-
公开(公告)号：CN119521836A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411642233.1
申请日：2024-11-18
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用作晶硅光伏电池隧穿钝化层的复合膜及制备设备，涉及光伏电池生产技术领域，包括由底板和上盖组成的反应腔室，还包括同轴波导，其安装于反应腔室底部，所述同轴波导一端于反应腔室下方安装有矩形波导，另一端于反应腔室内安装有基台，所述基台和底板之间安装有石英玻璃环，扩散式进气组件，其转动安装于上盖中，所述上盖内安装有分流托架，所述扩散式进气组件底部与分流托架相搭接，所述分流托架底部设有环形分流腔和位于环形分流腔内的中心分流盘。本发明通过扩散式进气组件和分流托架的设计，气体能够均匀分布到反应腔室的各个角落，从而提高了反应的均匀性，使得隧穿钝化层的质量更加稳定可靠。
-
公开(公告)号：CN119521836B
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411642233.1
申请日：2024-11-18
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用作晶硅光伏电池隧穿钝化层的复合膜及制备设备，涉及光伏电池生产技术领域，包括由底板和上盖组成的反应腔室，还包括同轴波导，其安装于反应腔室底部，所述同轴波导一端于反应腔室下方安装有矩形波导，另一端于反应腔室内安装有基台，所述基台和底板之间安装有石英玻璃环，扩散式进气组件，其转动安装于上盖中，所述上盖内安装有分流托架，所述扩散式进气组件底部与分流托架相搭接，所述分流托架底部设有环形分流腔和位于环形分流腔内的中心分流盘。本发明通过扩散式进气组件和分流托架的设计，气体能够均匀分布到反应腔室的各个角落，从而提高了反应的均匀性，使得隧穿钝化层的质量更加稳定可靠。
-
公开(公告)号：CN119677239A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202411784561.5
申请日：2024-12-06
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶硅电池场效应钝化用的新型多晶硅薄膜结构及PECVD设备，涉及晶硅光伏电池生产技术领域，所述多晶硅(Poly‑Si)薄膜结构包括两个低浓度掺杂区与两个高浓度掺杂区，所述低浓度掺杂区和高浓度掺杂区逐层堆叠。本发明通过低浓度掺杂区和高浓度掺杂区逐层堆叠，让高浓度掺杂区中的自由载流子向低浓度掺杂区扩散，留下带电荷的固定离子，使高浓度掺杂区成为高净电荷区，低浓度掺杂区结晶度高，载流子迁移率高，且抑制杂质原子扩散，通过设置高净电荷区，实现了增强的场效应钝化作用，从而提高晶硅光伏电池的效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119497453A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411690729.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有新型硼扩浅结的晶硅光伏电池、制备方法及装置，包括硅片，所述硅片表面交替设置有深结区与浅结区，所述深结区深度大于200nm，所述浅结区深度小于80nm，所述硅片表面还设置有栅格状的金属栅线，所述金属栅线包括与深结区平行的主栅线以及与主栅线垂直交错的副栅线，所述主栅线凸出浅结区表面设置。本发明通过设置掺杂深度小于80nm的浅结区，具有高透光、低复合的特性，有利于太阳光穿过，提高光利用率，并且使空穴数量减少，消耗的电子减少，从而提高电池效率，同时设置高掺杂、深扩散形成的深度大于200nm的深结区，具有低电阻的特性，保证了空穴传输效率，避免使用缩小栅线间距的方式，降低了生产成本。
-
公开(公告)号：CN119947345A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510135456.7
申请日：2025-02-07
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
Abstract: 本发明涉及晶硅太阳能电池技术领域，具体公开了一种低寄生吸收TOPCon太阳能电池，包括N型硅基体，N型硅基体的前表面设置有硼发射极，硼发射极的侧面设置有前置钝化层和减反射层，N型硅基体的背表面设置有隧穿氧化层，隧穿氧化层的侧面设置有氢化轻掺杂多晶硅和氢化重掺杂多晶硅，氢化轻掺杂多晶硅和氢化重掺杂多晶硅之间设置有导电氧化物。本发明提供的低寄生吸收TOPCon太阳能电池，在TOPCon电池的基础上，利用氟掺杂氧化锡透明导电的特性，以加厚的氟掺杂氧化锡作为第二层导电氧化层。不仅可以在退火时有效阻碍磷原子向内扩散，而且可以在烧结时限制金属Ag向内扩散。于是，通过加厚的氟掺杂氧化锡配置减薄的外层氢化重掺杂Poly‑Si，以减少寄生吸收。
-
公开(公告)号：CN119836053A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510020999.4
申请日：2025-01-07
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种背接触电池及其组件、静电纺丝涂覆装置，涉及背接触电池技术领域，包括：电池片本体，电池片本体包括N型单晶硅片、第一表面、第二表面：第一表面交错分布有第一极性区与第二极性区，相互之间由隔离区分隔；第一极性区由里向外依次是隧穿氧化层、第一掺杂碳化硅层、氟掺杂氧化锡层；第二极性区由里向外依次是隧穿氧化层、第二掺杂碳化硅层、氟掺杂氧化锡层；隔离区由里向外依次是隧穿氧化层、氧化铝钝化层、氮氧化硅减反层；本发明由电镀技术在载体膜上制备焊带，然后转移连接在电池片的第一表面，使电池片组串，电镀焊带直径更细，降低了电池片第一表面的遮光面积，提高了地面反射光的利用率与背接触电池组件的双面率。
-
公开(公告)号：CN119710854A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510171197.3
申请日：2025-02-17
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种背接触电池铜栅线交流电镀工艺及电镀设备，涉及背接触光伏电池技术领域，包括以下步骤：S1、图形化：通过显影处理，使电池片背面需要镀铜的部位暴露出来；S2.1、照射：使用强光照射电池片；S2.2、电镀：将电池片放置到电解池中电镀铜栅线；S2.3、电极连接：在照射与电镀的同时，A电极连接于平行电池片正面的铜箔，B电极连接于电解液，C电极连接于电池片背面，A电极的极性为负时，B电极的极性为正，C电极断电，反之，A电极的极性为正时，B电极断电，C电极的极性为负；S3、后处理。通过对电池片进行强光照射，使得电池片中激发出大量的电子与空穴，从而减小电池片整片的电阻，大大提高了电镀的效率与均匀性。
-
公开(公告)号：CN119384102A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411506196.1
申请日：2024-10-28
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有新型隧穿钝化层的晶硅光伏电池及其生产设备，涉及晶硅光伏电池技术领域。本发明采用溶胶凝胶法制备凝胶膜，采用凝胶膜热氧化法制备碳掺杂氧化硅膜，将碳掺杂氧化硅薄膜夹在晶硅基片与掺杂多晶硅薄膜之间用作结区隧穿钝化层，提升晶硅光伏电池的性能。该专利通过独特的搅拌结构和刮动清洁功能，提高了溶胶的混合效果和设备的清洁度，为晶硅光伏电池的生产提供了有效的技术支持。该搅拌设备包括搅拌釜，搅拌釜顶部安装有动力结构，通过动力件提供动力，配合往复件和旋转件带动搅拌结构内的搅拌件在搅拌釜内进行上下滑动和旋转搅拌，实现对多种溶胶的混合搅拌。搅拌结构内设置有可调节搅拌范围的搅拌杆，通过上调节件内的底杆对搅拌杆进行抵触调节，实现对搅拌釜内侧壁的刮动清洁。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.024 seconds)
