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公开(公告)号：CN103460395A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016558.8
申请日：2012-04-04
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02008 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/18 , C25D11/24 , C25D11/246 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10T428/12458 , Y10T428/12632
Abstract: 附有绝缘层的金属基板对于光电转换半导体层可以有效率地扩散碱金属离子，而可以提高光电转换组件的光电转换效率。附有绝缘层的金属基板包括至少单面具有金属铝(11)的金属基板以及由多孔氧化铝膜(20)与碱金属硅酸盐膜(30)所形成的复合构造层(90)，多孔氧化铝膜(20)在金属铝(11)上藉由阳极氧化所形成，碱金属硅酸盐膜(30)披覆多孔氧化铝膜(20)的细孔表面。在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与金属铝(11)的界面厚度1μm的位置以及在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与位于金属铝(11)的相反侧的上部层的界面1μm的位置之间的区域内的任意位置中，复合构造层(90)中硅相对于铝的质量比为0.001以上、0.2以下。
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公开(公告)号：CN102194764A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201110035053.3
申请日：2011-02-09
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置在基板(2)和半导体元件(3)之间设置有由硅树脂形成的多孔结构体层(4)。作为另一种选择，在半导体装置(21)的基板(22)和半导体元件(23)之间设置有由下述化合物形成的密度为0.7g/cm3以下的多孔层(24)，所述化合物通过对选自由单烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷和三烷氧基硅烷组成的组的至少一种烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷进行水解和缩合得到。作为再一种选择，在树脂基板(32)上设置通过水解和缩合烷氧基硅烷获得的化合物所形成的附着层(33)，并且在附着层(33)上设置通过水解和缩合烷氧基硅烷获得的化合物所形成的密度为0.7g/cm3以下的多孔层(34)。
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公开(公告)号：CN103460395B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201280016558.8
申请日：2012-04-04
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/02008 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/18 , C25D11/24 , C25D11/246 , H01L31/0392 , H01L31/03923 , H01L31/03925 , Y02E10/541 , Y02P70/521 , Y10T428/12458 , Y10T428/12632
Abstract: 本发明涉及附有绝缘层的金属基板及其制造方法以及半导体装置。附有绝缘层的金属基板对于光电转换半导体层可以有效率地扩散碱金属离子，而可以提高光电转换组件的光电转换效率。附有绝缘层的金属基板包括至少单面具有金属铝(11)的金属基板以及由多孔氧化铝膜(20)与碱金属硅酸盐膜(30)所形成的复合构造层(90)，多孔氧化铝膜(20)在金属铝(11)上藉由阳极氧化所形成，碱金属硅酸盐膜(30)披覆多孔氧化铝膜(20)的细孔表面。在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与金属铝(11)的界面厚度1μm的位置以及在复合构造层(90)侧自复合构造层(90)与位于金属铝(11)的相反侧的上部层的界面厚度1μm的位置之间的区域内的任意位置中，复合构造层(90)中硅相对于铝的质量比为0.001以上、0.2以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102754218B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201180008733.4
申请日：2011-02-02
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/04 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/0392 , C25D11/04 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/18 , H01L31/03926 , H05K1/053 , H05K2201/0116 , H05K2203/0315 , Y02E10/50 , Y10T29/49155 , Y10T428/12479
Abstract: 一种具有绝缘层的金属基板，其包括至少具有铝基底的金属基板和形成在所述金属基板的所述铝基底上的绝缘层。绝缘层是铝的多孔型阳极氧化膜。阳极氧化膜包括阻挡层部分和多孔层部分，并且至少多孔层部分在室温具有压缩应变。应变的大小在0.005％至0.25％的范围内。阳极氧化膜具有3微米至20微米的厚度。
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公开(公告)号：CN102194764B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201110035053.3
申请日：2011-02-09
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置在基板(2)和半导体元件(3)之间设置有由硅树脂形成的多孔结构体层(4)。作为另一种选择，在半导体装置(21)的基板(22)和半导体元件(23)之间设置有由下述化合物形成的密度为0.7g/cm3以下的多孔层(24)，所述化合物通过对选自由单烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷和三烷氧基硅烷组成的组的至少一种烷氧基硅烷和四烷氧基硅烷进行水解和缩合得到。作为再一种选择，在树脂基板(32)上设置通过水解和缩合烷氧基硅烷获得的化合物所形成的附着层(33)，并且在附着层(33)上设置通过水解和缩合烷氧基硅烷获得的化合物所形成的密度为0.7g/cm3以下的多孔层(34)。
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公开(公告)号：CN102770965A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201180006683.6
申请日：2011-01-18
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0392 , H01L31/022441 , H01L31/0322 , H01L31/0323 , H01L31/03923 , H01L31/046 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供模块型太阳能电池，其中将具有由化合物半导体构成的光吸收层的薄膜太阳能电池串联连接在单个基板上。所述基板包含由铁素体不锈钢构成的基底，形成在所述基底的至少一个表面上的铝层，以及通过阳极氧化所述铝层的表面获得的具有多孔结构的绝缘层。所述绝缘层在室温展现压缩应力。
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公开(公告)号：CN103608492A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280029287.X
申请日：2012-06-13
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C25D11/04 , C25D7/0614 , C25D11/005 , C25D11/022 , C25D11/045
Abstract: 一种阳极氧化装置具有：电源滚筒，其以与其紧密接触的方式支撑带状物，所述带状物由可阳极氧化金属组成或由复合导电金属箔组成，复合导电金属箔是至少在其一个侧表面上可阳极氧化的金属且具有以导电材料配置的至少一部分，带状物紧密附接到所述部分；相对电极，其面朝电源滚筒而提供；电解槽，其由电解质填充，以紧密接触的方式支撑带状物的电源滚筒的部分和相对电极浸没到电解质中；保护部件，其由非导电材料形成，藉此带状物中被电源滚筒以与其紧密接触的方式支撑的横向端部以及电源滚筒的带状物件未紧密附接到的部分被覆盖且受保护而免于电解质的影响；以及驱动单元，其用于使紧密附接到电源滚筒的带状物件和保护部件与电源滚筒的圆周速度同步在电解质中同时行进。施加到缠绕在电源滚筒上的带状物的每单位宽度的张力由T(N/m)表示且电源滚筒的半径由R(m)表示，那么施加到被迫在电解质中同时行进的带状物的每单位宽度的张力(T)的值为1000x R或更大。
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公开(公告)号：CN102754218A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201180008733.4
申请日：2011-02-02
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/0392 , C25D11/04 , C25D11/08 , C25D11/10 , C25D11/18 , H01L31/03926 , H05K1/053 , H05K2201/0116 , H05K2203/0315 , Y02E10/50 , Y10T29/49155 , Y10T428/12479
Abstract: 一种具有绝缘层的金属基板，其包括至少具有铝基底的金属基板和形成在所述金属基板的所述铝基底上的绝缘层。绝缘层是铝的多孔型阳极氧化膜。阳极氧化膜包括阻挡层部分和多孔层部分，并且至少多孔层部分在室温具有压缩应变。应变的大小在0.005％至0.25％的范围内。阳极氧化膜具有3微米至20微米的厚度。
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