一种倒置接触式光学曝光光刻设备及曝光方法

    公开(公告)号:CN111458986A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN202010319602.9

    申请日:2020-04-22

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及接触式曝光光刻设备技术领域,提供一种倒置接触式光学曝光光刻设备及曝光方法,能够达到出光均匀且效率高、基板高度可调、曝光时间可控的实验效果,并降低了对光刻版磨损,包括水平设置的基板,所述基板的下端边缘通过多个可拆卸式安装的杆架连接有光学平台,光学平台上设有电源、紫外光源装置和时间继电器;所述紫外光源装置与电源、时间继电器通过导线相连接;所述基板的顶端中部开设有自上而下依次向内收缩的放置槽;所述光学平台水平设置,用于保持光刻设备水平放置并固定光刻设备的位置;所述时间继电器用于根据不同条件控制曝光时间。本发明可根据不同条件调节基板高度和曝光时间,达到需要的实验效果。

    基于温度依赖性拉曼光谱测量二维层状材料热导率的方法

    公开(公告)号:CN111693510B

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202010582500.6

    申请日:2020-06-23

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于温度依赖性拉曼光谱测量二维层状材料热导率的方法。包括以下步骤:设置待测样品的衬底,并基于机械剥离和PDMS转移技术制备待测样品;在室温的环境下,对待测样品进行不同功率下的拉曼光谱测试,进行功率‑波数偏移系数标定;对待测样品进行不同温度下的拉曼光谱测试,进行温度‑波数偏移系数标定;根据特定理论模型和相应的边界条件建立热导率关系曲线;将实验测试数据代入热导率关系曲线提取热导率,利用提取的热导率反向验证假设条件的合理性,进而确定提取热导率的准确性。本发明能够弥补现有技术对微纳尺寸材料热导率测量的限制,同时保证微纳测量精度等问题。

    基于CrPS4偏振敏感的光电探测器的制备方法

    公开(公告)号:CN113130704A

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN202110373669.5

    申请日:2021-04-07

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明涉及光电探测器技术领域,具体为基于CrPS4偏振敏感的光电探测器的制备方法,具体包括以下步骤:(1)制备CrPS4单晶;(2)制备硅片衬底;(3)解离CrPS4并转移至硅片衬底上;(4)制备预处理硅片衬底;(5)制备电极图案;(6)制备电极样品;(7)将电极样品放入丙酮中浸泡,取出后加热,再利用胶头滴管对电极样品上方洗吹,待非电极区域的镀层全部剥离硅片衬底后取出,接着用氮气吹干,得到基于CrPS4偏振敏感的光电探测器;本发明利用CrPS4制备偏振敏感的光电探测器的电路及结构设计简单,克服传统光电探测器无法对区分偏振光偏振角度、或偏振光探测比率低、器件不稳定,测试手段复杂等缺点。

    基于温度依赖性拉曼光谱测量二维层状材料热导率的方法

    公开(公告)号:CN111693510A

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN202010582500.6

    申请日:2020-06-23

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于温度依赖性拉曼光谱测量二维层状材料热导率的方法。包括以下步骤:设置待测样品的衬底,并基于机械剥离和PDMS转移技术制备待测样品;在室温的环境下,对待测样品进行不同功率下的拉曼光谱测试,进行功率-波数偏移系数标定;对待测样品进行不同温度下的拉曼光谱测试,进行温度-波数偏移系数标定;根据特定理论模型和相应的边界条件建立热导率关系曲线;将实验测试数据代入热导率关系曲线提取热导率,利用提取的热导率反向验证假设条件的合理性,进而确定提取热导率的准确性。本发明能够弥补现有技术对微纳尺寸材料热导率测量的限制,同时保证微纳测量精度等问题。

    一种新型笼目结构室温铁磁体单晶及其合成方法

    公开(公告)号:CN117684273A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311552933.7

    申请日:2023-11-21

    Applicant: 安徽大学

    Abstract: 本发明公开了一种新型笼目结构室温铁磁体单晶及其合成方法,具有以下的化学式MgMn6Sn6;合成方法采用高温自助熔剂法,将单质Mg、Mn和Sn称料混合装入氧化镁坩埚,将坩埚真空密封在石英管中;将装料的密封石英管放入箱式炉中升温至,保温,再降温;在450℃时将石英管取出,去除多余的助熔剂,待石英管自然冷却至室温,敲碎管壁获得六边形MgMn6Sn6单晶片;通过能量色散谱仪确定其元素组分为MgMn6Sn6,进一步利用磁性测量系统测量其磁化率,确定该产物具有室温铁磁性,铁磁转变温度TC=30℃。采用自助熔法成功制备出高质量的MgMn6Sn6晶体材料,其性质稳定,导电性良好,为凝聚态物理领域提供了理想的研究载体,在通信、传感、存储等高新技术领域具有巨大的应用前景。

Patent Agency Ranking