一种基于物理储池的图像识别方法和装置

    公开(公告)号:CN119863645A

    公开(公告)日:2025-04-22

    申请号:CN202411769984.X

    申请日:2024-12-04

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本公开提供了一种基于物理储池的图像识别方法和装置。该方法包括:构建基于物理储池的图像识别模型;图像识别模型至少包括输入层、储池层以及输出层,输入层用于将输入的图像转化为输入信号;储池层包括N个电阻电容串联电路,每个电阻电容串联电路对应一个处理通道,用以对输入信号进行非线性映射;输出层用于输出识别结果;利用标记好的样本图像对图像识别模型进行训练;将待识别的图像输入到图像识别模型,确定图像识别模型的输出结果作为图像的识别结果。本公开通过电容的非线性特性和短时记忆能力,可以有效实现储层对数据的动态捕捉,并且降低训练所需的权重数量,同时保证较高的图像识别结果准确性。

    一种上转换纳米材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN119463878A

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202411551277.3

    申请日:2024-11-01

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明属于发光材料技术领域,公开了一种上转换纳米材料及其制备方法和应用。本发明上转换纳米材料包括核,所述核的元素组成为NaErF4:Nd,Yb,Ce,其中Nd的摩尔量占所述核的稀土元素总摩尔量的2%‑15%;所述核的外部包覆有中间壳,所述中间壳的元素组成为NaYF4:Yb,其中Yb的摩尔量占所述中间壳的稀土元素总摩尔量的20%‑100%;所述中间壳的外部包覆有钝化壳,所述钝化壳的元素组成为NaYF4。本发明上转换纳米材料通过精细的离子掺杂和独特的能量传递机制,可以实现Er3+的高效上转换蓝紫外光发射;且本发明上转换纳米材料的制备方法工艺简单易操作,成本低,周期短,适合大批量生产。

    一种基于W@WO3复合材料的室温氨气传感器及制备方法

    公开(公告)号:CN117871616A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202410062082.6

    申请日:2024-01-16

    Applicant: 广州大学

    Inventor: 潘书生 吴悠

    Abstract: 本发明公开了一种基于W@WO3复合材料的室温氨气传感器及制备方法。本发明涉及以下两个方面的内容:(1)W@WO3复合材料的制备:采用激光烧蚀置于冰水中的钨片制备得到W@WO3核壳结构的纳米颗粒。该方法操作简便,制备时间短,条件容易控制;(2)所获得的W@WO3复合材料可以用于室温下对氨气进行检测。制备的W@WO3核壳结构纳米颗粒样品直接滴于叉指电极上烘干即可制成传感器,无需多余的操作,所得传感器响应度高,响应速度快,检测限度低,能达到ppb级,并且具有高选择性,可以消除乙醇、苯、二甲苯、丙酮、异丙醇、乙腈等气体的干扰。本发明提供了一种金属/半导体金属氧化物核壳结构的合成方法以及为室温NH3传感器的研制提供参考。

    一种无表面配体包覆的金属铜纳米团簇的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN108526485B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201810389351.4

    申请日:2018-04-27

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明涉及一种无表面配体包覆的金属铜纳米团簇的制备方法及其应用。所述制备方法包括以下步骤:制备金纳米颗粒溶液,然后取2~10体积份浓度为0.01~0.1mg/mL的金纳米颗粒溶液置于反应容器中,加入3~10体积份浓度为0.1~40mg/mL的氯化铜溶液,避光储存3~10分钟混合均匀;之后将金纳米颗粒和氯化铜的混合溶液置于不同波长激光辐照,将反应后的溶液离心分离,获得的固体沉淀物即为所述金属铜纳米团簇。本发明金属铜纳米团簇制备过程完全不引入表面活性剂、聚合物或者配体等,所获得金属铜纳米团簇具有显著的荧光发射性能、高氧还原电流、良好的稳定性等特点,可应用于荧光标记和电催化(例如燃料电池)领域。

    一种超薄忆阻器及其制备方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116456812A

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202310297202.6

    申请日:2023-03-22

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明涉及神经形态计算芯片技术领域,尤其是涉及一种超薄忆阻器及其制备方法。所述忆阻器自下而上包括底电极、阻变层和顶电极,其中,所述底电极的材料为硼重掺杂p型Si,所述阻变层采用SiOx,所述顶电极选用可吸附结合氧的金属材料。本发明采用硼重掺杂p型Si作为底电极,其表面能够在有氧环境中自然形成超薄SiOx层,形成条件简单,降低了制备难度;以可吸附结合氧的金属材料作为顶电极,Sn、Ti、Al金属材料的导电性能优良,而且能够在阻变层SiOx上提供氧存储层;制备得到超薄忆阻器具有优异的数据保持能力、高稳定性、低开关速度,能够成功模拟生物突触STDP学习规则,具有优异的综合性能。

