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公开(公告)号：CN1142542C
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN98116655.5
申请日：1998-07-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/398 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 自旋阀磁头，包括自旋阀膜，该膜至少具有被钉扎磁层、非磁金属层和自由磁层，用于控制自由磁层磁畴的硬磁层，和用于向自旋阀膜提供传感电流的电极元件；其中，硬磁层和自由磁层被定位成在自旋阀膜厚度方向上的硬磁层的垂直投影和在自旋阀膜厚度方向上的自由磁层的垂直投影是不重叠的。根据上述结构，能够得到在自由磁层的整个表面上不产生反磁场区的单一磁畴结构，从而在自旋阀磁头输出中不产生磁滞现象。因此，能得出没有噪声的输出。
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公开(公告)号：CN1248198C
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN99816922.6
申请日：1999-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/00 , G11B5/02 , G11B5/64 , G11B2005/0002 , G11B2005/0029
Abstract: 一种能实现高密度记录的、不因热量而失稳的磁性记录介质，它通过采用这样一种磁性材料而提供，即使得在一个记录磁性层中的矫磁力随温度升高而增大。磁性记录介质是这样一种介质，其中在其中执行磁性记录的记录磁性层包括一种N型铁氧体磁体材料，并且使该N型铁氧体磁体材料的补偿温度高于在其中使用磁性记录介质的操作温度范围。
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公开(公告)号：CN1111844C
公开(公告)日：2003-06-18
申请号：CN98126099.3
申请日：1998-12-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3967 , G11B5/1871 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046
Abstract: 提供一种磁头和制造该磁头的方法，能够通过对磁极整形提高所产生的磁场强度。该制造磁头的方法包括的步骤有：形成下记录磁极和上记录磁极，对邻近上记录磁极的浮动表面的细长磁级部分和位置低于和围绕该细长磁极部分的下记录磁极的上部分利用离子磨削法进行局部修整，其中细长磁级部分的芯体宽度可以调节。
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公开(公告)号：CN1211028A
公开(公告)日：1999-03-17
申请号：CN98106025.0
申请日：1998-03-05
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 田河育也
CPC classification number: G11B5/3903 , G11B5/31 , G11B5/313 , G11B5/3133 , G11B5/3146 , G11B5/3967
Abstract: 感应元件包括在衬底上形成的U形的平表面并在其后侧区域具有凹口部分的第一磁性层、在该层上形成的第一非磁性绝缘层、在前侧区域的第一非磁性绝缘层上形成的第二磁性层、在该层上形成的第二非磁性绝缘层、在第一磁性层上方形成的线圈而部分线圈与第二非磁性绝缘层交叉、经由线圈中央缺口与第二磁性层连接并在第二非磁性绝缘层上形成的第三磁性层,以及在第三和第二磁性层之间前侧而不是线圈位置的非磁性缝隙层。
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公开(公告)号：CN1192021A
公开(公告)日：1998-09-02
申请号：CN97117633.7
申请日：1997-08-13
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 田河育也
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/1278 , G11B2005/0029
Abstract: 一种记录磁头,用于一种具有单层磁性薄膜的磁性介质,该薄膜的易于磁化的轴线处于与磁性介质的平面内方向相倾斜的方向,该磁头包含:前缘磁极,形成在沿介质运动方向的上游侧;后缘磁极,具有的一端部与前缘磁极的该端部相互配合在其间形成小的气隙,且具有的后端部以与前缘磁极接触方式固定。记录磁头还包含围绕前缘磁极和后缘磁极的接触部分绕制的绕圈。后缘磁极的端部和介质之间的距离比前缘磁极的端部和介质之间的距离大－预定的长度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1367921A
公开(公告)日：2002-09-04
申请号：CN99816922.6
申请日：1999-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/00 , G11B5/02 , G11B5/64 , G11B2005/0002 , G11B2005/0029
Abstract: 一种能实现高密度记录的、不因热量而失稳的磁性记录介质,它通过采用这样一种磁性材料而提供,即使得在一个记录磁性层中的矫磁力随温度升高而增大。磁性记录介质是这样一种介质,其中在其中执行磁性记录的记录磁性层包括一种N型铁氧体磁体材料,并且使该N型铁氧体磁体材料的补偿温度高于在其中使用磁性记录介质的操作温度范围。
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公开(公告)号：CN1240979A
公开(公告)日：2000-01-12
申请号：CN98126099.3
申请日：1998-12-28
Applicant: 富士通株式会社
CPC classification number: G11B5/3967 , G11B5/1871 , G11B5/3116 , G11B5/3163 , Y10T29/49044 , Y10T29/49046
Abstract: 提供一种磁头和制造该磁头的方法,能够通过对磁极整形提高所产生的磁场强度。该制造磁头的方法包括的步骤有:形成下记录磁极和上记录磁极,对邻近上记录磁极的浮动表面的细长磁级部分和位置低于和围绕该细长磁极部分的下记录磁极的上部分利用离子磨削法进行局部修整,其中细长磁级部分的芯体宽度可以调节。
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公开(公告)号：CN1224959C
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN02152689.3
申请日：2002-11-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/313 , G11B5/3116 , G11B5/3146
Abstract: 根据本发明，提供了一种记录磁头，适用于增大表面记录密度，并且具有大记录磁场和小记录模糊。下部磁极层和与下部磁极层相对的上部磁极层被构成，以及由多个磁层组成的下部副磁极在下部磁极层上沿媒体对向面被构成。在垂直于构成下部副磁极的各个磁层的媒体对向面方向的长度随各个磁层进一步远离上部磁极层而更长。
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公开(公告)号：CN1137465C
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN98104293.7
申请日：1998-01-22
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 田河育也
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/3967 , G11B5/3109 , G11B5/3113 , G11B5/3116 , Y10S428/90 , Y10T428/1186 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 一种磁头包括：下磁极(21)；绝缘层(23)，形成在下磁极(21)上；线圈，配置在下磁极(21)上方穿过绝缘层(23)以及上磁极(24)，上磁极具有极尖部分(24a)，相对下磁极(21)形成间隙并且该上磁极由在绝缘层(23)上由具有饱和磁通密度为Bs(T)，电阻率为ρ(μΩcm)的磁性材料构成，层厚为δ(μm)，上磁极(24)的两侧边由具有极尖部分(24a)的根部延伸形成锥角θ(度)，由此上磁极(24)可以满足(1+tgθ)δBs/≤1.0的条件。
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公开(公告)号：CN1445753A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN02152689.3
申请日：2002-11-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/31
CPC classification number: G11B5/313 , G11B5/3116 , G11B5/3146
Abstract: 根据本发明，提供了一种记录磁头，适用于增大表面记录密度，并且具有大记录磁场和小记录模糊。下部磁极层和与下部磁极层相对的上部磁极层被构成，以及由多个磁层组成的下部副磁极在下部磁极层上沿媒体对向面被构成。在垂直于构成下部副磁极的各个磁层的媒体对向面方向的长度随各个磁层进一步远离上部磁极层而更长。
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