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公开(公告)号：CN116887665A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311039710.0
申请日：2023-08-17
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明提供一种钛酸铋基忆阻器及其制备方法，涉及铁电薄膜器件技术领域。本发明公开的铁电薄膜忆阻器，包括：基底、导电薄膜和铁电薄膜，以及设置在所述导电薄膜上的底电极和设置在铁电薄膜上的顶电极；所述导电薄膜为LaNiO3；所述铁电薄膜为(Bi0.8La0.2)2Ti2O7。本发明所制备的忆阻器不但具有明显的阻变特性，在正电压极化下，表现出反向二极管特性，在负电压极化下，表现出双向二极管特性。其制备方法操作简单，成本低，易于实施，在忆阻器领域有着广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116723759A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310939502.X
申请日：2023-07-28
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本申请属于存储器件技术领域，尤其涉及一种叠层结构氧化物忆阻器及制备方法和电子计算机；本申请提供的叠层结构氧化物忆阻器包括三明治构型的第一氧化铪/掺杂5w％～10w％铪的氧化锌/第二氧化铪复合薄膜为阻变复合层，掺杂5w％～10w％铪的氧化锌的插入能够增大阻变复合薄膜内的氧空位浓度，促进导电细丝的形成，使忆阻器处于低电阻状态，形成较粗氧空位导电细丝的初始化电压仅为1.2V～1.6V，从而解决现有技术中过渡金属氧化物忆阻器存在的初始化电压较大，导致需要复杂的外围驱动电路的技术问题。
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公开(公告)号：CN110993332B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201911337002.9
申请日：2019-12-23
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明提供了一种铪酸铅反铁电薄膜电容器的制备方法，包括以下步骤：A)将乙酰丙酮铪和乙酸铅溶于由乙二醇甲醚、冰醋酸和乙酰丙酮组成的混合溶液中，得到PbHfO3前驱液；B)将所述PbHfO3前驱液旋涂在FTO玻璃衬底表面后进行干燥，得到前驱体薄膜；C)将所述前驱体薄膜在空气氛围下进行高温退火，得到铪酸铅反铁电薄膜；D)在所述铪酸铅反铁电薄膜表面镀顶电极，得到铪酸铅反铁电薄膜电容器。通过溶胶凝胶法，在合适的退火温度和退火时间下，首次合成了PbHfO3薄膜，在FTO玻璃上制备的反铁电薄膜电容器，该薄膜具有良好的反铁电性能。
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公开(公告)号：CN110098288B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910267910.9
申请日：2019-04-03
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种具有光电二极管效应的氧化物薄膜器件及其制备方法，所述氧化物薄膜器件包括顶电极、氧化物薄膜层、基片层和底电极；所述基片层为p‑Si基片，所述氧化物薄膜层为ZrO2。本发明通过磁控溅射法将氧化物薄膜沉积在基片上，然后分别在薄膜的上面镀上金属顶电极和在基片背面镀上金属底电极，形成金属/氧化物薄膜/半导体器件结构。通过在合适的温度和氧气氛围中退火，制作成该种器件结构，具有明显的二极管效应。
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公开(公告)号：CN107311656B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201710537751.0
申请日：2017-07-04
Applicant: 广东工业大学
IPC: F25B21/00 , C04B35/491 , C04B35/622
Abstract: 本发明提供了一种具有巨负电卡效应的反铁电陶瓷材料，所述反铁电陶瓷材料的化学组成为：(Pb1‑3x/2Lax)(Zr0.95Ti0.05)O3；所述x为0.02～0.1；所述反铁电陶瓷材料具有巨负电卡效应。与现有技术相比，本发明提供的反铁电陶瓷材料电卡效应制冷具有制冷系数大、能量转换率较高和易实现集成化的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107342229B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201710595501.2
申请日：2017-07-20
