一种发光装置制作方法及发光装置

    公开(公告)号:CN112951970A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202011641053.3

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种发光装置制作方法及发光装置,制作方法包括步骤:在光转换膜上制作若干切割部件;将发光元件固定在光转换膜上,且发光元件位于相邻的两个间隔较大的切割部件之间;在发光元件的四个侧面与切割部件之间覆盖一层第一光透过层;沿切割部件进行切割,得到若干单颗带光转换膜和第一透过层的发光元件;将带光转换膜和第一光透过层的发光元件固定在基体上;在第一光透过层的侧面覆盖一层光反射层;模压封装,覆盖一层第二光透过层;相邻的两颗发光元件的中线切割,得到单颗的发光装置。本发明在光转换膜制作切割部件,在芯片四周铺设第一光透过层时,对第一光透过层起阻挡作用,有利于倾斜面形成,倾斜面角度可以通过切割部件的位置进行控制。

    一种发光装置及制作方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112490224A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011364729.9

    申请日:2020-11-27

    Abstract: 本发明公开了一种发光装置及制作方法,发光装置包括发光元件、基体、光转换层、光反射层和光透过层;光反射层铺盖在基体的一面上,光反射层上开设有分割槽,分割槽内外两侧分别为内区和外区;发光元件嵌装在所述内区中并与基体固定连接;光转换层包括第一光转换层和第二光转换层,第一光转换层设置在分割槽内,第二光转换层覆盖在内区并背离基体的一面;光透过层包括第一光透过层和第二光透过层,第一光透过层设在分割槽内并覆盖第一光转换层背离基体的一面,第二光透过层设置在光反射层背离基体的一面上并将光反射层、第一光透过层、第二光转换层覆盖。设置的分割槽结构,对光转换层的形状进行了限制,可以保证光转换层的均匀性和形状一致性。

    一种陶瓷LED封装结构
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116014056A

    公开(公告)日:2023-04-25

    申请号:CN202211726665.1

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本发明公开了一种陶瓷LED封装结构,一种陶瓷LED封装结构,其特征在于:包括陶瓷基板,所述陶瓷基板上设有相邻的第一导电金属区和第二导电金属区,所述第一导电金属区、所述第二导电金属区均用于导电,所述第一导电金属区、所述第二导电金属区之间设有用于传导散热的导热区,所述导热区材质为金属材质,所述导热区用于间隔所述第一导电金属区和所述第二导电金属区。导热区在实现散热的同时,可将相邻的两个导电金属区分隔开,从而防止第一导电金属区与第二导电金属区之间的金属原子迁移,有效地解决了导电金属区间的金属迁移。且本方案结构简单,有利于节约LED产品的成本。

    一种陶瓷LED封装结构
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117712273A

    公开(公告)日:2024-03-15

    申请号:CN202311873875.8

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本发明公开了一种陶瓷LED封装结构,包括陶瓷基板,陶瓷基板表面设有纵横交错呈网状的若干横向切割道和若干纵向切割道,沿各横向切割道和纵向切割道切割后形成若干单元块,各单元块用于形成单颗LED,陶瓷基板表面埋设有若干导电连接筋;各单元块上横向依次设有第一导电金属区、导热金属区、第二导电金属区,若干导电连接筋用于将位于同一列上的两相邻第一导电金属区电连接、将位于同一列上的两相邻第二导电金属区电连接、将位于同一列上的两相邻导热金属区电连接、将各单元块内的第一导电金属区、导热金属区、第二导电金属区电连接,各导电金属区之间不易发生金属迁移而出现短路。

    一种发光装置制作方法及发光装置

    公开(公告)号:CN112951970B

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202011641053.3

    申请日:2020-12-31

    Abstract: 本发明公开了一种发光装置制作方法及发光装置,制作方法包括步骤:在光转换膜上制作若干切割部件;将发光元件固定在光转换膜上,且发光元件位于相邻的两个间隔较大的切割部件之间;在发光元件的四个侧面与切割部件之间覆盖一层第一光透过层;沿切割部件进行切割,得到若干单颗带光转换膜和第一透过层的发光元件;将带光转换膜和第一光透过层的发光元件固定在基体上;在第一光透过层的侧面覆盖一层光反射层;模压封装,覆盖一层第二光透过层;相邻的两颗发光元件的中线切割,得到单颗的发光装置。本发明在光转换膜制作切割部件,在芯片四周铺设第一光透过层时,对第一光透过层起阻挡作用,有利于倾斜面形成,倾斜面角度可以通过切割部件的位置进行控制。

