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公开(公告)号：CN115466865B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202210976536.1
申请日：2022-08-15
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
摘要： 本申请提出了一种基于低温塑性变形和分级时效制备高强高导Cu‑Cr‑Sn合金的方法，涉及高强、高导铜合金技术领域。一种基于低温塑性变形和分级时效制备高强高导Cu‑Cr‑Sn合金的方法，包括：将铜粒、铜铬中间合金和锡粒在氩气的保护下进行真空熔炼，熔化后进行浇铸，冷却后铣面，得到合金铸锭；将得到的合金铸锭加热，进行热轧处理，随后进行淬火；将淬火后的合金浸泡在液氮中，然后进行低温轧制；将低温轧制后的合金置于马弗炉中进行分级时效处理。通过本申请方法制备得到的高强高导Cu‑Cr‑Sn合金，其抗拉强度大于600MPa、硬度大于150、电导率大于80％，满足大规模集成电路用引线框架材料的性能要求。
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公开(公告)号：CN113764371A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010835539.4
申请日：2020-08-19
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了引线框架，属于集成电路封装领域，它包括单侧表面设有棕色氧化层的基材，基材上设有电镀层，且电镀层位于棕色氧化层表面。本发明还提供一种引线框架单面棕色氧化工艺，以及对引线框架成品进行封装处理的半导体封装体。在引线框架单面棕色氧化工艺中，棕色氧化在电镀工序和蚀刻工序之前，直接对铜原材料进行单面棕色氧化处理，处理后的棕色氧化层位于银与铜之间的结合面上，沉积的银一致性好，颗粒均匀。
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公开(公告)号：CN111863764A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010725638.7
申请日：2020-07-24
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种预电镀引线框架及其制备方法。本发明的引线框架包括引线框架单元和非功能区，所述引线框架单元的上表面的局部区域形成有镀银层，所述引线框架单元的下表面的所有外露区域形成有镀镍钯金层，所述引线框架单元的侧壁及框架本体上的非功能区无电镀层；所述引线框架依次通过贴膜、镀银、镀镍钯金、蚀刻、退膜制得。本发明采用先选择性电镀后蚀刻的方法，其中上表面为中低速、低氰、低温电镀，得到的镀银层致密性好、厚度均匀、表面平整，具有良好的打线性能；下表面的镀镍钯金层耐高温高湿，有优良耐储时间和良好的可焊性，可为封装产品提供更好的气密性和可靠性，同时符合绿色、环保、节能的生产要求。
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公开(公告)号：CN107876574A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711071020.8
申请日：2017-11-03
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
摘要： 一种异形铜带的制造方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)开卷：提供铜坯带材；(2)高速锤锻：通过锻压机的模锻锤对铜坯带材进行高速锤锻，得到异形带毛坯；(3)在线退火：通过感应加热、恒温退火、带材冷却，消除内应力；(4)表面清刷：对异形带毛坯表面进行连续清刷，同时喷清洗油，处理表面毛刺、铜屑及异物；(5)轧制：通过冷轧机轧制出异形带成品；(6)卷取：将异形带成品卷取在收料盘上。该异形铜带的制造方法生产效率较高、表面光洁度、尺寸精度和机械性能均较好。
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公开(公告)号：CN104112705A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410250793.2
申请日：2014-06-06
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/495
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/4821 , C25D3/38 , C25D5/44 , C25D7/00 , H01L23/49534 , H01L23/49582
摘要： 本发明提供了引线框架和引线框架排，属于半导体制造领域，它解决了如何小型化封装结构的问题。该引线框架包括芯片座和分布在所述芯片座一侧的多根引线，所述多根引线包括芯片引线和接脚引线，所述芯片引线与所述芯片座连接，所述接脚引线与所述芯片座断开，所述多根引线为片状并在同一平面上，所述芯片座为片状且与所述引线所在平面平行而不共面。采用引线平面和芯片座平面不共面，则芯片可放置在芯片座的离引线平面更近的一表面上。则芯片的厚度不会额外增加整个封装后的芯片的厚度，有利于芯片封装结构的小型化。
