公开(公告)号：CN118399195A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202311406979.8

申请日：2023-10-27

Applicant: 富士胶片商业创新有限公司 ,  富士胶片株式会社

Inventor： 关田直也 ,  皆见健史 ,  岩根优人 ,  水野晃雅 ,  武田一隆 ,  向井厚史

IPC: H01S5/183 ,  H01S5/065

Abstract: 提供面发射半导体激光器及其制造方法、光传输装置，该面发射半导体激光器具备：基板；及结构体，包含形成于所述基板上的第1导电型第1多层膜反射镜、形成于所述第1多层膜反射镜上的活性层及形成于所述活性层上且包含电流狭窄层的第2导电型第2多层膜反射镜，所述结构体中，形成于所述电流狭窄层并且表示未被氧化狭窄的部分的孔部的形状为没有线对称或点对称的部分的形状。

公开(公告)号：CN101324685B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200810094938.9

申请日：2008-04-30

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 向井厚史 ,  园田慎一郎

IPC: G02B6/42

CPC classification number: G02B6/4206 ,  G02B6/4296 ,  G03F7/70025 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70925

Abstract: 本发明提供了一种能够抑制光输出衰减的光学器件和曝光装置。本发明的光学器件包括发射具有短波长(例如，160到500nm)的激光的激光光源、透镜、透明构件和设置有接合抑制膜的光纤。该光学器件被构造成使得透明构件与形成有接合抑制膜的光纤之间的邻接面的光密度为4464W/mm2或更小，由此抑制由熔融导致的光输出的衰减。

公开(公告)号：CN101059587B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200710100876.3

申请日：2007-04-20

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 向井厚史 ,  后藤千秋

IPC: G02B6/42 ,  G03B27/00

Abstract: 本发明提供一种光学设备，其低成本地抑制异物的附着，进而防止在高功率密度范围内的光纤的热粘结，使光源的可靠性提高。光纤(1)具备光源(LD)；聚光透镜(3)，其将从光源(LD)发出的光束(B)聚光；电介体块(4)，其设置在通过聚光透镜(3)后的光束(B)的光程上；光纤(30)，其以使通过电介体块(4)的光束(B)由入射端面(30A)的芯(5)入射的方式设置。至少芯(5)的入射端面(5a)位于远离所述电介体块(4)的射出端面(4b)的位置，通过将光纤(30)的入射端面(30A)的包围芯(5)的入射端面(5a)的部分按压在电介体块(4)，形成包围芯(5)的入射端面(5a)的密闭空间(SA)。

公开(公告)号：CN101324685A

公开(公告)日：2008-12-17

申请号：CN200810094938.9

申请日：2008-04-30

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 向井厚史 ,  园田慎一郎

IPC: G02B6/42

CPC classification number: G02B6/4206 ,  G02B6/4296 ,  G03F7/70025 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70916 ,  G03F7/70925

Abstract: 本发明提供了一种能够抑制光输出衰减的光学器件和曝光装置。本发明的光学器件包括发射具有短波长(例如，160到500nm)的激光的激光光源、透镜、透明构件和设置有接合抑制膜的光纤。该光学器件被构造成使得透明构件与形成有接合抑制膜的光纤之间的邻接面的光密度为4464W/mm2或更小，由此抑制由熔融导致的光输出的衰减。

公开(公告)号：CN101059587A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200710100876.3

申请日：2007-04-20

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 向井厚史 ,  后藤千秋

IPC: G02B6/42 ,  G03B27/00

Abstract: 本发明提供一种光学设备，其低成本地抑制异物的附着，进而防止在高功率密度范围内的光纤的热粘结，使光源的可靠性提高。光纤(1)具备光源(LD)；聚光透镜(3)，其将从光源(LD)发出的光束(B)聚光；电介体块(4)，其设置在通过聚光透镜(3)后的光束(B)的光程上；光纤(30)，其以使通过电介体块(4)的光束(B)由入射端面(30A)的芯(5)入射的方式设置。至少芯(5)的入射端面(5a)位于远离所述电介体块(4)的射出端面(4b)的位置，通过将光纤(30)的入射端面(30A)的包围芯(5)的入射端面(5a)的部分按压在电介体块(4)，形成包围芯(5)的入射端面(5a)的密闭空间(SA)。

公开(公告)号：CN106132691A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201580013441.8

