垂直磁记录介质
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102347032B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201110229211.9

    申请日:2011-08-01

    Inventor: 渡边贞幸

    CPC classification number: G11B5/66

    Abstract: 本发明用于实现可在维持良好OW特性、SNR、和热稳定性的同时实现高磁道密度的垂直磁记录介质。在非磁性基底上包括磁记录层的垂直磁记录介质中,磁记录层依次包括第一磁性层、交换耦合控制层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层。优选为,当所述第一磁性层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层的垂直磁各向异性常数分别为Ku1、Ku2、Ku3、和Ku4时,满足Ku4>Ku3>Ku2且Ku1>Ku3>Ku2的关系。

    垂直磁记录介质
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102347032A

    公开(公告)日:2012-02-08

    申请号:CN201110229211.9

    申请日:2011-08-01

    Inventor: 渡边贞幸

    CPC classification number: G11B5/66

    Abstract: 本发明用于实现可在维持良好OW特性、SNR、和热稳定性的同时实现高磁道密度的垂直磁记录介质。在非磁性基底上包括磁记录层的垂直磁记录介质中,磁记录层依次包括第一磁性层、交换耦合控制层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层。优选为,当所述第一磁性层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层的垂直磁各向异性常数分别为Ku1、Ku2、Ku3、和Ku4时,满足Ku4>Ku3>Ku2且Ku1>Ku3>Ku2的关系。

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