公开(公告)号：CN118076219A

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202410173961.6

申请日：2024-02-07

Applicant: 广州大学

Inventor： 葛军 ,  曹栩诚 ,  刘宇卿 ,  马泽霖 ,  郑紫萍

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  G06N3/063

Abstract: 本发明公开了一种界面型忆阻器及其制备方法和应用，涉及微电子器件技术领域。本发明的界面忆阻器包括依次设置的顶电极、阻变层和底电极，所述底电极为硅衬底，所述阻变层为氧化硅层；所述氧化硅层由硅衬底表面的天然硅氧化物层经过等离子体氧化处理得到。本发明提供的界面型忆阻器厚度较薄，且器件良品率高，具有可重复的稳定电阻切换能力，同时还能提高界面型忆阻器的稳定性，并且由于阻变层原料以及等离子体氧化技术成本较低，本发明的界面型忆阻器还具有低成本的特点。

公开(公告)号：CN116456812A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310297202.6

申请日：2023-03-22

Applicant: 广州大学

Inventor： 葛军 ,  陈莞君 ,  马泽霖 ,  曹栩诚 ,  刁山青 ,  刘志宇 ,  潘书生

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明涉及神经形态计算芯片技术领域，尤其是涉及一种超薄忆阻器及其制备方法。所述忆阻器自下而上包括底电极、阻变层和顶电极，其中，所述底电极的材料为硼重掺杂p型Si，所述阻变层采用SiOx，所述顶电极选用可吸附结合氧的金属材料。本发明采用硼重掺杂p型Si作为底电极，其表面能够在有氧环境中自然形成超薄SiOx层，形成条件简单，降低了制备难度；以可吸附结合氧的金属材料作为顶电极，Sn、Ti、Al金属材料的导电性能优良，而且能够在阻变层SiOx上提供氧存储层；制备得到超薄忆阻器具有优异的数据保持能力、高稳定性、低开关速度，能够成功模拟生物突触STDP学习规则，具有优异的综合性能。

公开(公告)号：CN115589772A

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202211115756.1

申请日：2022-09-14

Applicant: 广州大学

Inventor： 葛军 ,  马泽霖 ,  陈莞君 ,  曹栩诚 ,  刁山青 ,  林浩 ,  刘志宇 ,  潘书生

IPC: H10N70/20

Abstract: 本发明属于电子器件领域，公开了一种隧穿型忆阻器及其应用，该隧穿型忆阻器自上至下依次由顶电极、渗流层、隧穿层和底电极组成，其中，所述渗流层为活性金属掺杂的氧化硅层。本发明采用活性金属掺杂的氧化硅层提供的活化能低、迁移速度快、不存在退极化问题的活性金属团簇充当调节隧穿层势垒的媒介，有效解决传统隧穿型忆阻器中氧空位迁移速度慢、容易退极化的问题，在保持了传统隧穿型忆阻器循环稳定性高、连续电导调节能力强的优势外，还赋予了器件开关速度快、数据保持时间长等导电细丝型忆阻器才具备的优点。

公开(公告)号：CN114038995A

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN202111192931.2

申请日：2021-10-13

Applicant: 广州大学

Inventor： 葛军 ,  马泽霖 ,  曹栩诚 ,  陈莞君 ,  刁山青 ,  潘书生

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种忆阻器及其制备方法和应用，该忆阻器包括从上到下依次设置的顶电极、阻变层及底电极，所述底电极为含硅衬底，所述阻变层为含硅衬底表面形成的天然氧化层。本发明中的忆阻器采用天然氧化层作为阻变层，天然氧化层是由空气自然氧化形成，具有厚度薄、与含硅衬底之间几乎完美的接触界面、表面原子级别光滑、无需人工制备、成本低、与互补金属氧化物半导体工艺兼容等优势，克服了本领域普遍认为的含硅衬底表面的天然氧化层不利于忆阻器性能的技术偏见。此外，本发明中的忆阻器同时具有优异的数据保持能力、高稳定性、模拟开关特性三种性能。