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公开(公告)号：CN104981889B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201480007989.7
申请日：2014-03-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6835 , B32B7/12 , B32B9/04 , B32B37/144 , B32B37/18 , B32B38/10 , B32B2255/20 , B32B2307/202 , B32B2313/00 , B32B2315/00 , B32B2457/14 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , Y10T156/1111
Abstract: 本发明提供一种利用能应用于1000℃左右的高温工艺的将支承基板与半导体晶片相粘接的方法的半导体器件的制造方法。该半导体器件的制造方法，包括如下工序：背面接合工序，在该背面接合工序中，将支承基板隔着陶瓷粘接剂层以及掩模与半导体晶片的背面相接合，以形成接合体；功能结构形成工序，在该功能结构形成工序中，在所述半导体晶片的正面形成功能结构；剥离工序，在该剥离工序中，去除所述陶瓷粘接剂层及所述掩模，将所述支承基板从所述半导体晶片剥离；以及背面处理工序，在该背面处理工序中，对所述半导体晶片的背面进行背面处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104981889A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201480007989.7
申请日：2014-03-14
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6835 , B32B7/12 , B32B9/04 , B32B37/144 , B32B37/18 , B32B38/10 , B32B2255/20 , B32B2307/202 , B32B2313/00 , B32B2315/00 , B32B2457/14 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , Y10T156/1111
Abstract: 本发明提供一种利用能应用于1000℃左右的高温工艺的将支承基板与半导体晶片相粘接的方法的半导体器件的制造方法。该半导体器件的制造方法，包括如下工序：背面接合工序，在该背面接合工序中，将支承基板隔着陶瓷粘接剂层以及掩模与半导体晶片的背面相接合，以形成接合体；功能结构形成工序，在该功能结构形成工序中，在所述半导体晶片的正面形成功能结构；剥离工序，在该剥离工序中，去除所述陶瓷粘接剂层及所述掩模，将所述支承基板从所述半导体晶片剥离；以及背面处理工序，在该背面处理工序中，对所述半导体晶片的背面进行背面处理。
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公开(公告)号：CN105009253B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201480012085.3
申请日：2014-04-04
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/683 , B23K26/00 , C09J183/06 , C09J183/08
CPC classification number: H01L21/6835 , B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , C09J183/06 , C09J183/08 , H01L21/2007 , H01L21/268 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L2221/68318 , H01L2221/68381
Abstract: 提供一种使用了能够适用于1000℃左右的高温工艺的在半导体晶片粘接支撑基板的方法的半导体器件的制造方法。所述半导体器件的制造方法至少包括如下工序：背面粘接工序，使用硅烷偶联剂将半导体晶片的背面的至少一部分与支撑基板粘接；功能结构形成工序，在上述半导体晶片的正面形成功能结构；断裂层形成工序，向上述半导体晶片与上述支撑基板的粘接界面聚焦照射透过半导体晶片的激光的聚光点而在上述粘接界面的外周部的至少一部分形成断裂层；断裂层剥离工序，剥离上述断裂层；粘接界面剥离工序，剥离上述粘接界面；以及背面处理工序，对上述半导体晶片的背面进行背面处理。
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公开(公告)号：CN104718604A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201380052480.X
申请日：2013-09-05
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/0485 , H01L21/268 , H01L21/28568 , H01L21/28575 , H01L21/304 , H01L21/321 , H01L21/324 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/7813 , H01L29/66409 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供一种防止电特性劣化，并且防止晶片翘曲和/或裂纹的半导体装置的制造方法。在n+SiC基板(1)的正面侧形成的层间绝缘膜(8)的接触孔(8a)内沉积第一镍膜(9a)。接下来，从层间绝缘膜(8)以及第一镍膜(9a)整个面开始照射第一激光(11)，而形成与碳化硅半导体之间的欧姆接触。接下来，在第一镍膜(9a)上，沉积第二镍膜以及正面电极膜而形成源电极。接下来，研磨n+SiC基板(1)的背面，在n+SiC基板(1)被研磨的背面形成第三镍膜。从第三镍膜整面开始照射第二激光，而形成与碳化硅半导体之间的欧姆接触。接下来，在第三镍膜上沉积第四镍膜以及背面电极膜，形成漏电极。
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公开(公告)号：CN104718604B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201380052480.X
申请日：2013-09-05
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/0485 , H01L21/268 , H01L21/28568 , H01L21/28575 , H01L21/304 , H01L21/321 , H01L21/324 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/7813
Abstract: 本发明提供一种防止电特性劣化，并且防止晶片翘曲和/或裂纹的半导体装置的制造方法。在n+SiC基板(1)的正面侧形成的层间绝缘膜(8)的接触孔(8a)内沉积第一镍膜(9a)。接下来，从层间绝缘膜(8)以及第一镍膜(9a)整个面开始照射第一激光(11)，而形成与碳化硅半导体之间的欧姆接触。接下来，在第一镍膜(9a)上，沉积第二镍膜以及正面电极膜而形成源电极。接下来，研磨n+SiC基板(1)的背面，在n+SiC基板(1)被研磨的背面形成第三镍膜。从第三镍膜整面开始照射第二激光，而形成与碳化硅半导体之间的欧姆接触。接下来，在第三镍膜上沉积第四镍膜以及背面电极膜，形成漏电极。
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公开(公告)号：CN105009253A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201480012085.3
申请日：2014-04-04
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/02 , B23K26/00 , B23K26/40 , C09J183/06 , H01L21/304 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6835 , B23K26/0006 , B23K26/53 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , C09J183/06 , C09J183/08 , H01L21/2007 , H01L21/268 , H01L21/76254 , H01L21/76259 , H01L2221/68318 , H01L2221/68381
Abstract: 提供一种使用了能够适用于1000℃左右的高温工艺的在半导体晶片粘接支撑基板的方法的半导体器件的制造方法。所述半导体器件的制造方法至少包括如下工序：背面粘接工序，使用硅烷偶联剂将半导体晶片的背面的至少一部分与支撑基板粘接；功能结构形成工序，在上述半导体晶片的正面形成功能结构；断裂层形成工序，向上述半导体晶片与上述支撑基板的粘接界面聚焦照射透过半导体晶片的激光的聚光点而在上述粘接界面的外周部的至少一部分形成断裂层；断裂层剥离工序，剥离上述断裂层；粘接界面剥离工序，剥离上述粘接界面；以及背面处理工序，对上述半导体晶片的背面进行背面处理。
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