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公开(公告)号：CN110344237A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910555697.1
申请日：2019-06-25
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及柔性电子材料技术领域，尤其涉及一种导电复合材料及其制备方法与应用。本发明中，导电复合材料的导电材料与基体熔合，使得导电材料与基体产生强分子键，从而增强了导电材料与基体的结合力，导电材料不易脱落，使得导电复合材料耐用性和重复性好，导电复合材料的导电性相对增强。该导电复合材料对不同的应力具有较高的灵敏度，且循环2000次，相对电导变化也呈现循环性，应变加载和卸载时的滞回不显著，稳定性和可靠性好。因此，该导电复合材料可以作为可穿戴的柔性应力传感器件应用于医疗设备及实时监测人体健康状况和不同部位的应力变化。
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公开(公告)号：CN113161481A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110443493.6
申请日：2021-04-23
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本申请属于人工突触器件技术领域。本申请提供了一种柔性人工突触器件及其制备方法。柔性人工突触器件包括基片、底电极和顶电级；所述底电极上沉积有氧化钨薄膜。本申请的柔性人工突触器件不但具有忆阻器的阻变特性，并且能够实现生物突触相似的功能，包括实现双脉冲易化(PPF)、长时增强(LTP)、脉冲时间依赖可塑性(STDP)和脉冲频率依赖可塑性(STRP)等，具有低功耗、响应快、耐受性强的优点，可用于构建人工神经网络系统，为实现可穿戴神经形态计算系统提供了一条可行的途径。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110098288A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201910267910.9
申请日：2019-04-03
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种具有光电二极管效应的氧化物薄膜器件及其制备方法，所述氧化物薄膜器件包括顶电极、氧化物薄膜层、基片层和底电极；所述基片层为p-Si基片，所述氧化物薄膜层为ZrO2。本发明通过磁控溅射法将氧化物薄膜沉积在基片上，然后分别在薄膜的上面镀上金属顶电极和在基片背面镀上金属底电极，形成金属/氧化物薄膜/半导体器件结构。通过在合适的温度和氧气氛围中退火，制作成该种器件结构，具有明显的二极管效应。
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公开(公告)号：CN110344237B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN201910555697.1
申请日：2019-06-25
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明涉及柔性电子材料技术领域，尤其涉及一种导电复合材料及其制备方法与应用。本发明中，导电复合材料的导电材料与基体熔合，使得导电材料与基体产生强分子键，从而增强了导电材料与基体的结合力，导电材料不易脱落，使得导电复合材料耐用性和重复性好，导电复合材料的导电性相对增强。该导电复合材料对不同的应力具有较高的灵敏度，且循环2000次，相对电导变化也呈现循环性，应变加载和卸载时的滞回不显著，稳定性和可靠性好。因此，该导电复合材料可以作为可穿戴的柔性应力传感器件应用于医疗设备及实时监测人体健康状况和不同部位的应力变化。
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公开(公告)号：CN110993332A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201911337002.9
申请日：2019-12-23
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明提供了一种铪酸铅反铁电薄膜电容器的制备方法，包括以下步骤：A)将乙酰丙酮铪和乙酸铅溶于由乙二醇甲醚、冰醋酸和乙酰丙酮组成的混合溶液中，得到PbHfO3前驱液；B)将所述PbHfO3前驱液旋涂在FTO玻璃衬底表面后进行干燥，得到前驱体薄膜；C)将所述前驱体薄膜在空气氛围下进行高温退火，得到铪酸铅反铁电薄膜；D)在所述铪酸铅反铁电薄膜表面镀顶电极，得到铪酸铅反铁电薄膜电容器。通过溶胶凝胶法，在合适的退火温度和退火时间下，首次合成了PbHfO3薄膜，在FTO玻璃上制备的反铁电薄膜电容器，该薄膜具有良好的反铁电性能。
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公开(公告)号：CN110993332B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN201911337002.9
申请日：2019-12-23
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明提供了一种铪酸铅反铁电薄膜电容器的制备方法，包括以下步骤：A)将乙酰丙酮铪和乙酸铅溶于由乙二醇甲醚、冰醋酸和乙酰丙酮组成的混合溶液中，得到PbHfO3前驱液；B)将所述PbHfO3前驱液旋涂在FTO玻璃衬底表面后进行干燥，得到前驱体薄膜；C)将所述前驱体薄膜在空气氛围下进行高温退火，得到铪酸铅反铁电薄膜；D)在所述铪酸铅反铁电薄膜表面镀顶电极，得到铪酸铅反铁电薄膜电容器。通过溶胶凝胶法，在合适的退火温度和退火时间下，首次合成了PbHfO3薄膜，在FTO玻璃上制备的反铁电薄膜电容器，该薄膜具有良好的反铁电性能。
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公开(公告)号：CN110098288B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910267910.9
申请日：2019-04-03
Applicant: 广东工业大学
Abstract: 本发明属于微电子技术领域，公开了一种具有光电二极管效应的氧化物薄膜器件及其制备方法，所述氧化物薄膜器件包括顶电极、氧化物薄膜层、基片层和底电极；所述基片层为p‑Si基片，所述氧化物薄膜层为ZrO2。本发明通过磁控溅射法将氧化物薄膜沉积在基片上，然后分别在薄膜的上面镀上金属顶电极和在基片背面镀上金属底电极，形成金属/氧化物薄膜/半导体器件结构。通过在合适的温度和氧气氛围中退火，制作成该种器件结构，具有明显的二极管效应。
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