公开(公告)号：CN109037440A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810847567.0

申请日：2018-07-27

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 钟文敏 ,  刘秋香 ,  唐新桂 ,  曾思明

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/147 ,  H01L45/04 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种阻变存储器及其制备方法和应用。本发明公开了一种阻变存储器，包括：衬底、底电极、第一顶电极、第二顶电极和双钙钛矿氧化物薄膜；底电极设置在衬底的表面；双钙钛矿氧化物薄膜和第一顶电极均设置在底电极背离衬底的一侧；第二顶电极设置在双钙钛矿氧化物薄膜背离底电极的一侧；双钙钛矿氧化物薄膜选自Bi2NiMnO6、Bi2Ni0.5Mn1.5O6或Bi2Ni0.1Mn1.9O6薄膜。相比于现有的阻变存储器，将双钙钛矿氧化物薄膜作为介质层的阻变存储器在不同的退火温度下，可以在高阻态和低阻态之间相互转化，HRS/LRS值可以达到200，展现出了优良的阻变特性，使得阻变存储器具备良好的稳定性，解决现有的阻变存储器阻变效应差，阻变存储器容易损坏的技术问题。

公开(公告)号：CN108963011A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810847564.7

申请日：2018-07-27

Applicant: 广东工业大学

Inventor： 钟文敏 ,  刘秋香 ,  唐新桂 ,  曾思明

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/09 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体薄膜器件及其制备方法与应用。半导体薄膜器件，包括：衬底、底电极、双钙钛矿氧化物薄膜和顶电极；底电极设置在衬底的表面；双钙钛矿氧化物薄膜设置在底电极背离衬底的一侧；顶电极设置在双钙钛矿氧化物薄膜背离底电极的一侧。使用该薄膜材料的半导体薄膜器件从黑暗条件、日光条件到人造阳光条件下，展现了良好的二极管效应，同时，还展现了良好的光电效应，另外，本发明的半导体薄膜器件的光电转换效率Isolar/Idark>1000，具有十分强灵敏度，可以极大的放大光信号，解决了现有的光电二极管薄膜器件光电转换率低，且在接受光照后不具备二极管效应的技术问题。