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公开(公告)号：CN115911225A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211693475.4
申请日：2022-12-28
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高对比度的LED器件的发光结构及其制作方法，包括基板、若干芯片、荧光层、反射层和填充层；荧光层覆盖在芯片上方并形成独立的发光单元，反射层包裹在发光单元外周壁，反射层包括金属层和铺设在金属层内外表面的介质层，若干发光单元矩阵排列设置在基板上，相邻两发光单元之间存在间隙，间隙处设有填充层。本发明的高对比度的LED器件的发光结构及其制作方法中，具有LED器件出光效率高、对比度高的优点。
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公开(公告)号：CN119554597A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411886659.1
申请日：2024-12-20
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
IPC: F21S45/47 , F21S41/141 , F21S41/19 , F21V29/503 , F21V19/00 , F21V29/71 , F21V23/06 , F21W102/00 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种ADB模组及其制作方法，ADB模组包括：集成式LED芯片、电路板和散热器；所述集成式LED芯片、所述电路板均与所述散热器连接；所述电路板设置有开窗，所述集成式LED芯片设置于所述开窗内并于所述电路板连接。本发明的集成式LED芯片直接与散热器连接，能够极大地增强散热效果，电路板无需承担散热功能，可以选用低导热的其他材料替代金属基板电路板，能够降低整个ADB模组的整体成本。
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公开(公告)号：CN117577757A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311568989.1
申请日：2023-11-22
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本发明属于LED技术领域，公开了一种封装结构、LED发光器件及其制作方法，其中的LED发光器件包括上述封装结构、LED芯片、光转换层、围坝胶层和填充材料层；LED芯片设在固晶区上，固晶区的上表面与LED芯片背面金属极相接；光转换层设在LED芯片上，围坝胶层设在第一围坝槽、第二围坝槽中，填充材料层填充在LED芯片和光转换层的间隙，和与围坝胶层构成的区域中。本发明的LED发光器件，基于新型封装结构进行封装，可靠耐用，可以提高LED发光器件的使用寿命，供人们安全使用。同时，本发明也提出了一种LED发光器件的制作方法，可以指导新型LED发光器件的批量生产。
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公开(公告)号：CN117712111A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311756176.5
申请日：2023-12-19
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
IPC: H01L25/075 , G01M11/02 , H01L33/58 , H01L33/54
Abstract: 本发明涉及LED芯片技术领域，特别涉及一种高光色均匀性的发光器件。该高光色均匀性的发光器件具体包括：基板，基板上固设有至少一个芯片，至少一芯片串联或并联排列设置，芯片上方铺设有透镜，芯片与透镜构成发光单元，基板上方依次覆盖有光转换层、透明胶层和扩散层，光转换层围绕发光单元设置。本发明具有发光器件整体厚度薄，面光源处没有明显的光色差异，且光色均匀的优点。
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公开(公告)号：CN117476843A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311671306.5
申请日：2023-12-06
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本发明属于LED技术领域，公开了一种抗胶裂的高可靠性LED结构及制造方法，其中抗胶裂的高可靠性LED结构包括基板载体、光电半导体层、光转化层和白墙；光电半导体层设在基板载体上；光转化层设在光电半导体层上；白墙设在基板载体上，并围绕连接光电半导体层和光转化层；白墙上开设有凹槽，凹槽用于白墙的应力释放；本发明巧妙地设计出凹槽，可以保证白墙受热应力时变形得到释放，减少白墙使用硬胶封装容易开裂的可能，同时，可以保证本发明的LED结构具有高可靠性的硬度要求，减少LED结构受外部荷载碰损的可能，提高LED结构的可靠性与使用寿命。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116053267A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211725691.2
