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公开(公告)号：CN113543968B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202080019015.6
申请日：2020-03-25
Applicant: 富士胶片株式会社
Inventor： 望月佳彦
Abstract: 本发明的课题是提供一种功能性膜及其制造方法，所述功能性膜不需要层叠保护膜、通过涂布而形成保护层以及贴附保护层，并且耐湿热性也高。本发明的功能性膜通过如下方式而解决课题：具有支撑体、无机层及由树脂膜组成的保护层，无机层与保护层直接接合，当红外吸收光谱中的2800～2900cm‑1范围的最大峰值为A，2900～3000cm‑1范围的最大峰值为B，并将峰值B的强度除以峰值A的强度的强度比设为B/A时，保护层在无机层侧的表面的强度比B/A为相反侧的表面的1.04倍以上。
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公开(公告)号：CN110431004A
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201880018904.3
申请日：2018-03-14
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题在于提供一种阻气性及透明性优异的阻气膜及用于制造该阻气膜的成膜方法。阻气膜具有支撑体及无机层，所述无机层含有硅及氢、以及氧、氮及碳中的1个以上，无机层的区域X的氢原子浓度为10～45原子％，区域Y的氢原子浓度为5～35原子％，并且，区域X的氢原子浓度更低，支撑体的IR光谱的3000～3500cm-1/2700～3000cm-1的强度比以无机层形成侧的表面/相反侧的表面的比计为1～7。成膜方法为如下方法，即，依次对无机层成膜之前的支撑体进行加热，通过至少2个成膜单元，使无机层通过添加氢成膜，并在成膜有无机层的基材上成膜无机层。
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公开(公告)号：CN106132691B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201580013441.8
申请日：2015-01-23
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B32B9/00 , C23C16/42 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种阻气膜及阻气膜的制造方法。本发明的阻气膜为包含基材膜及无机层的阻气膜，其中，无机层含有Si、N、H及O，在膜厚方向中央部中，以大于5nm的膜厚包含Si、N、H及O的比均匀且O的比率较低的均匀区域，与任意一个以上的界面接触的区域为由O比率：(O的数量/Si、N及O的总数)×100％表示的O比率从均匀区域侧向界面方向增加，且O比率的每单位膜厚的变化量为2％/nm～8％/nm的含氧区域。阻气膜的制造方法包含通过等离子体CVD法形成无机层，且包含调整供给用于形成等离子体的功率从0kW达到最大值的时间及从供给高频率的功率的最大值达到0kW的时间。
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公开(公告)号：CN104203562B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201380017055.7
申请日：2013-02-19
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/0272 , C23C16/50 , C23C16/509 , C23C16/545 , Y10T428/24975
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高阻气性、且透明性、耐久性、及柔软性亦优异的阻气膜及阻气膜的制造方法。关于本发明的阻气膜，膜中的氮与硅的组成比N/Si为1.00～1.35，膜密度为2.1g/cm3～2.4g/cm3，膜厚为10nm～60nm，基板与无机膜的界面的混合层的厚度为5nm～40nm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115335223A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180024723.3
申请日：2021-03-26
Applicant: 富士胶片株式会社
Abstract: 本发明的课题为提供一种覆金属层压板用层压片及其制造方法，该覆金属层压板用层压片包括包含液晶聚合物或氟聚合物的基材及粘接剂层，并且与形成于粘接剂层上的金属层的密合性优异。并且，本发明的另一课题为提供一种覆金属层压板及其制造方法。本发明的覆金属层压板用层压片是依次层叠包含液晶聚合物或氟聚合物的基材、无机氧化物层及粘接剂层而成。
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公开(公告)号：CN106132691A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201580013441.8
申请日：2015-01-23
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: B32B9/00 , C23C16/42 , C23C16/505
CPC classification number: C23C16/401 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/505
Abstract: 本发明涉及一种阻气膜及阻气膜的制造方法。本发明的阻气膜为包含基材膜及无机层的阻气膜，其中，无机层含有Si、N、H及O，在膜厚方向中央部中，以大于5nm的膜厚包含Si、N、H及O的比均匀且O的比率较低的均匀区域，与任意一个以上的界面接触的区域为由O比率：(O的数量/Si、N及O的总数)×100％表示的O比率从均匀区域侧向界面方向增加，且O比率的每单位膜厚的变化量为2％/nm～8％/nm的含氧区域。阻气膜的制造方法包含通过等离子体CVD法形成无机层，且包含调整供给用于形成等离子体的功率从0kW达到最大值的时间及从供给高频率的功率的最大值达到0kW的时间。
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公开(公告)号：CN104203562A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380017055.7
申请日：2013-02-19
Applicant: 富士胶片株式会社
CPC classification number: C23C16/345 , C23C16/0272 , C23C16/50 , C23C16/509 , C23C16/545 , Y10T428/24975
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高阻气性、且透明性、耐久性、及柔软性亦优异的阻气膜及阻气膜的制造方法。关于本发明的阻气膜，膜中的氮与硅的组成比N/Si为1.00～1.35，膜密度为2.1g/cm3～2.4g/cm3，膜厚为10nm～60nm，基板与无机膜的界面的混合层的厚度为5nm～40nm。
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公开(公告)号：CN102383107A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110254713.7
申请日：2011-08-31
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/509 , C23C16/345 , C23C16/545
Abstract: 本发明公开一种薄膜沉积装置，包括：在输送方向上输送基材的带的输送机、设置为面对基材的薄膜沉积电极、设置在薄膜沉积电极的相对侧处的对电极、薄膜沉积气体的气体供应装置和沿所述基材的平面方向设置为围绕薄膜沉积电极的接地屏蔽。薄膜沉积电极沿输送方向的上游端部比接地屏蔽沿所述基材的输送方向对应于薄膜沉积电极的上游端部的上游端部更靠近基材。
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