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公开(公告)号：CN119947345A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510135456.7
申请日：2025-02-07
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
Abstract: 本发明涉及晶硅太阳能电池技术领域，具体公开了一种低寄生吸收TOPCon太阳能电池，包括N型硅基体，N型硅基体的前表面设置有硼发射极，硼发射极的侧面设置有前置钝化层和减反射层，N型硅基体的背表面设置有隧穿氧化层，隧穿氧化层的侧面设置有氢化轻掺杂多晶硅和氢化重掺杂多晶硅，氢化轻掺杂多晶硅和氢化重掺杂多晶硅之间设置有导电氧化物。本发明提供的低寄生吸收TOPCon太阳能电池，在TOPCon电池的基础上，利用氟掺杂氧化锡透明导电的特性，以加厚的氟掺杂氧化锡作为第二层导电氧化层。不仅可以在退火时有效阻碍磷原子向内扩散，而且可以在烧结时限制金属Ag向内扩散。于是，通过加厚的氟掺杂氧化锡配置减薄的外层氢化重掺杂Poly‑Si，以减少寄生吸收。
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