申请日：2015-01-23

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 中村诚吾 ,  望月佳彦 ,  向井厚史

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42 ,  C23C16/505

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种阻气膜及阻气膜的制造方法。本发明的阻气膜为包含基材膜及无机层的阻气膜，其中，无机层含有Si、N、H及O，在膜厚方向中央部中，以大于5nm的膜厚包含Si、N、H及O的比均匀且O的比率较低的均匀区域，与任意一个以上的界面接触的区域为由O比率：(O的数量/Si、N及O的总数)×100％表示的O比率从均匀区域侧向界面方向增加，且O比率的每单位膜厚的变化量为2％/nm～8％/nm的含氧区域。阻气膜的制造方法包含通过等离子体CVD法形成无机层，且包含调整供给用于形成等离子体的功率从0kW达到最大值的时间及从供给高频率的功率的最大值达到0kW的时间。

公开(公告)号：CN102754218A

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN201180008733.4

申请日：2011-02-02

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 佐藤圭吾 ,  中山龙一 ,  祐谷重德 ,  向井厚史 ,  铃木信也 ,  宫下阳太

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0392 ,  C25D11/04 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/18 ,  H01L31/03926 ,  H05K1/053 ,  H05K2201/0116 ,  H05K2203/0315 ,  Y02E10/50 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T428/12479

Abstract: 一种具有绝缘层的金属基板，其包括至少具有铝基底的金属基板和形成在所述金属基板的所述铝基底上的绝缘层。绝缘层是铝的多孔型阳极氧化膜。阳极氧化膜包括阻挡层部分和多孔层部分，并且至少多孔层部分在室温具有压缩应变。应变的大小在0.005％至0.25％的范围内。阳极氧化膜具有3微米至20微米的厚度。

公开(公告)号：CN101059588B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200710101011.9

申请日：2007-04-23

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 向井厚史 ,  后藤千秋 ,  园田慎一郎

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/36 ,  G02B6/26

Abstract: 本发明提供一种光学设备，其抑制异物的附着，进而防止在高功率密度范围内的光纤的热粘结，使光源的可靠性提高。光纤(1)具备光源LD；聚光透镜(3)，其将从光源LD发出的光束B聚光；电介体块(4)，其设置在通过聚光透镜(3)后的光束B的光程上；光纤(30)，其以使通过电介体块(4)的光束(B)由入射端面(30A)的芯(5)入射的方式设置。通过将光纤(30)的入射端面(30a)经由具有包围所述光纤(30)入射端面(30a)的芯(5)的孔的层(8)按压在电介体块(4)的射出端面(4b)，形成包围芯(5)的入射端面(5a)的密闭空间(SA)。

公开(公告)号：CN106132691B

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201580013441.8

申请日：2015-01-23

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 中村诚吾 ,  望月佳彦 ,  向井厚史

IPC: B32B9/00 ,  C23C16/42 ,  C23C16/505

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/505

Abstract: 本发明涉及一种阻气膜及阻气膜的制造方法。本发明的阻气膜为包含基材膜及无机层的阻气膜，其中，无机层含有Si、N、H及O，在膜厚方向中央部中，以大于5nm的膜厚包含Si、N、H及O的比均匀且O的比率较低的均匀区域，与任意一个以上的界面接触的区域为由O比率：(O的数量/Si、N及O的总数)×100％表示的O比率从均匀区域侧向界面方向增加，且O比率的每单位膜厚的变化量为2％/nm～8％/nm的含氧区域。阻气膜的制造方法包含通过等离子体CVD法形成无机层，且包含调整供给用于形成等离子体的功率从0kW达到最大值的时间及从供给高频率的功率的最大值达到0kW的时间。

公开(公告)号：CN104661814B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201380050438.4

申请日：2013-09-25

Applicant: 富士胶片株式会社

Inventor： 向井厚史

IPC: B32B27/00 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/04

CPC classification number: H01L31/03928 ,  B32B3/02 ,  B32B3/08 ,  B32B7/12 ,  B32B15/08 ,  B32B15/20 ,  B32B27/32 ,  B32B27/36 ,  B32B27/365 ,  B32B2255/20 ,  B32B2255/26 ,  B32B2307/206 ,  B32B2307/412 ,  B32B2307/56 ,  B32B2307/7246 ,  B32B2457/00 ,  B32B2457/12 ,  H01L31/03926 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0749 ,  H01L51/5246 ,  Y02E10/50

Abstract: 电子模块具有：电子器件，其在不透过水蒸气的挠性基板上设有电子元件；周缘密封件，其在电子器件的挠性基板的周缘处设置；以及水蒸气阻挡膜，其以堵塞由周缘密封件包围的区域的方式设置。周缘密封件在扩散系数的2倍的平方根设为K时，以下。水蒸气阻挡膜是在由透明树脂形成的支承体上至少形成有一层以上的无机层的构件，且支承体配置于周缘密封件侧。