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发明公开
半导体装置和半导体装置的制造方法审中-实审

公开(公告)号：CN116801481A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310048285.5

申请日：2023-01-31

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 穗积康彰 , 百瀬文彦 , 武石夏祈 , 内山谅人

IPC: H05K1/11 , H05K3/34 , H05K1/18 , H05K3/22

Abstract: 本发明提供半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置抑制将绝缘电路板与半导体芯片接合的焊料材料的润湿扩展，并且能够进行高密度安装。该半导体装置的制造方法包括：准备设有电路层(2a)的绝缘电路板(10)的工序，该电路层(2a)具有主表面(21)和相对于主表面(21)的法线方向倾斜的侧面(22)；通过向电路层(2a)的侧面(22)照射激光束，从而使电路层(2a)的侧面(22)的至少局部粗糙化，并且在电路层(2a)的被粗糙化的侧面(22)形成氧化膜(6)的工序；以及在电路层(2a)的主表面(21)经由焊料层接合半导体芯片的工序。

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