馈得到加强，从而显著缩短延迟时间。本申请可以广泛应用于集成电路设计技术领域。
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公开(公告)号：CN114942664A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210622192.4
申请日：2022-06-02
申请人： 广州大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源，其由供电电压产生电路和基准产生电路两部分组成，其中供电电压产生电路用来产生一个与电源电压弱相关的供电电压，以改善电路因运放缺失而带来的电压线性度恶化的问题，同时基准产生电路用来产生一个与温度无关的基准电压，实现温度补偿，该电路通过利用MOS的泄漏电流，极大程度的降低了电路的静态电流，使得电路的功耗能够达到皮瓦级，同时该电路仅利用5个MOS管，降低电路的复杂度，使得电路的最小供电电压降低至0.3V，使得电路能够适用于超低功耗的场景，同时电路的工作温度范围达到‑40℃～150℃，使得电路能够在满足超低功耗性能的同时适用各种复杂环境。
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公开(公告)号：CN114896917A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210460997.3
申请日：2022-04-28
申请人： 广州大学
IPC分类号： G06F30/323 , G06F30/33
摘要： 本发明涉及电路设计技术领域，且公开了一种基于线性编码的电路拓扑及参数表示方法，包括以下步骤：S1、定义元件信息、S2、元件添加、S3、元件引脚连接、S4、各单元连接、S5、检查并输出电路、S6、参数优化、S7、拓扑结构优化。该基于线性编码的电路拓扑及参数表示方法，通过表示电路中元件的连接关系及参数信息，能够对元件的连接关系及参数信息进行修改，支持电路的保存与读取，能够检查电路的连接关系及参数信息正确性，能够与电路网表相互转换使得编码可以转化为电路网表进行电路仿真，能够表示待优化电路及固定电路使得编码适配电路拓扑结构优化算法，使本发明具有集成完整性强等优点。
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公开(公告)号：CN116865682A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310792885.2
申请日：2023-06-29
申请人： 广州大学
摘要： 本说明书实施例提供了一种数字电流模式直流伺服回路与高增益运放的模拟前端电路，包括FVF输入级结构和电流复用结构，所述FVF输入级结构包括第一FVF结构和第二FVF结构，用于提高运放增益，减小模拟前端电路的输入参考噪声；所述电流复用结构包括第一电路和第二电路，所述第一FVF结构和第二FVF结构分别连接所述第一电路和第二电路；所述第一FVF结构和第二FVF结构均与电源VDD连接，且第一FVF结构和第二FVF结构结构相同，第一电路和第二电路结构相同。本电路能够提高直流伺服回路电路对电极直流失调的消除范围，减小模拟前端消耗的面积和电路输入参考噪声和功耗。
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公开(公告)号：CN114942664B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202210622192.4
申请日：2022-06-02
申请人： 广州大学
IPC分类号： G05F1/567
摘要： 本发明公开了一种皮瓦级宽温度范围的CMOS电压基准源，其由供电电压产生电路和基准产生电路两部分组成，其中供电电压产生电路用来产生一个与电源电压弱相关的供电电压，以改善电路因运放缺失而带来的电压线性度恶化的问题，同时基准产生电路用来产生一个与温度无关的基准电压，实现温度补偿，该电路通过利用MOS的泄漏电流，极大程度的降低了电路的静态电流，使得电路的功耗能够达到皮瓦级，同时该电路仅利用5个MOS管，降低电路的复杂度，使得电路的最小供电电压降低至0.3V，使得电路能够适用于超低功耗的场景，同时电路的工作温度范围达到‑40℃～150℃，使得电路能够在满足超低功耗性能的同时适用各种复杂环境。
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