公开(公告)号：CN1897245A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200510118486.X

申请日：2005-10-28

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小浦由美子 ,  北田秀树 ,  小泽清

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/522 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76858 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2221/1089 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及具有铜或铜合金制成的插塞与布线的改进的防铜扩散功能的半导体器件及其制造方法，其中该方法包括下述步骤：(a)在形成于半导体衬底上的含氧绝缘体的表面上形成铜合金膜，该铜合金膜包含除铜之外的至少两种金属元素。(b)在该铜合金膜上形成由纯铜或铜合金制成的金属膜。(c)在步骤(a)或(b)之后，通过该绝缘体中的氧与该铜合金膜中的金属元素之间的反应在该绝缘体的表面上形成金属氧化膜的条件下，执行热处理。

公开(公告)号：CN1722428A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510082239.9

申请日：2005-07-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小浦由美子 ,  北田秀树

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/288

Abstract: 本发明提供一种具有铜布线的半导体器件及其制造方法。在基础衬底上方形成由绝缘材料制成的第一层间绝缘膜。贯穿该第一层间绝缘膜形成通孔。在该通孔中填充由铜或主要含有铜的合金制成的导电塞。在该第一层间绝缘膜上方形成由绝缘材料制成的第二层间绝缘膜。在该第二层间绝缘膜中形成布线槽，该布线槽经过该导电塞并露出该导电塞的上表面。在该布线槽中填充由铜或主要含有铜的合金制成的布线。该导电塞中碳、氧、氮、硫及氯的总原子浓度低于该布线中碳、氧、氮、硫及氯的总原子浓度。

公开(公告)号：CN100420008C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200510082239.9

申请日：2005-07-01

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小浦由美子 ,  北田秀树

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/288

Abstract: 本发明提供一种具有铜布线的半导体器件及其制造方法。在基础衬底上方形成由绝缘材料制成的第一层间绝缘膜。贯穿该第一层间绝缘膜形成通孔。在该通孔中填充由铜或主要含有铜的合金制成的导电塞。在该第一层间绝缘膜上方形成由绝缘材料制成的第二层间绝缘膜。在该第二层间绝缘膜中形成布线槽，该布线槽经过该导电塞并露出该导电塞的上表面。在该布线槽中填充由铜或主要含有铜的合金制成的布线。其中由铜或者主要含有铜的合金构成的该导电塞和该布线包括碳、氧、氮、硫及氯。该导电塞中碳、氧、氮、硫及氯的总原子浓度低于该布线中碳、氧、氮、硫及氯的总原子浓度。