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公开(公告)号：CN112133640A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011329108.7
申请日：2020-11-24
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/495
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法。本发明先对引线框架上表面进行单面棕色氧化，再在电镀和蚀刻后对半蚀刻区域和侧壁进行超粗化处理，通过超粗化工艺条件的控制，使侧壁和半蚀刻区域形成粗糙度良好的粗糙表面，增加了引线框架与塑封树脂接触区域的结合力，而引线框架下表面未经过粗糙化处理，仅在裸露的焊盘区域形成表面光滑的预电镀层，减少了表面粗糙化的面积，同时下表面不易粘附塑封过程产生的溢料，减少清洗难度，有利于简化工艺，节省粗化和电镀成本。本发明的引线框架侧壁具有良好的粗糙度，改善了集成电路封装体的气密性和可靠性，减少分层、开裂等缺陷。
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公开(公告)号：CN111785701A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010724340.4
申请日：2020-07-24
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种预电镀镍钯金引线框架及其制备方法。本发明的引线框架包括引线框架单元和非功能区，所述引线框架单元的上表面的局部区域形成有镀银层，所述引线框架单元的下表面的所有外露区域形成有镀镍钯金层，所述引线框架单元的侧壁及框架本体上的非功能区无电镀层。本发明的预电镀镍钯金引线框架通过先电镀后蚀刻的方式制备，并严格控制电镀液的浓度和pH值，在优选条件参数下得到的电镀层厚度均匀、表面平整，气孔率低，可焊性好，并且进行集成电路封装时可免电镀，不但有利于降低成本、缩短周期，实现绿色封装，还能提高封装产品的合格率，使其在高温、高湿等恶劣环境下具有优良的可靠性。
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公开(公告)号：CN107761144A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201711071036.9
申请日：2017-11-03
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
摘要： 一种带杯LED引线框架的连续电镀装置，包括电镀液槽、以及用于悬挂带杯LED引线框架并使其进入电镀液槽内的连续传动装置，其特征在于：所述电镀液槽内还设有喷液装置，所述喷液装置的喷嘴对准带杯LED引线框架的杯口位置。该带杯LED引线框架的连续电镀装置不易在杯口内形成气泡、电镀效果较好。
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公开(公告)号：CN107630247A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710888765.7
申请日：2017-09-27
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
摘要： 一种电镀线镀层厚度自动调节装置，包括依次设置的放卷组件、电镀组件、传动辊组件和收卷组件，所述放卷组件由第一调速电机驱动，所述收卷组件由第二调速电机驱动，其特征在于：还包括控制器，所述传动辊组件与收卷组件之间设有镀层自动测厚仪，所述镀层自动测厚仪与控制器电连接用于实时上传环绕在传动辊组件上的电镀线的实际镀层厚度值，所述控制器与第一调速电机和第二调速电机电连接用于根据实际镀层厚度值调节电镀线的传送速度。该电镀线镀层厚度自动调节装置可保证镀层厚度均匀、节约成本、自动化程度较高。另外还提供一种电镀线镀层厚度自动调节方法。
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公开(公告)号：CN104112705B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410250793.2
申请日：2014-06-06
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/495
CPC分类号： H01L24/97
摘要： 本发明提供了引线框架和引线框架排，属于半导体制造领域，它解决了如何小型化封装结构的问题。该引线框架包括芯片座和分布在所述芯片座一侧的多根引线，所述多根引线包括芯片引线和接脚引线，所述芯片引线与所述芯片座连接，所述接脚引线与所述芯片座断开，所述多根引线为片状并在同一平面上，所述芯片座为片状且与所述引线所在平面平行而不共面。采用引线平面和芯片座平面不共面，则芯片可放置在芯片座的离引线平面更近的一表面上。则芯片的厚度不会额外增加整个封装后的芯片的厚度，有利于芯片封装结构的小型化。
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