-
公开(公告)号：CN118943065A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411038319.3
申请日：2024-07-31
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池片生产转运设备，包括调整组架和多个拼接围条，调整组架包括中心座、液压调控组件、水平活动条和竖直活动条，液压调控组件设置有四个，分别对称安装于中心座的四周，拼接围条排列设置于水平活动条和竖直活动条之间，液压调控组件包括水平伸缩杆、竖直立架和扩展架，竖直立架安装于水平伸缩杆端头，扩展架安装于竖直立架，水平活动条安装于竖直立架，水平活动条能够在限定范围内受自身重力作用而进行上下移动，竖直活动条安装于扩展架，拼接围条、水平活动条和竖直活动条都安装有托举板、联动切换组件、竖直限位组件、竖直滑块和斜面块。
-
公开(公告)号：CN119710854A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510171197.3
申请日：2025-02-17
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种背接触电池铜栅线交流电镀工艺及电镀设备，涉及背接触光伏电池技术领域，包括以下步骤：S1、图形化：通过显影处理，使电池片背面需要镀铜的部位暴露出来；S2.1、照射：使用强光照射电池片；S2.2、电镀：将电池片放置到电解池中电镀铜栅线；S2.3、电极连接：在照射与电镀的同时，A电极连接于平行电池片正面的铜箔，B电极连接于电解液，C电极连接于电池片背面，A电极的极性为负时，B电极的极性为正，C电极断电，反之，A电极的极性为正时，B电极断电，C电极的极性为负；S3、后处理。通过对电池片进行强光照射，使得电池片中激发出大量的电子与空穴，从而减小电池片整片的电阻，大大提高了电镀的效率与均匀性。
-
公开(公告)号：CN117038794A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311100975.7
申请日：2023-08-30
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池片链式酸洗机及生产线，涉及电池片生产技术领域，包括：酸洗槽；限位架；输送机构；下片机构，其包括两下片单元，下片单元包括转动连接在支撑板上的第一转动杆、转动连接在限位架上的第三转动杆，第三转动杆上固定连接有与第一齿轮啮合配合的不完全齿轮，第一转动杆上固定连接有下片板，第三转动杆上固定连接有撑片板；通过下片机构，第一转动杆带动第二转动杆往复旋转，带动下片板和撑片板相远离或相靠近，二者相远离的过程使得限位架内最下方和第二下方的两电池片分离，并使最下方的电池片落下；二者相靠近的过程，为下一次下片做准备，防止两电池片粘连，减轻工人的劳动强度，同时提高酸洗效率。
-
公开(公告)号：CN119497453A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411690729.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有新型硼扩浅结的晶硅光伏电池、制备方法及装置，包括硅片，所述硅片表面交替设置有深结区与浅结区，所述深结区深度大于200nm，所述浅结区深度小于80nm，所述硅片表面还设置有栅格状的金属栅线，所述金属栅线包括与深结区平行的主栅线以及与主栅线垂直交错的副栅线，所述主栅线凸出浅结区表面设置。本发明通过设置掺杂深度小于80nm的浅结区，具有高透光、低复合的特性，有利于太阳光穿过，提高光利用率，并且使空穴数量减少，消耗的电子减少，从而提高电池效率，同时设置高掺杂、深扩散形成的深度大于200nm的深结区，具有低电阻的特性，保证了空穴传输效率，避免使用缩小栅线间距的方式，降低了生产成本。
-
公开(公告)号：CN118738176A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410868983.4
申请日：2024-07-01
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
IPC: H01L31/048 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/683
Abstract: 本发明属于太阳能组件生产技术领域，且公开了一种太阳能组件生产用多层叠压装置，包括底座，底座内底部安装有视觉检测件，底座顶部分别固定连接有固定板以及支撑架，所述底座内安装有用于承载太阳能组件的支承组件，还包括用于上揭玻璃盖板的提升架，设置于所述支承组件的上方，所述支撑架下端铰接有气缸，且气缸下端与提升架固定连接，且所述提升架底部安装有若干吸盘，所述固定板两侧均固定连接有侧板，两个所述侧板相对侧均开设有导向槽，所述提升架通过导向杆与导向槽相连。本发明通过设置导向槽，在提升架通过吸盘上揭玻璃盖板时沿斜槽进行活动，使玻璃盖板相应倾斜，从而便于玻璃盖板与EVA膜有效脱离。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118335668A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410517589.6
