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公开(公告)号：CN1352790A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN99816725.8
申请日：1999-07-07
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3113 , G11B5/3903 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于再现以高记录密度记录在记录介质上的信息并能抑制巴克豪森噪声产生的磁阻效应型磁头。这种磁阻效应型磁头具有一能呈现随外部磁场强度而定的电阻变化的磁阻效应元件,用于检测该磁阻效应元件的电阻幅度从而检测磁场强度。所述磁阻效应元件由一平的多层薄膜组成,其中一根据外部磁场而改变磁化方向的自由磁性层被设置在最底层。这种磁阻效应型磁头包括:一非磁性基底;一与所述自由磁性层基底一侧上的下表面中央部分相接触的绝缘层;用于引导电流通过所述磁阻效应元件的一对电极层,该对电极层被形成在将所述绝缘层插入其间且与所述自由磁性层基底一侧上的下表面的两个边缘部分接触的位置上,并且被形成为与所述绝缘层具有相同的表面高度;以及用于抑制所述自由磁性层的磁畴壁移动的一对磁畴壁控制层,该对磁畴壁控制层被形成为将所述磁阻效应元件插入其间而伸展。
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公开(公告)号：CN1268733A
公开(公告)日：2000-10-04
申请号：CN00101159.6
申请日：2000-01-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/00
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/012 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , Y10T29/49034
Abstract: 一种旋转阀磁阻传感器,包括:自由层(2);被栓接层(4),提供在自由层(2)上;及栓接层(5),提供在被栓接层(4)上。被栓接层(4)包括:铁磁性材料的第一被栓接层(4c);铁磁性材料的第二被栓接层(4a),提供在第一被栓接层(4c)上;及中间层(4b),插入在第一与第二被栓接层(4c、4a)之间,从而第一和第二被栓接层(4c、4a)以反向平行方式建立超交换相互作用。第二被栓接层(4a)具有比所述第一被栓接层(4c)的磁矩小的磁矩。
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公开(公告)号：CN1271600C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN99816724.X
申请日：1999-07-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种自旋阀磁电阻效应磁头，其中自由磁层的端部对外磁场不灵敏，从而提高了灵敏度。自旋阀磁电阻效应磁头具有多层结构，包括至少在端侧的第一反铁磁层，软磁层，反平行耦合中间层和第一自由磁层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1095154C
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN98104446.8
申请日：1998-02-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种制造自旋阀式GMR头的方法，该磁头的固定磁化层可使磁化方向维持在预期的方向。按照本发明的一个方面，该方法包含的步骤有：形成一磁膜，其至少包含自由磁化层、非磁性金属层、固定磁化层以及磁畴控制层；在磁场中对其进行第一热处理，增强自由磁化层的磁异向性；在磁场中和高于先前各处理过程中最大。温度下进行第二热处理，固定在固定磁化层中的磁化方向。
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公开(公告)号：CN1352789A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN99816724.X
申请日：1999-07-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种自旋阀磁阻效应磁头,其中自由磁层的端部对外磁场不灵敏,从而提高了灵敏度。自旋阀磁阻效应磁头具有多层结构,包括至少在端侧的第一反铁磁层,软磁层,反平行耦合中间过渡层和第一自由磁层。
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公开(公告)号：CN1129116C
公开(公告)日：2003-11-26
申请号：CN99816725.8
申请日：1999-07-07
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3113 , G11B5/3903 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于再现以高记录密度记录在记录介质上的信息并能抑制巴克豪森噪声产生的磁阻效应型磁头。这种磁阻效应型磁头具有一能呈现随外部磁场强度而定的电阻变化的磁阻效应元件，用于检测该磁阻效应元件的电阻幅度从而检测磁场强度。所述磁阻效应元件由一平的多层薄膜组成，其中一根据外部磁场而改变磁化方向的自由磁性层被设置在最底层。这种磁阻效应型磁头包括：一非磁性基底；一与所述自由磁性层基底一侧上的下表面中央部分相接触的绝缘层；用于引导电流通过所述磁阻效应元件的一对电极层，该对电极层被形成在将所述绝缘层插入其间且与所述自由磁性层基底一侧上的下表面的两个边缘部分接触的位置上，并且被形成为与所述绝缘层具有相同的表面高度；以及用于抑制所述自由磁性层的磁畴壁移动的一对磁畴壁控制层，该对磁畴壁控制层被形成为将所述磁阻效应元件插入其间而伸展。
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公开(公告)号：CN1352791A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN99816769.X
申请日：1999-07-05
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供一种使用硬铁磁层的自旋阀磁阻磁头和使用所述磁头的磁记录介质驱动装置。所述自旋阀磁阻磁头包括至少一自由磁层,一非磁的金属层,一被钉扎磁层,一反平行的耦合中间层和一硬铁磁层,其中所述被钉扎磁层的磁方向和所述硬铁磁层的磁方向通过所述反平行耦合中间层作到基本上反平行。所述磁记录介质驱动装置使用这种磁头。
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公开(公告)号：CN1212418A
公开(公告)日：1999-03-31
申请号：CN98104446.8
申请日：1998-02-13
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , G11B5/3967 , G11B2005/3996
Abstract: 一种制造旋转阀式GMR头的方法,该磁头的固定磁化层可使磁化方向维持在预期的方向。按照本发明的一个方面,该方法包含的步骤有:形成一磁膜,其至少包含自由磁化层、非磁性金属层、固定磁化层以及磁畴控制层;在磁场中对其进行第一热处理,增强自由磁化层的磁异向性;在磁场中和高于先前各处理过程中最大。温度下进行第二热处理,固定在固定磁化层中的磁化方向。
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