    一种发光装置及制作方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112490225A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011371302.1

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 本发明公开了一种发光装置及制作方法,发光装置包括发光元件、基体、光转换层、光反射层、光透过层和围坝;基体的上表面设有至少一个凹槽,光转换层铺设在凹槽内,发光元件埋设在光转换层内并与基体固定连接;围坝设于光转换层的上表面,围坝的内外两侧分别为内区和外区;所述光反射层设于外区并将所述光转换层的上表面覆盖;所述光透过层设于内区并将所述光转换层的上表面覆盖。在本发光装置中,设置的围坝的尺寸可以调节,从而达到控制出光面尺寸的目的,同时凹槽的尺寸面积大于围坝的尺寸面积,这样设于凹槽内的发光元件不会受限于固定的出光面尺寸的限制,可以设置更多数量的发光元件,从而满足不同出光面尺寸的需求。

    一种陶瓷LED封装结构
    7.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219286441U

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202223606075.3

    申请日:2022-12-30

    Abstract: 本实用新型公开了一种陶瓷LED封装结构,一种陶瓷LED封装结构,其特征在于:包括陶瓷基板,所述陶瓷基板上设有相邻的第一导电金属区和第二导电金属区,所述第一导电金属区、所述第二导电金属区均用于导电,所述第一导电金属区、所述第二导电金属区之间设有用于传导散热的导热区,所述导热区材质为金属材质,所述导热区用于间隔所述第一导电金属区和所述第二导电金属区。导热区在实现散热的同时,可将相邻的两个导电金属区分隔开,从而防止第一导电金属区与第二导电金属区之间的金属原子迁移,有效地解决了导电金属区间的金属迁移。且本方案结构简单,有利于节约LED产品的成本。

    一种陶瓷LED封装结构
    8.
    实用新型

    公开(公告)号:CN221687551U

    公开(公告)日:2024-09-10

    申请号:CN202323670921.2

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本实用新型公开了一种陶瓷LED封装结构,包括陶瓷基板,陶瓷基板表面设有纵横交错呈网状的若干横向切割道和若干纵向切割道,沿各横向切割道和纵向切割道切割后形成若干单元块,各单元块用于形成单颗LED,陶瓷基板表面埋设有若干导电连接筋;各单元块上横向依次设有第一导电金属区、导热金属区、第二导电金属区,若干导电连接筋用于将位于同一列上的两相邻第一导电金属区电连接、将位于同一列上的两相邻第二导电金属区电连接、将位于同一列上的两相邻导热金属区电连接、将各单元块内的第一导电金属区、导热金属区、第二导电金属区电连接,各导电金属区之间不易发生金属迁移而出现短路。

    一种发光装置
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN213692047U

    公开(公告)日:2021-07-13

    申请号:CN202022822624.5

    申请日:2020-11-27

    Abstract: 本实用新型公开了一种发光装置,包含发光元件、基体、光转换层、光反射层和光透过层,发光元件设于所述基体上,光反射层设于发光元件的四周和基体的上表面,光反射层的上表面设有凹槽,光转换层包括第一光转换层和第二光转换层,光透过层包括第一光透过层和第二光透过层,第一光转换层和第一光透过层设于凹槽内,第二光转换层设于发光元件的上表面及光反射层的上表面,第二光透过层设于第二光转换层的上表面、光反射层的上表面及第一光透过层的上表面。设置的环形的凹槽结构,对光转换层的形状进行了限制,可以保证光转换层的均匀性和形状一致性。

    一种发光装置
    10.
    实用新型

    公开(公告)号:CN213583781U

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN202022828650.9

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 本实用新型公开了一种发光装置,发光装置包括发光元件、基体、光转换层、光反射层、光透过层和围坝;基体的上表面设有至少一个凹槽,光转换层铺设在凹槽内,发光元件埋设在光转换层内并与基体固定连接;围坝设于光转换层的上表面,围坝的内外两侧分别为内区和外区;所述光反射层设于外区并将所述光转换层的上表面覆盖;所述光透过层设于内区并将所述光转换层的上表面覆盖。在本发光装置中,设置的围坝的尺寸可以调节,从而达到控制出光面尺寸的目的,同时凹槽的尺寸面积大于围坝的尺寸面积,这样设于凹槽内的发光元件不会受限于固定的出光面尺寸的限制,可以设置更多数量的发光元件,从而满足不同出光面尺寸的需求。

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