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公开(公告)号：CN115763675A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211529862.4
申请日：2022-11-30
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，提供一种侧发光的LED光源及其制作方法，其中的LED光源包括发光二极管以及导光镜；所述导光镜覆盖包裹所述发光二极管，所述导光镜的顶部倾斜，所述发光二极管的正面发光面朝上且与所述导光镜的顶部对应；所述导光镜的一侧设有出光口，所述出光口位于所述导光镜的顶部较高的一侧。本发明通过将导光镜的顶部倾斜设置形成导光结构，从而有利于将从发光二极管正面发光面的光引导至出光口处射出，进而有利于确保LED光源的侧发光亮度。
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公开(公告)号：CN115986039A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211730970.8
申请日：2022-12-30
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高光效的四面出光CSP封装结构及其制作方法，包括基板、粘性膜、若干芯片、荧光层和光反射层；粘性膜铺设在基板上方，若干芯片均匀排列在粘性膜上方并与粘性膜可拆卸式地固定连接，荧光层覆盖芯片，荧光层上方设有容纳光反射层的容纳腔，容纳腔呈倒四角锥结构，芯片、荧光层和光反射层构成独立的CSP灯珠。本发明的高光效的四面出光CSP封装结构及其制作方法中，具有出光均匀、光指向性好、出光效率高的优点。
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公开(公告)号：CN115810704A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211518930.7
申请日：2022-11-30
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
IPC: H01L33/60 , H01L33/58 , H01L33/52 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种高光密度的LED光源及制作方法，包括基板，固设在基板上方的发光二极管和模压成型部，模压成型部包括导光透镜和反射外壳；导光透镜包括通过一次模压发光二极管形成，包括用于传递发光二极管发出的光的导光部和折光部；反射外壳包括通过在一次模压基础上二次模压发光二极管形成，包括与导光部顶部持平的出光口和与折光部外周面相适配的反射内壁，反射内壁将发光二极管侧面发出的光通过折光部和导光部的传递引导至出光口处。本发明提供了一种高光密度的LED光源，具有LED光源尺寸较小，LED光源亮度不会下降的优点。
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公开(公告)号：CN119562685A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411579200.7
申请日：2024-11-07
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
IPC: H10H20/857 , H10H20/858 , H10H20/84
Abstract: 本发明涉及LED发光技术领域，特别涉及一种高可靠性的芯片下沉式灯珠。该高可靠性的芯片下沉式灯珠具体包括：基板、芯片、第一焊盘、第二焊盘、固荧光片层、光转换层、透明层、散热层和白胶层；基板设有凹槽，芯片、光转换层和透明层位于凹槽内，第一焊盘延伸至凹槽内与芯片连接，光转换层位于芯片的上表面，固荧光片层位于芯片与光转换层之间，透明层位于光转换层的上表面，散热层围绕芯片设置，白胶层包围光转换层和透明层，第二焊盘位于基板底部，第二焊盘位于芯片的正下方。本发明具有避免白胶与热源的直接接触，从根本上改善白胶开裂的优点。
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公开(公告)号：CN117334800A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311502927.0
申请日：2023-11-10
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本发明属于LED技术领域，提供一种高光密度的灯珠及制作方法，其中的灯珠包括基板、LED芯片、光转换层以及光阻挡层；所述LED芯片包括芯片复合发光层和芯片衬底层；所述芯片复合发光层设置在所述基板上，所述芯片衬底层覆盖设置在所述芯片复合发光层的发光面上，所述光转换层覆盖设置在所述芯片衬底层上；在所述芯片衬底层的厚度方向上，所述芯片衬底层的覆盖面积从靠近所述芯片复合发光层的一侧至远离所述芯片复合发光层的一侧逐渐缩小；所述光阻挡层包裹在所述芯片复合发光层、所述芯片衬底层以及所述光转换层的四周，以形成单面出光效果。本发明可充分利用芯片的光源，降低光损失，提高光利用率，并且不受芯片最大电流的功率限制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117476843A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311671306.5