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种非晶薄膜器件以及制作方法，所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底上形成第一电极结构；在所述第一电极结构背离所述基底的一侧形成非晶薄膜层；在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧形成第二电极结构；其中，所述第一电极结构与所述第二电极结构相互接触连接。该制作方法工艺简单，且由该制作方法制作而成的非晶薄膜器件单向导电性，具有明显的二极管效应，整流效果良好。
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公开(公告)号：CN109037440A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810847567.0
申请日：2018-07-27
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/147 , H01L45/04 , H01L45/16
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种阻变存储器及其制备方法和应用。本发明公开了一种阻变存储器，包括：衬底、底电极、第一顶电极、第二顶电极和双钙钛矿氧化物薄膜；底电极设置在衬底的表面；双钙钛矿氧化物薄膜和第一顶电极均设置在底电极背离衬底的一侧；第二顶电极设置在双钙钛矿氧化物薄膜背离底电极的一侧；双钙钛矿氧化物薄膜选自Bi2NiMnO6、Bi2Ni0.5Mn1.5O6或Bi2Ni0.1Mn1.9O6薄膜。相比于现有的阻变存储器，将双钙钛矿氧化物薄膜作为介质层的阻变存储器在不同的退火温度下，可以在高阻态和低阻态之间相互转化，HRS/LRS值可以达到200，展现出了优良的阻变特性，使得阻变存储器具备良好的稳定性，解决现有的阻变存储器阻变效应差，阻变存储器容易损坏的技术问题。
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公开(公告)号：CN107464970A
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201710703585.7
申请日：2017-08-16
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明提供一种铁电微波滤波器，包括金属腔体、设置在金属腔体内的介质谐振器、复合在腔体内壁上的Bi2NiMnO6薄膜器件以及设置在腔壁上的调谐螺丝；所述Bi2NiMnO6薄膜器件包括依次复合的衬底、底电极、Bi2NiMnO6薄膜和顶电极。本发明采用TE01δ模介质谐振腔滤波器，以Bi2NiMnO6薄膜为滤波器的介电材料，提高了滤波器的介电常数和调谐率，并且由于使用了高介电调谐Bi2NiMnO6薄膜材料，节约了材料用量，使制造成本明显下降。实验结果表明，本申请中的滤波器介电常数为5～18，介电调谐率为70～93％。
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公开(公告)号：CN103951439B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201410166735.1
申请日：2014-04-23
Applicant: 广东国华新材料科技股份有限公司 , 广东风华高新科技股份有限公司 , 广东工业大学
IPC: C04B35/63 , C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 一种微波介质陶瓷，包括质量比为90～98:2～10的α-三氧化二铝和助烧剂，所述助烧剂包括质量比为2:2:1的二氧化硅、碳酸锂和三氧化二镱。上述微波介质陶瓷的助烧剂中的二氧化硅和碳酸锂相对于α-三氧化二铝熔点较低。通过添加助烧剂，能有效降低烧结温度，使该微波介质陶瓷的烧结温度比传统的α-三氧化二铝材质的微波介质陶瓷的烧结温度低150℃以上。助烧剂中的三氧化二镱具有促进烧结的作用，能够有效提高微波介质陶瓷的致密度，从而提高微波介质陶瓷的导热系数。此外，还提供一种微波介质陶瓷的制备方法。
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公开(公告)号：CN116682863A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310641653.7
申请日：2023-06-01
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及铁电薄膜技术领域，尤其涉及一种锆钛酸钡铁电二极管薄膜及其制备方法和应用。本发明公开了一种铁电二极管薄膜，包括：基底、导电薄膜和铁电薄膜，以及设置在所述导电薄膜上的底电极和设置在铁电薄膜上的顶电极；所述导电薄膜为LaNiO3；所述铁电薄膜为BaZr0.1Ti0.9O3。本发明所制备的铁电二极管薄膜不但具有明显的铁电二极管特性，在负电压极化下表现出双向二极管效应，并且可以实现人工突触的相关功能，包括双脉冲易化，短时/长时突触可塑性等。铁电二极管薄膜是基于铁电材料的特殊性质发展起来的一种新型微电子器件技术，在半导体领域得到广泛的研究和应用。
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