EUV光用感光性组合物、图案形成方法及电子器件的制造方法

    公开(公告)号:CN113574079A

    公开(公告)日:2021-10-29

    申请号:CN202080021545.4

    申请日:2020-03-09

    Inventor: 崎田享平

    Abstract: 本发明提供一种能够形成桥接缺陷抑制性及残膜区域中的膜减少抑制性优异的图案的EUV光用感光性组合物。并且,提供一种图案形成方法及电子器件的制造方法。EUV光用感光性组合物包含树脂X及光产酸剂,所述树脂X由于酸的作用而极性增加,在碱显影液中的溶解度增加,在有机溶剂中的溶解度减少,或者包含树脂Y,所述树脂Y包含具有光酸产生基团的重复单元,且由于酸的作用而极性增加,在碱显影液中的溶解度增加,在有机溶剂中的溶解度减少,并且均满足必要条件1及必要条件2。

    负型感光性树脂组合物、固化物、层叠体、固化物的制造方法及半导体器件

    公开(公告)号:CN117099045A

    公开(公告)日:2023-11-21

    申请号:CN202280023407.9

    申请日:2022-03-18

    Abstract: 本发明提供一种负型感光性树脂组合物、固化上述负型感光性树脂组合物而成的固化物、包含上述固化物的层叠体、上述固化物的制造方法及包含上述固化物或上述层叠体的半导体器件,上述负型感光性树脂组合物包含树脂、借由曝光而该曝光波长的吸光度变小的化合物A及光聚合引发剂,上述负型感光性树脂组合物满足下述条件i及条件ii中的至少一者。条件i:组合物还含有含氮环状化合物作为与上述树脂、上述萘醌二叠氮化合物及上述光聚合引发剂不同的成分。条件ii:包含具有含氮杂环结构的树脂作为上述树脂,上述含氮杂环结构包含2个以上的氮原子作为成环原子。

    固化物的制造方法、层叠体的制造方法及半导体器件的制造方法

    公开(公告)号:CN116075777A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202180054914.4

    申请日:2021-08-24

    Abstract: 本发明提供一种即使在低温下进行固化的情况下也可以获得断裂伸长率优异的固化物的固化物的制造方法、包括上述固化物的制造方法的层叠体的制造方法及包括上述固化物的制造方法或上述层叠体的制造方法的半导体器件的制造方法。固化物的制造方法、包括上述固化物的制造方法的层叠体的制造方法及包括上述固化物的制造方法或上述层叠体的制造方法的半导体器件的制造方法包括:膜形成工序,将特定的感光性树脂组合物适用于基材上而形成膜;曝光工序;显影工序;处理工序,使包含选自碱及产碱剂中的至少1种化合物的含碱处理液与上述图案接触;以及加热工序,上述含碱处理液中的水的含量为50质量%以下。

    EUV光用感光性组合物、图案形成方法及电子器件的制造方法

    公开(公告)号:CN113574079B

    公开(公告)日:2023-04-11

    申请号:CN202080021545.4

    申请日:2020-03-09

    Inventor: 崎田享平

    Abstract: 本发明提供一种能够形成桥接缺陷抑制性及残膜区域中的膜减少抑制性优异的图案的EUV光用感光性组合物。并且,提供一种图案形成方法及电子器件的制造方法。EUV光用感光性组合物包含树脂X及光产酸剂,所述树脂X由于酸的作用而极性增加,在碱显影液中的溶解度增加,在有机溶剂中的溶解度减少,或者包含树脂Y,所述树脂Y包含具有光酸产生基团的重复单元,且由于酸的作用而极性增加,在碱显影液中的溶解度增加,在有机溶剂中的溶解度减少,并且均满足必要条件1及必要条件2。

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