申请日：2024-04-28
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种全自动硅片插片机，涉及硅片生产技术领域，包括机架，还包括输送机构，所述机架一端安装有升降托盘，该升降托盘顶部放置有开口朝向输送机构的硅片装载盒，所述机架于硅片装载盒两侧均安装有限位架，且限位架一侧弹性嵌设有防脱件，硅片装载盒两侧均固定连接有与防脱件相匹配的若干防脱凸起，推拉机构，其弹性滑动安装于机架内，且推拉机构一端与硅片装载盒的背面相插接，夹持转运机构，其安装于机架内壁顶部，其夹持部与防脱凸起抵接配合。本发明通过设置在硅片装载盒两边的一对限位架来防止硅片装载盒抬升时发生偏移，避免输送机构将硅片输送到硅片装载盒开口处时出现卡滞现象，同时防脱件抵在相应位置的防脱凸起下方。
-
公开(公告)号：CN118335668B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410517589.6
申请日：2024-04-28
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种全自动硅片插片机，涉及硅片生产技术领域，包括机架，还包括输送机构，所述机架一端安装有升降托盘，该升降托盘顶部放置有开口朝向输送机构的硅片装载盒，所述机架于硅片装载盒两侧均安装有限位架，且限位架一侧弹性嵌设有防脱件，硅片装载盒两侧均固定连接有与防脱件相匹配的若干防脱凸起，推拉机构，其弹性滑动安装于机架内，且推拉机构一端与硅片装载盒的背面相插接，夹持转运机构，其安装于机架内壁顶部，其夹持部与防脱凸起抵接配合。本发明通过设置在硅片装载盒两边的一对限位架来防止硅片装载盒抬升时发生偏移，避免输送机构将硅片输送到硅片装载盒开口处时出现卡滞现象，同时防脱件抵在相应位置的防脱凸起下方。
-
公开(公告)号：CN117317059A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311283640.3
申请日：2023-10-07
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池片槽式碱抛光机台及生产线，涉及太阳电池制造技术领域，包括框架和固定安装在所述框架上的浸泡槽组件，还包括：升降架，其接受第一驱动组件的驱动以使所述升降架进行横向移动以及竖向移动；夹持组件，其设置在所述升降架上。本发明提供的一种太阳能电池片槽式碱抛光机台及生产线，通过利用传动组件，使得升降架在竖向滑动的过程中，能够驱使各个活动板上的两个限位板的位置能够发生改变，从而使得在不影响对所夹持的太阳能电池片进行限位的同时，还能够使得所遮挡的部分能够暴露出来，进而起到了能够对所遮挡的部分进行浸泡侵蚀的效果，从而在一定程度上提高了槽式碱抛光机台的实用性。
-
公开(公告)号：CN116845139B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310947412.5
申请日：2023-07-31
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/20 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池片刻蚀设备及生产线，涉及电池片刻蚀技术领域，包括送料机构，送料机构包括：机架；料架，料架内由上而下地叠放有多个电池片；两下料板，两下料板分别呈对称地转动连接在料架的两侧，每一下料板均具有上抵板和下抵板；驱动机构，其设置在料架上，用于驱动两下料板同步且相向转动；推片机构，其设置在机架上，用于将料架上最下方的电池片推离料架；联动机构，其设置在机架上，用于将驱动机构的动力传输给推片机构。通过在料架上转动连接有下料板，能够将料架最下方的电池片取下，同时对料架内余下的各电池片进行支撑，使待取出的电池片与料架内余下的电池片之间保持一定间距，避免电池片在取出过程中划伤。
-
公开(公告)号：CN119947345A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510135456.7
申请日：2025-02-07
Applicant: 安徽美达伦光伏科技有限公司
Abstract: 本发明涉及晶硅太阳能电池技术领域，具体公开了一种低寄生吸收TOPCon太阳能电池，包括N型硅基体，N型硅基体的前表面设置有硼发射极，硼发射极的侧面设置有前置钝化层和减反射层，N型硅基体的背表面设置有隧穿氧化层，隧穿氧化层的侧面设置有氢化轻掺杂多晶硅和氢化重掺杂多晶硅，氢化轻掺杂多晶硅和氢化重掺杂多晶硅之间设置有导电氧化物。本发明提供的低寄生吸收TOPCon太阳能电池，在TOPCon电池的基础上，利用氟掺杂氧化锡透明导电的特性，以加厚的氟掺杂氧化锡作为第二层导电氧化层。不仅可以在退火时有效阻碍磷原子向内扩散，而且可以在烧结时限制金属Ag向内扩散。于是，通过加厚的氟掺杂氧化锡配置减薄的外层氢化重掺杂Poly‑Si，以减少寄生吸收。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.024 seconds)
