-
公开(公告)号：CN108232011B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201711474152.5
申请日：2017-12-29
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种非晶钛酸锶薄膜器件的制备方法，包括：在基底表面旋涂底电极溶液后退火，形成底电极；在所述底电极表面旋涂钛酸锶溶液后进行烘烤，形成酸锶薄膜；将所述钛酸锶薄膜进行退火处理，形成非晶薄膜；在所述非晶薄膜表面进行电子束蒸发溅射形成顶电极，得到非晶钛酸锶薄膜器件。本发明提供的非晶钛酸锶薄膜器件的最大的创新点在器件的主体氧化物薄膜层为非晶薄膜，并且制备方法工艺简单，制备过程中对温度的要求较低，能够进行批量生产，而且制备得到的钛酸锶薄膜器件的稳定性好、耐疲劳能够循环使用，开关比大，400℃退火时开关比达到103，应用领域广泛。
-
公开(公告)号：CN108899418A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810745219.2
申请日：2018-07-09
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于薄膜器件技术领域，尤其涉及一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用。本发明非晶薄膜器件包括：基底、第一电极结构、非晶薄膜层和第二电极结构；第一电极结构设置于基底上；非晶薄膜层设置在第一电极结构背离基底的一侧；第二电极结构设置在非晶薄膜层背离第一电极结构的一侧，第一电极结构与第二电极结构相互接触连接；非晶薄膜层为SrFexTi1-xO3非晶薄膜层，其中，x为0.05～0.5。本发明非晶薄膜器件采用SrFexTi1-xO3非晶薄膜层，该器件具有明显的整流二极管的导电性，整流特性显著；该器件开关比大于103，电流电压循环测试达到40次时，开关比几乎没有很大变化，具有非易失性存储性；该器件的电流随时间仅有微小的波动，具有良好的稳定性和耐疲劳性。
-
公开(公告)号：CN107342229B
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201710595501.2
申请日：2017-07-20
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种非晶薄膜器件以及制作方法，所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底上形成第一电极结构；在所述第一电极结构背离所述基底的一侧形成非晶薄膜层；在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧形成第二电极结构；其中，所述第一电极结构与所述第二电极结构相互接触连接。该制作方法工艺简单，且由该制作方法制作而成的非晶薄膜器件单向导电性，具有明显的二极管效应，整流效果良好。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108232011A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711474152.5
申请日：2017-12-29
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种非晶钛酸锶薄膜器件的制备方法，包括：在基底表面旋涂底电极溶液后退火，形成底电极；在所述底电极表面旋涂钛酸锶溶液后进行烘烤，形成酸锶薄膜；将所述钛酸锶薄膜进行退火处理，形成非晶薄膜；在所述非晶薄膜表面进行电子束蒸发溅射形成顶电极，得到非晶钛酸锶薄膜器件。本发明提供的非晶钛酸锶薄膜器件的最大的创新点在器件的主体氧化物薄膜层为非晶薄膜，并且制备方法工艺简单，制备过程中对温度的要求较低，能够进行批量生产，而且制备得到的钛酸锶薄膜器件的稳定性好、耐疲劳能够循环使用，开关比大，400℃退火时开关比达到103，应用领域广泛。
-
公开(公告)号：CN107342229A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710595501.2
申请日：2017-07-20
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/24 , H01L29/861
Abstract: 本发明公开了一种非晶薄膜器件以及制作方法，所述制作方法包括：提供一基底；在所述基底上形成第一电极结构；在所述第一电极结构背离所述基底的一侧形成非晶薄膜层；在所述非晶薄膜层背离所述第一电极结构的一侧形成第二电极结构；其中，所述第一电极结构与所述第二电极结构相互接触连接。该制作方法工艺简单，且由该制作方法制作而成的非晶薄膜器件单向导电性，具有明显的二极管效应，整流效果良好。
-
公开(公告)号：CN105720194A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610144023.9
申请日：2016-03-14
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于半导体复合材料领域，公开一种用于交叉点内存阵列用的电阻开关与选择器共存器件及其制备方法和应用。本发明主要是建立在不同电极效应下的掺铌SrTiO3单晶形成的，通过引入不同的电极Ag和Au以及不同的测试方法，进而使得掺铌SrTiO3单晶上电阻开关与选择器效应共存。该器件由下到上依次包括底电极层、SrTiO3掺Nb单晶层、顶电极层，底电极层为Ag，顶电极层为Ag或Au。
-
公开(公告)号：CN108899418B
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN201810745219.2
申请日：2018-07-09
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于薄膜器件技术领域，尤其涉及一种非晶薄膜器件及其制备方法和应用。本发明非晶薄膜器件包括：基底、第一电极结构、非晶薄膜层和第二电极结构；第一电极结构设置于基底上；非晶薄膜层设置在第一电极结构背离基底的一侧；第二电极结构设置在非晶薄膜层背离第一电极结构的一侧，第一电极结构与第二电极结构相互接触连接；非晶薄膜层为SrFexTi1‑xO3非晶薄膜层，其中，x为0.05～0.5。本发明非晶薄膜器件采用SrFexTi1‑xO3非晶薄膜层，该器件具有明显的整流二极管的导电性，整流特性显著；该器件开关比大于103，电流电压循环测试达到40次时，开关比几乎没有很大变化，具有非易失性存储性；该器件的电流随时间仅有微小的波动，具有良好的稳定性和耐疲劳性。
-
公开(公告)号：CN105720194B
公开(公告)日：2018-05-15
申请号：CN201610144023.9
申请日：2016-03-14
Applicant: 广东工业大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于半导体复合材料领域，公开一种用于交叉点内存阵列用的电阻开关与选择器共存器件及其制备方法和应用。本发明主要是建立在不同电极效应下的掺铌SrTiO3单晶形成的，通过引入不同的电极Ag和Au以及不同的测试方法，进而使得掺铌SrTiO3单晶上电阻开关与选择器效应共存。该器件由下到上依次包括底电极层、SrTiO3掺Nb单晶层、顶电极层，底电极层为Ag，顶电极层为Ag或Au。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.018 seconds)
