公开(公告)号：CN1218368C

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN02107681.2

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 新城嘉昭 ,  下别府祐三 ,  手代木和雄 ,  吉本和浩 ,  吉田英治 ,  早坂昇 ,  渡部光久

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件制造方法，该方法包括：背面研磨步骤，研磨半导体衬底的背面；切片步骤，在背面研磨步骤之后，沿预定切片线切割半导体衬底以制造半导体器件片；以及激光辐照步骤，完成背面研磨步骤后，在半导体衬底的背面辐照激光以消除由背面研磨步骤产生的研磨痕迹。

公开(公告)号：CN1412831A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02129869.6

申请日：2002-08-20

Applicant: 富士通株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 下别府祐三 ,  手代木和雄 ,  吉本和浩 ,  渡部光久 ,  新城嘉昭 ,  森俊 ,  矢嶋兴一 ,  木村祐辅

IPC: H01L21/68

CPC classification number: B24B37/30

Abstract: 一种板状物支撑部件及其使用方法，即使是通过研磨变薄的刚性降低的板状物，也可以不变更研磨装置的构造而顺畅地进行在研磨装置内的搬送及向盒内的收纳。使用至少由支撑板状物的板状物支撑区域11、固定机架15的机架固定区域13构成的板状物支撑部件10，通过保护胶带16支撑与机架15成为一体的板状物W，在将其吸引保持在研磨装置的卡盘台25上进行研磨的同时，在研磨装置内的半导体晶片的搬送以及向盒内的收纳也以通过板状物支撑部件10被支撑的状态进行。

公开(公告)号：CN1284219C

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN02129869.6

申请日：2002-08-20

Applicant: 富士通株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 下别府祐三 ,  手代木和雄 ,  吉本和浩 ,  渡部光久 ,  新城嘉昭 ,  森俊 ,  矢嵨兴一 ,  木村祐辅

IPC: H01L21/68

CPC classification number: B24B37/30

Abstract: 一种板状物支撑部件及其使用方法，即使是通过研磨变薄的刚性降低的板状物，也可以不变更研磨装置的构造而顺畅地进行在研磨装置内的搬送及向盒内的收纳。使用至少由支撑板状物的板状物支撑区域11、固定机架15的机架固定区域13构成的板状物支撑部件10，通过保护胶带16支撑与机架15成为一体的板状物W，在将其吸引保持在研磨装置的卡盘台25上进行研磨的同时，在研磨装置内的半导体晶片的搬送以及向盒内的收纳也以通过板状物支撑部件10被支撑的状态进行。

公开(公告)号：CN1198327C

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN02105976.4

申请日：2002-04-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 手代木和雄 ,  下别府祐三 ,  吉本和浩 ,  渡部光久 ,  新城嘉昭 ,  吉田英治 ,  早坂昇

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B24B37/042 ,  B32B37/003 ,  B32B37/1018 ,  B32B38/0012 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/07802 ,  Y10T29/5313 ,  Y10T29/53191 ,  Y10T428/1452 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体衬底的制造方法以及用于这种方法中的半导体衬底夹具，所述制造方法包含晶片的背研磨步骤、划片步骤、拾取步骤和芯片键合步骤；本发明的目的是减轻影响，防止由于减薄的半导体衬底缺乏强度而导致的损害。提供一种夹具，具有外框21、橡胶膜22，橡胶膜22设置在外框21内，且通过向其内供应气体而使其变形的同时，增加和减小体积大小。当橡胶膜22的体积增加时，晶片固定夹具20使橡胶膜变形，并且使设置在晶片1和橡胶膜22A之间的带2和6被从中心向外逐渐推向晶片1。利用这样晶片固定夹具进行附着步骤、背研磨步骤、带的再施加步骤、拾取步骤和芯片键合步骤。

公开(公告)号：CN1412830A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02105976.4

申请日：2002-04-12

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 手代木和雄 ,  下别府祐三 ,  吉本和浩 ,  渡部光久 ,  新城嘉昭 ,  吉田英治 ,  早坂昇

IPC: H01L21/68 ,  H01L21/304 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/67092 ,  B24B37/042 ,  B32B37/003 ,  B32B37/1018 ,  B32B38/0012 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/78 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/07802 ,  Y10T29/5313 ,  Y10T29/53191 ,  Y10T428/1452 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体衬底的制造方法以及用于这种方法中的半导体衬底夹具，所述制造方法包含晶片的背研磨步骤、划片步骤、拾取步骤和芯片键合步骤；本发明的目的是减轻影响，防止由于减薄的半导体衬底缺乏强度而导致的损害。提供一种夹具，具有外框21、橡胶膜22，橡胶膜22设置在外框21内，且通过向其内供应气体而使其变形的同时，增加和减小体积大小。当橡胶膜22的体积增加时，晶片固定夹具20使橡胶膜变形，并且使设置在晶片1和橡胶膜22A之间的带2和6被从中心向外逐渐推向晶片1。利用这样晶片固定夹具进行附着步骤、背研磨步骤、带的再施加步骤、拾取步骤和芯片键合步骤。

公开(公告)号：CN1412822A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02107681.2

申请日：2002-03-29

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 新城嘉昭 ,  下别府祐三 ,  手代木和雄 ,  吉本和浩 ,  吉田英治 ,  早坂昇 ,  渡部光久

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/324

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件制造方法，该方法包括：背面研磨步骤，研磨半导体衬底的背面；切片步骤，在背面研磨步骤之后，沿预定切片线切割半导体衬底以制造半导体器件片；以及激光辐照步骤，完成背面研磨步骤后，在半导体衬底的背面辐照激光以消除由背面研磨步骤产生的研磨痕迹。