公开(公告)号：CN102779532A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210055650.7

申请日：2012-03-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 穗积康彰

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/71

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/65

Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其不改变现有的层叠结构就能够提高磁记录层的磁各向异性，从而通过记录信号的热稳定性。一种垂直磁记录介质，是在非磁性基体上至少依次层叠有中间层、第二基底层和磁记录层的垂直记录介质，其特征在于，中间层为Ru或Ru基合金的单一层结构，或者为含有Co和Cr的非磁性合金层和Ru或者Ru基合金的层的层叠结构，该第二基底层包含30at％以上75at％以下的Co、20at％以上60at％以下的Cr和0.1at％以上10at％以下的W，第二基底层具有0.1nm以上1.0nm以下的膜厚。

公开(公告)号：CN116801481A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310048285.5

申请日：2023-01-31

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 穗积康彰 ,  百瀬文彦 ,  武石夏祈 ,  内山谅人

IPC: H05K1/11 ,  H05K3/34 ,  H05K1/18 ,  H05K3/22

Abstract: 本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置抑制将绝缘电路板与半导体芯片接合的焊料材料的润湿扩展，并且能够进行高密度安装。该半导体装置的制造方法包括：准备设有电路层(2a)的绝缘电路板(10)的工序，该电路层(2a)具有主表面(21)和相对于主表面(21)的法线方向倾斜的侧面(22)；通过向电路层(2a)的侧面(22)照射激光束，从而使电路层(2a)的侧面(22)的至少局部粗糙化，并且在电路层(2a)的被粗糙化的侧面(22)形成氧化膜(6)的工序；以及在电路层(2a)的主表面(21)经由焊料层接合半导体芯片的工序。

公开(公告)号：CN116438636A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202280007073.6

申请日：2022-03-07

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 百瀬文彦 ,  大山浩永 ,  穗积康彰

IPC: H01L21/52

Abstract: 提供一种组装容易、具有高可靠性和耐腐蚀性的半导体装置。具备：安装构件(1)，其具有以铜为主成分的布线层(1b)；第1覆盖层(2)，其含有镍，且以布线层(1b)上表面的一部分在开口部(8)露出的方式覆盖布线层(1b)；接合层(3)，其在开口部(8)与布线层(1b)金属性接合；第2覆盖层(6)，其含有镍，且在接合层(3)的上表面与接合层(3)金属性接合；以及半导体芯片(7)，其下表面被第2覆盖层(6)覆盖。接合层(3)具有与布线层(1b)接触的下层(5a)、与第2覆盖层(6)接触的上层(5b)、以及在下层(5a)与上层(5b)之间的中间层(4)，下层(5a)和上层(5b)包含含有锡、铜以及镍的金属间化合物作为主成分，中间层(4)是以锡为主成分且不含铅的合金。

公开(公告)号：CN103098134B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201280002810.X

申请日：2012-05-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 安宅丰路 ,  竹野入俊司 ,  渡边贞幸 ,  大山浩永 ,  穗积康彰 ,  高桥学士

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/738

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/73 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/85 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明提供一种进一步低噪声化并提高了SN比等性能，能够实现高密度磁记录的垂直磁记录介质。在垂直磁记录介质中，在非磁性基板上依次至少叠层有第一非磁性中间层、第二非磁性中间层和磁记录层，上述第一非磁性中间层由CoCrRuW合金形成，并且上述第二非磁性中间层由Ru基合金形成。

公开(公告)号：CN102779532B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201210055650.7

申请日：2012-03-05

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 穗积康彰

IPC: G11B5/667 ,  G11B5/71

CPC classification number: G11B5/7325 ,  G11B5/65

Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，其不改变现有的层叠结构就能够提高磁记录层的磁各向异性，从而通过记录信号的热稳定性。一种垂直磁记录介质，是在非磁性基体上至少依次层叠有中间层、第二基底层和磁记录层的垂直记录介质，其特征在于，中间层为Ru或Ru基合金的单一层结构，或者为含有Co和Cr的非磁性合金层和Ru或者Ru基合金的层的层叠结构，该第二基底层包含30at％以上75at％以下的Co、20at％以上60at％以下的Cr和0.1at％以上10at％以下的W，第二基底层具有0.1nm以上1.0nm以下的膜厚。

公开(公告)号：CN103098134A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201280002810.X

申请日：2012-05-01

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 安宅丰路 ,  竹野入俊司 ,  渡边贞幸 ,  大山浩永 ,  穗积康彰 ,  高桥学士

IPC: G11B5/66 ,  G11B5/738

CPC classification number: G11B5/66 ,  G11B5/73 ,  G11B5/7325 ,  G11B5/8404 ,  G11B5/85 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明提供一种进一步低噪声化并提高了SN比等性能，能够实现高密度磁记录的垂直磁记录介质。在垂直磁记录介质中，在非磁性基板上依次至少叠层有第一非磁性中间层、第二非磁性中间层和磁记录层，上述第一非磁性中间层由CoCrRuW合金形成，并且上述第二非磁性中间层由Ru基合金形成。