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公开(公告)号：CN119480314A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411671532.8
申请日：2024-11-21
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种高Ce含量烧结磁体及其制备方法，涉及稀土永磁材料制备技术领。采用Ce含量大于22.0wt.％的富Ce主相作为主合金，采用含重稀土Dy、Tb且矫顽力大于20kOe的烧结Nd‑Fe‑B磁体废料作为辅合金来提供高磁晶各向异性场(HA)的主相晶粒。通过设计两种主相合金的粉末粒度和热处理工艺，让粒径较小且富含重稀土Dy、Tb的主相晶粒均匀分散在富Ce主相晶粒周围，在长时间烧结‑原位扩散热处理中利用两种主相晶粒之间的固‑固扩散，在富Ce主相晶粒表层构筑具有高HA的富Dy、Tb壳层，同时保持细小的晶粒尺寸，从而实现利用烧结Nd‑Fe‑B磁体废料制备具有高Ce含量且保持良好磁性能的烧结磁体。
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公开(公告)号：CN119480313A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411671369.5
申请日：2024-11-21
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种多主相富Ce烧结磁体及其制备方法，涉及稀土磁性材料制备技术领域。采用Ce含量大于12.0wt.％的富Ce主相气流磨粉作为主合金，采用烧结Nd‑Fe‑B油泥经过纯化和气流磨后的磁粉作为辅合金来提供具有高磁晶各向异性场(HA)的富Pr\Nd主相晶粒。通过设计两种主相合金的粉末粒度和热处理工艺，让粒径较小的富Pr\Nd主相晶粒均匀分散在富Ce主相晶粒周围，经过长时间烧结‑原位扩散热处理，利用两种主相晶粒之间的固‑固扩散，在富Ce主相晶粒表层构筑具有高HA的富Pr\Nd壳层，同时保持细小的晶粒尺寸，从而实现利用烧结Nd‑Fe‑B油泥制备具有良好磁性能的多主相富Ce烧结磁体。
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公开(公告)号：CN118996239B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202411489235.1
申请日：2024-10-24
Applicant: 安徽大学 , 合肥领远新材料科技有限公司
IPC: C22C33/04 , C22C38/10 , C22C38/06 , C22C38/16 , C22C38/12 , B22D11/06 , C21D1/773 , C21D6/00 , C21D9/46
Abstract: 本发明公开了一种减少钐挥发的钐铁合金制备方法，属于合金制备技术领域。在原料中添加过量钐，熔炼过程中将高熔点原料和低熔点原料分两次熔化，先将高熔点原料和少量的钐熔化，利用少量钐和Fe等高熔点原料形成较低熔点的合金，再进行二次投加余量钐和低熔点原料，可快速熔化后形成合金熔体。熔化的合金浇铸到冷却辊时，控制冷却辊的转速，使其形成Sm2Fe17相，最后将冷却后的合金片均匀化处理，消除杂相。本发明的制备方法制备得到的钐铁合金能有效减少钐挥发，且可控制成本，形成的钐铁合金杂相α‑Fe相含量较低。
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公开(公告)号：CN118996239A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202411489235.1
申请日：2024-10-24
Applicant: 安徽大学 , 合肥领远新材料科技有限公司
IPC: C22C33/04 , C22C38/10 , C22C38/06 , C22C38/16 , C22C38/12 , B22D11/06 , C21D1/773 , C21D6/00 , C21D9/46
Abstract: 本发明公开了一种减少钐挥发的钐铁合金制备方法，属于合金制备技术领域。在原料中添加过量钐，熔炼过程中将高熔点原料和低熔点原料分两次熔化，先将高熔点原料和少量的钐熔化，利用少量钐和Fe等高熔点原料形成较低熔点的合金，再进行二次投加余量钐和低熔点原料，可快速熔化后形成合金熔体。熔化的合金浇铸到冷却辊时，控制冷却辊的转速，使其形成Sm2Fe17相，最后将冷却后的合金片均匀化处理，消除杂相。本发明的制备方法制备得到的钐铁合金能有效减少钐挥发，且可控制成本，形成的钐铁合金杂相α‑Fe相含量较低。
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公开(公告)号：CN112863801B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110046166.7
申请日：2021-01-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种高磁导率、低磁损的复合材料及其制备方法，涉及软磁复合材料加工技术领域。所述高磁导率、低磁损的复合材料为FeAlSi/羰基铁复合材料，其制备方法主要包括：金属粉制备、原料钝化、复合材料制备等步骤。本发明克服了现有技术的不足，通过羰基铁颗粒的存在增强了FeAlSi之间的磁耦合，导致磁导率增加，磁滞损耗降低，同时羰基铁本身的磁滞损耗大于FeAlSi，当含量为4％时，样品的磁损耗最低，磁导率高，具有优良的商业应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112863801A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110046166.7
申请日：2021-01-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种高磁导率、低磁损的复合材料及其制备方法，涉及软磁复合材料加工技术领域。所述高磁导率、低磁损的复合材料为FeAlSi/羰基铁复合材料，其制备方法主要包括：金属粉制备、原料钝化、复合材料制备等步骤。本发明克服了现有技术的不足，通过羰基铁颗粒的存在增强了FeAlSi之间的磁耦合，导致磁导率增加，磁滞损耗降低，同时羰基铁本身的磁滞损耗大于FeAlSi，当含量为4％时，样品的磁损耗最低，磁导率高，具有优良的商业应用价值。
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公开(公告)号：CN112447352A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011205709.7
申请日：2020-11-02
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种具有低磁滞损耗的金属软磁复合材料，包括金属软磁复合材料和永磁铁氧体材料。涉及具有低磁损耗的软磁材料技术领域，本发明产品在相同的测试条件下，通过本发明方法制得的金属软磁复合材料损耗降低，主要是磁滞损耗的降低，涡流损耗系数基本保持不变。
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公开(公告)号：CN107659129A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710882045.X
申请日：2017-09-26
Applicant: 安徽大学
IPC: H02M1/12
CPC classification number: H02M1/12 , H02M2001/123
Abstract: 本发明公开了一种片式共模差模磁集成滤波器，包括对称设置的左、右磁轭，左、右磁轭之间并排连接有第一磁柱、第二磁柱和第三磁柱，第二磁柱与第一、第三磁柱之间间距相等，第一磁柱上绕有第一绕组，第三磁柱上绕有第二绕组，第一、第二绕组材料相同且绕线匝数相同，第二磁柱上不绕线，第一、第二绕组各自两个线端分别与对应方向磁轭上设置的电连接端子连接，背部磁芯连接在左、右磁轭顶面并盖住左、右磁轭及三组磁柱。本发明实现共模滤波器与差模滤波器的磁集成，可适用于不断小型轻量化的便携式设备的高密度化安装，实现了磁芯大部分共用、线圈全部共用，有利于控制产品高度，便于片式安装，有利于磁场屏蔽。
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公开(公告)号：CN102296256A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201110260770.6
申请日：2011-09-06
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供了一种提高泡沫铝力学性能的热处理工艺，特别是一种在不增加泡沫铝密度的情况下，使泡沫铝的力学性能大幅度提高的热处理工艺。本发明热处理工艺的具体操作步骤如下：(1)固溶热处理：将泡沫铝材料在400℃-700℃进行固溶热处理1-8个小时；(2)淬火处理：室温条件下，在水中进行淬火处理；(3)老化处理：在100℃-300℃进行老化处理8-16小时。
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