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公开(公告)号:CN107096988B
公开(公告)日:2019-05-03
申请号:CN201710330929.4
申请日:2017-05-11
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 常州市武进区半导体照明应用技术研究院
Abstract: 一种快速制备电子封装材料Cu3Sn金属间化合物的方法,本发明属于电子封装技术领域,它要解决现有高温功率器件中获得Cu3Sn金属间化合物的耐高温材料所需的整体加热互连工艺复杂、连接时间长、施加压力大的问题。制备方法:一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗;二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏,将Cu箔放置在Sn箔表面,形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片;三、Cu/Sn/Cu结构箔片置于线圈中,在箔片的表面用重物压上,控制加热温度为240℃~530℃,钎焊时间为20s~300s,持续施加0.007MPa~0.05MPa压力进行封装。本发明能够实现小压力、耐高温的封装连接,连接时间短。
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公开(公告)号:CN104091788A
公开(公告)日:2014-10-08
申请号:CN201410212446.0
申请日:2014-05-19
Applicant: 常州市武进区半导体照明应用技术研究院
CPC classification number: H01L2224/10
Abstract: 本发明涉及一种基板和在基板上安装芯片的工艺。该基板包括:基板主体,包括其上设有焊料层的焊盘;以及安装在基板主体上的芯片,芯片具有用于连接到焊盘上的电极。其中,焊盘构造成具有大于电极的尺寸。因此,在焊料熔化后,即使出现了鼓形形状的焊点,也同样能够提供牢固的接合表面和接合力,极大地降低了焊点失效的危险。此外,由于焊盘的面积增大,使得涂覆在其上的焊料的面积也增大。因此,这种设计可以增加焊料与焊盘之间的结合力,降低由于界面恶化造成的可靠性下降的问题。另外,通过适当地选取各焊盘的大小,可以有效地避免LED芯片安装在柔性基板上之后可能出现的芯片倾斜,降低孔隙率,并且提升焊点可靠性。
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公开(公告)号:CN103682045A
公开(公告)日:2014-03-26
申请号:CN201310648590.4
申请日:2013-12-04
Applicant: 常州市武进区半导体照明应用技术研究院
CPC classification number: H01L33/005 , B29C43/36 , H01L33/483
Abstract: 本发明公开了一种LED封装杯体的加工方法及相应模具,其中所述方法包括步骤:制作一模具(1),所述模具(1)包括底座(7)和盖件(8),所述底座(7)和盖件(8)紧密配合形成内腔(9),所述内腔(9)的底面设置一个或多个凹槽(2),所述盖件(8)上设置液体注入孔(4);将柔性基板(5)放在所述内腔(9)的底面上;通过所述液体注入孔(4)向所述内腔内注入液体后密封;向所述内腔(9)内施加压力,使得所述柔性基板(5)上形成与所述凹槽(2)的形状一致的杯体(6);及取出所述柔性基板(5)并排出液体。本发明具有成本低、效率高、对柔性基板无损伤、均匀性好、且适宜用于批量生产的优点。
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公开(公告)号:CN107096988A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201710330929.4
申请日:2017-05-11
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 常州市武进区半导体照明应用技术研究院
CPC classification number: B23K20/023 , B23K13/01 , B23K28/02
Abstract: 一种快速制备电子封装材料Cu3Sn金属间化合物的方法,本发明属于电子封装技术领域,它要解决现有高温功率器件中获得Cu3Sn金属间化合物的耐高温材料所需的整体加热互连工艺复杂、连接时间长、施加压力大的问题。制备方法:一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗;二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏,将Cu箔放置在Sn箔表面,形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片;三、Cu/Sn/Cu结构箔片置于线圈中,在箔片的表面用重物压上,控制加热温度为240℃~530℃,钎焊时间为20s~300s,持续施加0.007MPa~0.05MPa压力进行封装。本发明能够实现小压力、耐高温的封装连接,连接时间短。
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公开(公告)号:CN107322178A
公开(公告)日:2017-11-07
申请号:CN201710484680.2
申请日:2017-06-23
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 常州市武进区半导体照明应用技术研究院
IPC: B23K35/26
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/0222
Abstract: 一种用于功率器件封装的复合钎料,本发明涉及一种新型复合钎料的成分设计并对新型钎料进行初选和优选,本发明要解决目前功率器件封装中应用80Au-20Sn钎料成本过高的问题,在相对较低温度可以替代80Au-20Sn,新型钎料成本比80Au-20Sn降低99.9%以上,其主要特点是比常用SAC305耐高温性能好,本钎料由0.10%~0.50%的Ag、0.10%~2.00%的Cu、0.10%~0.50%的Ni、2.00%~5.00%的Sb和余量的Sn组成,本发明以Sn-Sb合金为基体,通过添加合金元素(Cu,Ag,Ni),采用熔炼的方法制得钎料,本钎料熔点为237℃~244℃,焊接性和力学性能良好,本发明制备的复合钎料可用于表面镀金、镀镍铜盘之间的焊接。
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