申请日：2022-12-30
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/62 , H01L33/54 , H01L33/46 , H01L33/50
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，提供一种集成封装器件及其制作方法，其中的集成封装器件包括基板、光电半导体层、硅胶反射层、光转换层以及表面保护层；所述光电半导体层包括多个作为发光元件的LED芯片，多个所述LED芯片呈矩阵式排列设置在所述基板上；所述硅胶反射层包裹在各LED芯片四周；所述光转换层覆盖在所述光电半导体层和所述硅胶反射层上；多个所述LED芯片之间的光转换层上均设有用于吸光的凹槽；所述表面保护层覆盖在所述光转换层以及所述凹槽上。本发明有效提升集成封装器件的发光对比度，并且对亮度影响小。
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公开(公告)号：CN119562685A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411579200.7
申请日：2024-11-07
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
IPC: H10H20/857 , H10H20/858 , H10H20/84
Abstract: 本发明涉及LED发光技术领域，特别涉及一种高可靠性的芯片下沉式灯珠。该高可靠性的芯片下沉式灯珠具体包括：基板、芯片、第一焊盘、第二焊盘、固荧光片层、光转换层、透明层、散热层和白胶层；基板设有凹槽，芯片、光转换层和透明层位于凹槽内，第一焊盘延伸至凹槽内与芯片连接，光转换层位于芯片的上表面，固荧光片层位于芯片与光转换层之间，透明层位于光转换层的上表面，散热层围绕芯片设置，白胶层包围光转换层和透明层，第二焊盘位于基板底部，第二焊盘位于芯片的正下方。本发明具有避免白胶与热源的直接接触，从根本上改善白胶开裂的优点。
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公开(公告)号：CN117650138A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311756167.6
申请日：2023-12-19
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/58 , H01L33/54
Abstract: 本发明涉及LED芯片技术领域，特别涉及一种适用于集成封装式的高均匀性发光器件。该适用于集成封装式的高均匀性发光器件具体包括：基板，基板上固设有至少一个LED芯片，LED芯片四周围设有白墙，白墙位于基板的上方，基板、LED芯片上方覆盖有光转换层、至少一层透明胶层和扩散层，透明胶层上方铺设有扩散层；光转换层内包括均匀分布的荧光粒子，若干LED芯片激发光转换层内的荧光粒子形成区域性发光的白光面光源；扩散层内设有扩散粒子，扩散粒子用于将光线进一步散射。本发明具有发光模组在有限的空间内发光表面光线均匀的优点。
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公开(公告)号：CN115101645A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210830119.6
申请日：2022-07-15
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，提供一种小尺寸的LED，包括基板主体、齐纳二极管和发光二极管，所述基板主体的封装面上设有用于容纳所述齐纳二极管的安装凹槽，所述发光二极管设置在所述封装面上，所述齐纳二极管设置在所述安装凹槽中且位于所述发光二极管的下方；所述发光二极管与基板主体上的芯片焊盘连接，所述齐纳二极管通过金属线路与所述发光二极管并联连接。本发明通过在基板主体上设置安装凹槽，将齐纳二极管安装在发光二极管的下方，从而有效缩减LED芯片的平面空间，使得LED芯片的尺寸进一步缩减，有利于满足现代LED小型化的发展趋势。
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公开(公告)号：CN221977964U
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202323330195.X
申请日：2023-12-06
Applicant: 广东晶科电子股份有限公司
Abstract: 本实用新型属于LED技术领域，公开了一种抗胶裂的高可靠性LED结构，包括基板载体、光电半导体层、光转化层和白墙；光电半导体层设在基板载体上；光转化层设在光电半导体层上；白墙设在基板载体上，并围绕连接光电半导体层和光转化层；白墙上开设有凹槽，凹槽用于白墙的应力释放；本实用新型巧妙地设计出凹槽，可以保证白墙受热应力时变形得到释放，减少白墙使用硬胶封装容易开裂的可能，同时，可以保证本实用新型的LED结构具有高可靠性的硬度要求，减少LED结构受外部荷载碰损的可能，提高LED结构的可靠性与使用寿命。
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