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公开(公告)号：CN1212418A
公开(公告)日：1999-03-31
申请号：CN98104446.8
申请日：1998-02-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种制造旋转阀式GMR头的方法,该磁头的固定磁化层可使磁化方向维持在预期的方向。按照本发明的一个方面,该方法包含的步骤有:形成一磁膜,其至少包含自由磁化层、非磁性金属层、固定磁化层以及磁畴控制层;在磁场中对其进行第一热处理,增强自由磁化层的磁异向性;在磁场中和高于先前各处理过程中最大。温度下进行第二热处理,固定在固定磁化层中的磁化方向。
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公开(公告)号：CN1221170A
公开(公告)日：1999-06-30
申请号：CN98116655.5
申请日：1998-07-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/398 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 旋转阀磁头,包括旋转阀膜,该膜至少具有闭合磁层、非磁金属层和自由磁层,用于控制自由磁层磁畴的硬磁层,和用于向旋转阀膜提供传感电流的电极元件;其中,硬磁层和自由磁层被定位成在旋转阀膜厚度方向上的硬磁层的垂直投影和在旋转阀膜厚度方向上的自由磁层的垂直投影是不重迭的。根据上述结构,能够得到在自由磁层的整个表面上不产生反磁场区的单一磁畴结构,从而在旋转阀磁头输出中不产生磁滞现象。因此,能得出没有噪声的输出。
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公开(公告)号：CN1177795A
公开(公告)日：1998-04-01
申请号：CN97117481.4
申请日：1997-08-20
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 山田健一郎
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/016 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 在一种自旋阀磁阻头中,包括一个用软磁材料制成的自由磁性层,一个与自由磁性层重叠的非磁性中间层,以及一个与非磁性中间层重叠并由软磁材料制成的牵制磁性层;自由磁性层和牵制磁性层的磁化角相对于磁道软芯宽度方向被设定得使电阻－磁场曲线变为线性,从而能够改善重放输出的对称性。
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公开(公告)号：CN1164088A
公开(公告)日：1997-11-05
申请号：CN97103102.9
申请日：1997-02-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 此发明涉及到磁阻变换器、形成磁膜的方法和磁记录/重放驱动器，更具体地说，它涉及到一种磁阻变换器，借助自旋阀磁致电阻，把磁记录介质中信号磁场的变化转换成电阻率的变化，以及形成磁膜的方法和磁记录驱动器。
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公开(公告)号：CN1142542C
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN98116655.5
申请日：1998-07-29
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/012 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B5/398 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 自旋阀磁头，包括自旋阀膜，该膜至少具有被钉扎磁层、非磁金属层和自由磁层，用于控制自由磁层磁畴的硬磁层，和用于向自旋阀膜提供传感电流的电极元件；其中，硬磁层和自由磁层被定位成在自旋阀膜厚度方向上的硬磁层的垂直投影和在自旋阀膜厚度方向上的自由磁层的垂直投影是不重叠的。根据上述结构，能够得到在自由磁层的整个表面上不产生反磁场区的单一磁畴结构，从而在自旋阀磁头输出中不产生磁滞现象。因此，能得出没有噪声的输出。
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公开(公告)号：CN1213816A
公开(公告)日：1999-04-14
申请号：CN98119406.0
申请日：1998-09-30
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B2005/3996
Abstract: 一种旋转阀型磁阻头包括:一被锁定铁磁层,一非磁性中间层和一自由铁磁层。该磁阻头进一步包括用来控制自由铁磁化的偏压控制铁磁层。偏压控制层是由从NiFe、CoFe和FeN中选出的一种材料与从B、Rh、Cr和Zr中选出的至少一种添加剂构成。
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公开(公告)号：CN1095154C
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN98104446.8
申请日：1998-02-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种制造自旋阀式GMR头的方法，该磁头的固定磁化层可使磁化方向维持在预期的方向。按照本发明的一个方面，该方法包含的步骤有：形成一磁膜，其至少包含自由磁化层、非磁性金属层、固定磁化层以及磁畴控制层；在磁场中对其进行第一热处理，增强自由磁化层的磁异向性；在磁场中和高于先前各处理过程中最大。温度下进行第二热处理，固定在固定磁化层中的磁化方向。
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公开(公告)号：CN1082694C
公开(公告)日：2002-04-10
申请号：CN97117481.4
申请日：1997-08-20
Applicant: 富士通株式会社
Inventor： 山田健一郎
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/016 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种自旋阀磁电阻头，包括：一个用软磁材料制成的自由磁性层；一个重叠在所述自由磁性层上的非磁性中间层；以及一个重叠在所述非磁性中间层上并由软磁材料制成的钉扎磁性层；其中：由各向异性磁电阻效应引起的电阻变化与由所述钉扎磁性层和所述自由磁性层之间的磁化角之差造成的磁电阻效应引起的电阻变化之比小于15%。
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公开(公告)号：CN1081819C
公开(公告)日：2002-03-27
申请号：CN97103102.9
申请日：1997-02-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996 , H01F10/3268
Abstract: 一种磁电阻换能器，包括：一个多层膜，它含有顺序迭加的第一软磁性层、非磁性层、第二软磁性层和反铁磁性层，该第一软磁性层含有由(CoyFe100-y)100-xBx合金层和(CoyFe100-y)100-xCx合金层之一构成的一个合金层，其中x和y表示原子百分数(at%)，该合金层紧靠所述的非磁性层，该合金层具有面心立方晶格结构，其晶格常数小于CoyFe100-y合金的晶格常数；以及一对电极，它形成在所述的多层膜上，允许读出电流通过所述的多层膜。
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