    一种可见光显著增强的上转换荧光粉及其制备方法

    公开(公告)号:CN114214070A

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202210049475.4

    申请日:2022-01-17

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明公开了一种可见光显著增强的上转换荧光粉及其制备方法,其中上转换荧光粉的化学式为NaYF4:20%Yb/1%Tm/0.5%Ho/xLi,其中x=0~18%。本发明中所制得的六方相NaYF4上转换荧光粉的可见光显著增强且制备成本低廉。本发明采用蒸馏水作为溶剂,柠檬酸作为螯合剂,氢氧化钠用于调节溶液的pH值,通过水热反应制备出一种可见光显著增强的上转换荧光粉,制备工艺简单,可重复性高,生产成本低,无污染,且可以大批量生产。亦可将此方法中的某些技术参数推广到其它制备方法,所得材料可见光显著增强,在发光二极管、先进显示技术、太阳能电池等领域具有巨大的应用价值。

    一种基于二硫化钼墨水的人工突触器件及其阵列和制备方法

    公开(公告)号:CN119767925A

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202510033721.0

    申请日:2025-01-09

    Applicant: 广州大学

    Inventor: 李自豪 潘书生

    Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域,具体涉及一种基于二硫化钼墨水的人工突触器件及其阵列和制备方法。该器件主要包括衬底、沟道、源/漏极、P(VDF‑TrFE)铁电薄膜栅介质层和栅极;其中沟道材料为MoS2墨水薄膜;该器件为顶栅结构,即P(VDF‑TrFE)铁电薄膜栅介质层位于沟道上表面,栅极位于P(VDF‑TrFE)铁电薄膜栅介质层上表面,源极和漏极分别位于沟道两侧且与其接触。本发明所述人工突触器件具有大存储窗口、高开关比、快速响应的特点,具有非易失性存储特性、连续可调的权重更新、可高密度集成、可进行低功耗操作、响应时间快、耐久性强等优势,可实现生物突触行为的模拟。

    基于异丁苯丙酸的钙钛矿发光二极管及其制备方法

    公开(公告)号:CN117500298A

    公开(公告)日:2024-02-02

    申请号:CN202311513211.0

    申请日:2023-11-14

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于异丁苯丙酸的钙钛矿发光二极管及其制备方法,通过将羧酸类小分子材料—异丁苯丙酸(Ibuprofen)引入到准二维钙钛矿前驱体溶液中,有效地钝化了钙钛矿薄膜缺陷,抑制了非辐射复合小n相的形成,并促进了辐射复合中心大n相的形成,获得了更好的量子阱结构,从而使得钙钛矿发光二极管器件光电性能和稳定性都得到极大的提升,说明羧酸类小分子化合物对于提升准二维钙钛矿发光二极管的性能和稳定性是一种积极可行的方法,也为后续研究中获得稳定性强、重复性高且成本低的高性能准二维钙钛矿发光二极管提供了新的方向。

    一种具有强近红外光发射的上转换纳米材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN116891743A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310849562.2

    申请日:2023-07-11

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明涉及发光材料技术领域,尤其是涉及一种具有强近红外光发射的上转换纳米材料及其制备方法。具有强近红外光发射的上转换纳米材料的化学式为:LiErF4:10%Yb,Y,x%Ce@LiYbF4:1%Tm@LiYF4,即以LiErF4:10%Yb,Y,x%Ce为核层,在其外依次包覆LiYbF4:1%Tm壳层和LiYF4钝化层的核‑壳‑壳结构;x%为Ce占核层中稀土元素总含量的百分数,0≤x≤4。本发明提供的具有强近红外光发射的上转换纳米材料具有强近红外光发射,能够避开水分子的共振吸收峰,降低其与水分子能级共振产生的热效应对生物组织的损伤,有助于在生物医药领域的应用。

    一种提高深紫外光电探测器性能的方法

    公开(公告)号:CN114592239A

    公开(公告)日:2022-06-07

    申请号:CN202210213408.1

    申请日:2022-03-04

    Applicant: 广州大学

    Abstract: 本发明公开了一种提高深紫外光电探测器性能的方法,首先制备CsCu2I3单晶,采用反溶剂蒸汽辅助法生长CsCu2I3单晶,将N,N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜混匀,制得5毫升混合溶液,N,N‑二甲基甲酰胺和二甲基亚砜的混合体积比为4:1,将原料1.299g碘化铯和0.952g碘化亚铜加入到上述混合溶液中,进行搅拌,需在60℃磁力不断搅拌下直至得到清澈的溶液,将无水甲醇缓慢滴加到上述溶液中,直到白色沉淀不再消失,将饱和溶液加热蒸发获得CsCu2I3晶体。所合成的CsCu2I3晶体,然后再通过水浸泡的方法,极大提高铯铜碘CsCu2I3钙钛矿的光电响应特性,具有很高响应度和量子效率,性能优于大多已报道的全无机无铅钙钛矿光电探测器,制备方法简单,成本低,在未来光电探测应用方面有很大的潜力。

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