公开(公告)号：CN102637662A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210102888.0

申请日：2006-02-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 両角朗 ,  征矢野伸 ,  高桥良和

IPC: H01L23/488 ,  C22C13/02 ,  H01L21/60 ,  B23K35/26

CPC classification number: C22C13/02 ,  H01L24/33 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明要解决的问题是提高锡(Sn)-锑(Sb)体系焊料合金的润湿性和焊接性能。使用焊料合金6将具有半导体芯片4的绝缘基片10上的导体图案3与散热板8相连接，所述焊料合金包含3-5重量％的锑(Sb)、不超过0.2重量％的锗(Ge)和余量的锡(Sn)。可用同类的焊料合金5将半导体芯片4和绝缘基片10上的半导体图案2连接。可用同类的焊料合金7将半导体芯片4和连线导体6连接。

公开(公告)号：CN1864909B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200610051542.7

申请日：2006-02-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 両角朗 ,  征矢野伸 ,  高桥良和

IPC: B23K35/26 ,  H01L23/488

CPC classification number: C22C13/02 ,  H01L24/33 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明要解决的问题是提高锡(Sn)-锑(Sb)体系焊料合金的润湿性和焊接性能。使用焊料合金6将具有半导体芯片4的绝缘基片10上的导体图案3与散热板8相连接，所述焊料合金包含3-5重量％的锑(Sb)、不超过0.2重量％的锗(Ge)和余量的锡(Sn)。可用同类的焊料合金5将半导体芯片4和绝缘基片10上的半导体图案2连接。可用同类的焊料合金7将半导体芯片4和连线导体6连接。

公开(公告)号：CN102637662B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201210102888.0

申请日：2006-02-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 両角朗 ,  征矢野伸 ,  高桥良和

IPC: H01L23/488 ,  C22C13/02 ,  H01L21/60 ,  B23K35/26

CPC classification number: C22C13/02 ,  H01L24/33 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明要解决的问题是提高锡(Sn)-锑(Sb)体系焊料合金的润湿性和焊接性能。使用焊料合金6将具有半导体芯片4的绝缘基片10上的导体图案3与散热板8相连接，所述焊料合金包含3-5重量％的锑(Sb)、不超过0.2重量％的锗(Ge)和余量的锡(Sn)。可用同类的焊料合金5将半导体芯片4和绝缘基片10上的半导体图案2连接。可用同类的焊料合金7将半导体芯片4和连线导体6连接。

公开(公告)号：CN103503131A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280018603.3

申请日：2012-04-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 郷原広道 ,  両角朗 ,  市村武

IPC: H01L23/473

CPC classification number: H05K7/20254 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H05K7/20927 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够有效地冷却半导体元件的半导体模块以及冷却器。半导体模块从外部向构成冷却器的水套（2A）提供制冷剂，冷却配置于翅片底座外面的电路元件部。该半导体模块配置于与电路元件部热连接的翅片（2C）和水套（2A）上，从制冷剂导入口（24）延伸设置，并且具备制冷剂导入流路（21），其具有为了向翅片（2C）的一个侧面引导制冷剂而倾斜的引导部（21Si）。在G型中，向制冷剂导入流路（21）引导制冷剂的导入口部（21a）形成有锥形的截面，为了使制冷剂导入流路（21）的始端部的宽度（w2）窄于排出口（25）的宽度（w1）而变化其流路宽度。

公开(公告)号：CN103503131B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201280018603.3

申请日：2012-04-16

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 郷原広道 ,  両角朗 ,  市村武

IPC: H01L23/473

CPC classification number: H05K7/20254 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/473 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H05K7/20927 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够有效地冷却半导体元件的半导体模块以及冷却器。半导体模块从外部向构成冷却器的水套（2A）提供制冷剂，冷却配置于翅片底座外面的电路元件部。该半导体模块配置于与电路元件部热连接的翅片（2C）和水套（2A）上，从制冷剂导入口（24）延伸设置，并且具备制冷剂导入流路（21），其具有为了向翅片（2C）的一个侧面引导制冷剂而倾斜的引导部（21Si）。在G型中，向制冷剂导入流路（21）引导制冷剂的导入口部（21a）形成有锥形的截面，为了使制冷剂导入流路（21）的始端部的宽度（w2）窄于排出口（25）的宽度（w1）而变化其流路宽度。

公开(公告)号：CN101905388B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201010240767.3

申请日：2006-02-28

Applicant: 富士电机株式会社

Inventor： 両角朗 ,  征矢野伸 ,  高桥良和

IPC: B23K35/26 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: C22C13/02 ,  H01L24/33 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明要解决的问题是提高锡(Sn)-锑(Sb)体系焊料合金的润湿性和焊接性能。使用焊料合金6将具有半导体芯片4的绝缘基片10上的导体图案3与散热板8相连接，所述焊料合金包含3-5重量％的锑(Sb)、不超过0.2重量％的锗(Ge)和余量的锡(Sn)。可用同类的焊料合金5将半导体芯片4和绝缘基片10上的半导体图案2连接。可用同类的焊料合金7将半导体芯片4和连线导体6连接。