公开(公告)号：CN1111844C

公开(公告)日：2003-06-18

申请号：CN98126099.3

申请日：1998-12-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大冢善德 ,  田河育也 ,  池川幸德 ,  沓泽智子 ,  上原祐二 ,  长谷川实

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/1871 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046

Abstract: 提供一种磁头和制造该磁头的方法，能够通过对磁极整形提高所产生的磁场强度。该制造磁头的方法包括的步骤有：形成下记录磁极和上记录磁极，对邻近上记录磁极的浮动表面的细长磁级部分和位置低于和围绕该细长磁极部分的下记录磁极的上部分利用离子磨削法进行局部修整，其中细长磁级部分的芯体宽度可以调节。

公开(公告)号：CN1073253C

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN96117270.3

申请日：1996-12-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大冢善德 ,  户田顺三

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/39

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/127 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3163

Abstract: 一种用于在磁盘驱动器或磁带驱动器中读/写磁信号的薄膜感应式磁头，它包括：两个由一磁层和另一磁层形成的磁芯，所述两个磁芯使导电线圈沿铅垂方向位于其间，所述一磁层的前端部的两侧表面比所述一磁层的其余部分具有更高的饱和磁通密度，所述另一磁层的前端部的两侧表面和所述另一磁层的与所述一磁层相对的前端部，比所述另一磁层的其余部分具有更高的饱和磁通密度。

公开(公告)号：CN1240979A

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN98126099.3

申请日：1998-12-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大冢善德 ,  田河育也 ,  池川幸德 ,  沓泽智子 ,  上原祐二 ,  长谷川实

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/1871 ,  G11B5/3116 ,  G11B5/3163 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046

Abstract: 提供一种磁头和制造该磁头的方法,能够通过对磁极整形提高所产生的磁场强度。该制造磁头的方法包括的步骤有:形成下记录磁极和上记录磁极,对邻近上记录磁极的浮动表面的细长磁级部分和位置低于和围绕该细长磁极部分的下记录磁极的上部分利用离子磨削法进行局部修整,其中细长磁级部分的芯体宽度可以调节。

公开(公告)号：CN1164087A

公开(公告)日：1997-11-05

申请号：CN96117270.3

申请日：1996-12-06

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 大冢善德 ,  户田顺三

IPC: G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/127 ,  G11B5/3103 ,  G11B5/3146 ,  G11B5/3163

Abstract: 一种薄膜感应式磁头，用于在磁盘驱动器或磁带机中读写磁信号，上述磁头包括两个由相应的两个磁层分别形成的磁芯，所述两个磁层使导电线圈沿铅垂方向位于其间，所述两磁层的前端部经一间隔层相互对置，所述一磁层的前端部的一部分比所述一磁层的其余部分具有更高的饱和磁通密度。