申请日：2023-12-06
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本发明属于LED技术领域，公开了一种抗胶裂的高可靠性LED结构及制造方法，其中抗胶裂的高可靠性LED结构包括基板载体、光电半导体层、光转化层和白墙；光电半导体层设在基板载体上；光转化层设在光电半导体层上；白墙设在基板载体上，并围绕连接光电半导体层和光转化层；白墙上开设有凹槽，凹槽用于白墙的应力释放；本发明巧妙地设计出凹槽，可以保证白墙受热应力时变形得到释放，减少白墙使用硬胶封装容易开裂的可能，同时，可以保证本发明的LED结构具有高可靠性的硬度要求，减少LED结构受外部荷载碰损的可能，提高LED结构的可靠性与使用寿命。
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公开(公告)号：CN119554597A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411886659.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
IPC: F21S45/47 , F21S41/141 , F21S41/19 , F21V29/503 , F21V19/00 , F21V29/71 , F21V23/06 , F21W102/00 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种ADB模组及其制作方法，ADB模组包括：集成式LED芯片、电路板和散热器；所述集成式LED芯片、所述电路板均与所述散热器连接；所述电路板设置有开窗，所述集成式LED芯片设置于所述开窗内并于所述电路板连接。本发明的集成式LED芯片直接与散热器连接，能够极大地增强散热效果，电路板无需承担散热功能，可以选用低导热的其他材料替代金属基板电路板，能够降低整个ADB模组的整体成本。
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公开(公告)号：CN117577757A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311568989.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本发明属于LED技术领域，公开了一种封装结构、LED发光器件及其制作方法，其中的LED发光器件包括上述封装结构、LED芯片、光转换层、围坝胶层和填充材料层；LED芯片设在固晶区上，固晶区的上表面与LED芯片背面金属极相接；光转换层设在LED芯片上，围坝胶层设在第一围坝槽、第二围坝槽中，填充材料层填充在LED芯片和光转换层的间隙，和与围坝胶层构成的区域中。本发明的LED发光器件，基于新型封装结构进行封装，可靠耐用，可以提高LED发光器件的使用寿命，供人们安全使用。同时，本发明也提出了一种LED发光器件的制作方法，可以指导新型LED发光器件的批量生产。
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公开(公告)号：CN115939292A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211693474.X
申请日：2022-12-28
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED器件的封装结构及其制作方法，包括基板、若干芯片、荧光层和填充层；若干芯片相互独立固设在基板表面，若干芯片形成发光组件；荧光层覆盖在芯片上方，荧光层呈上层窄下层宽的梯型结构，荧光层与芯片形成独立的发光单元；填充层用于填充相邻发光单元之间的间隙，填充层表面呈弧形微凸结构；芯片包括芯片衬底、依次设置在芯片衬底上的第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和透明导电层，多量子阱层设置在第一半导体层和第二半导体层之间，透明导电层位于第二半导体层远离多量子阱层的一端面，透明导电层包括n电极和p电极。本LED器件的封装结构及其制作方法，具有光利用效率高、发光亮度高的优点。
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公开(公告)号：CN221977964U
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202323330195.X
申请日：2023-12-06
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本实用新型属于LED技术领域，公开了一种抗胶裂的高可靠性LED结构，包括基板载体、光电半导体层、光转化层和白墙；光电半导体层设在基板载体上；光转化层设在光电半导体层上；白墙设在基板载体上，并围绕连接光电半导体层和光转化层；白墙上开设有凹槽，凹槽用于白墙的应力释放；本实用新型巧妙地设计出凹槽，可以保证白墙受热应力时变形得到释放，减少白墙使用硬胶封装容易开裂的可能，同时，可以保证本实用新型的LED结构具有高可靠性的硬度要求，减少LED结构受外部荷载碰损的可能，提高LED结构的可靠性与使用寿命。
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