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公开(公告)号:CN103098134A
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201280002810.X
申请日:2012-05-01
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/73 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/85 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种进一步低噪声化并提高了SN比等性能,能够实现高密度磁记录的垂直磁记录介质。在垂直磁记录介质中,在非磁性基板上依次至少叠层有第一非磁性中间层、第二非磁性中间层和磁记录层,上述第一非磁性中间层由CoCrRuW合金形成,并且上述第二非磁性中间层由Ru基合金形成。
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公开(公告)号:CN103098134B
公开(公告)日:2015-09-02
申请号:CN201280002810.X
申请日:2012-05-01
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: G11B5/66 , G11B5/73 , G11B5/7325 , G11B5/8404 , G11B5/85 , G11B5/851
Abstract: 本发明提供一种进一步低噪声化并提高了SN比等性能,能够实现高密度磁记录的垂直磁记录介质。在垂直磁记录介质中,在非磁性基板上依次至少叠层有第一非磁性中间层、第二非磁性中间层和磁记录层,上述第一非磁性中间层由CoCrRuW合金形成,并且上述第二非磁性中间层由Ru基合金形成。
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公开(公告)号:CN102347032B
公开(公告)日:2016-06-08
申请号:CN201110229211.9
申请日:2011-08-01
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 渡边贞幸
CPC classification number: G11B5/66
Abstract: 本发明用于实现可在维持良好OW特性、SNR、和热稳定性的同时实现高磁道密度的垂直磁记录介质。在非磁性基底上包括磁记录层的垂直磁记录介质中,磁记录层依次包括第一磁性层、交换耦合控制层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层。优选为,当所述第一磁性层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层的垂直磁各向异性常数分别为Ku1、Ku2、Ku3、和Ku4时,满足Ku4>Ku3>Ku2且Ku1>Ku3>Ku2的关系。
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公开(公告)号:CN102347032A
公开(公告)日:2012-02-08
申请号:CN201110229211.9
申请日:2011-08-01
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 渡边贞幸
CPC classification number: G11B5/66
Abstract: 本发明用于实现可在维持良好OW特性、SNR、和热稳定性的同时实现高磁道密度的垂直磁记录介质。在非磁性基底上包括磁记录层的垂直磁记录介质中,磁记录层依次包括第一磁性层、交换耦合控制层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层。优选为,当所述第一磁性层、第二磁性层、第三磁性层、和第四磁性层的垂直磁各向异性常数分别为Ku1、Ku2、Ku3、和Ku4时,满足Ku4>Ku3>Ku2且Ku1>Ku3>Ku2的关系。
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