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公开(公告)号：CN112133640B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011329108.7
申请日：2020-11-24
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/495
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法。本发明先对引线框架上表面进行单面棕色氧化，再在电镀和蚀刻后对半蚀刻区域和侧壁进行超粗化处理，通过超粗化工艺条件的控制，使侧壁和半蚀刻区域形成粗糙度良好的粗糙表面，增加了引线框架与塑封树脂接触区域的结合力，而引线框架下表面未经过粗糙化处理，仅在裸露的焊盘区域形成表面光滑的预电镀层，减少了表面粗糙化的面积，同时下表面不易粘附塑封过程产生的溢料，减少清洗难度，有利于简化工艺，节省粗化和电镀成本。本发明的引线框架侧壁具有良好的粗糙度，改善了集成电路封装体的气密性和可靠性，减少分层、开裂等缺陷。
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公开(公告)号：CN112133640A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011329108.7
申请日：2020-11-24
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/495
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有粗糙侧壁的引线框架的制备方法。本发明先对引线框架上表面进行单面棕色氧化，再在电镀和蚀刻后对半蚀刻区域和侧壁进行超粗化处理，通过超粗化工艺条件的控制，使侧壁和半蚀刻区域形成粗糙度良好的粗糙表面，增加了引线框架与塑封树脂接触区域的结合力，而引线框架下表面未经过粗糙化处理，仅在裸露的焊盘区域形成表面光滑的预电镀层，减少了表面粗糙化的面积，同时下表面不易粘附塑封过程产生的溢料，减少清洗难度，有利于简化工艺，节省粗化和电镀成本。本发明的引线框架侧壁具有良好的粗糙度，改善了集成电路封装体的气密性和可靠性，减少分层、开裂等缺陷。
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公开(公告)号：CN111785701A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010724340.4
申请日：2020-07-24
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种预电镀镍钯金引线框架及其制备方法。本发明的引线框架包括引线框架单元和非功能区，所述引线框架单元的上表面的局部区域形成有镀银层，所述引线框架单元的下表面的所有外露区域形成有镀镍钯金层，所述引线框架单元的侧壁及框架本体上的非功能区无电镀层。本发明的预电镀镍钯金引线框架通过先电镀后蚀刻的方式制备，并严格控制电镀液的浓度和pH值，在优选条件参数下得到的电镀层厚度均匀、表面平整，气孔率低，可焊性好，并且进行集成电路封装时可免电镀，不但有利于降低成本、缩短周期，实现绿色封装，还能提高封装产品的合格率，使其在高温、高湿等恶劣环境下具有优良的可靠性。
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公开(公告)号：CN116487268A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310232489.4
申请日：2023-03-13
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/48 , H01L23/495
摘要： 本发明提供一种镀镍钯金引线框架及其制备方法，制备方法包括：对基板的上表面和下表面进行电镀，由内向外依次形成镀镍层、镀钯层和镀金层，得到电镀基板；在所述电镀基板的上表面和下表面分别贴附一层干膜，得到覆膜基板；通过曝光和显影去除所述覆膜基板中上表面和下表面需要蚀刻区域的部分所述干膜，得到显影基板；对所述显影基板的上表面和下表面中去除所述干膜的位置进行蚀刻，得到蚀刻基板；去除所述蚀刻基板的上表面和下表面中剩余的所述干膜，得到镀镍钯金引线框架。本发明能够提升了镀镍钯金引线框架的可靠性，且采用对基板上下表面电镀，整体形成镀层后再蚀刻的方式更容易控制，简化了工艺，提高了制备效率，保证了较高的合格率。
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公开(公告)号：CN113764370A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010835530.3
申请日：2020-08-19
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了引线框架，属于集成电路封装领域，它包括设有半蚀刻区的基材，且基材单侧表面上以及半蚀刻区侧壁设有棕色氧化层，所述基材上表面设有电镀层，电镀层位于棕色氧化层表面；本发明提供一种引线框架单面侧面棕色氧化工艺及半导体封装体，应用于12*12毫米以及更大尺寸的引线框架，在保证引线框架可靠性的前提下，针对引线框架单面以及内蚀刻区域的侧壁进行棕色氧化处理，相对于引线框架整体做棕色氧化的棕色氧化成本，节省10％‑30％。
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公开(公告)号：CN113764371A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010835539.4
申请日：2020-08-19
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了引线框架，属于集成电路封装领域，它包括单侧表面设有棕色氧化层的基材，基材上设有电镀层，且电镀层位于棕色氧化层表面。本发明还提供一种引线框架单面棕色氧化工艺，以及对引线框架成品进行封装处理的半导体封装体。在引线框架单面棕色氧化工艺中，棕色氧化在电镀工序和蚀刻工序之前，直接对铜原材料进行单面棕色氧化处理，处理后的棕色氧化层位于银与铜之间的结合面上，沉积的银一致性好，颗粒均匀。
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公开(公告)号：CN111863764A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010725638.7
申请日：2020-07-24
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种预电镀引线框架及其制备方法。本发明的引线框架包括引线框架单元和非功能区，所述引线框架单元的上表面的局部区域形成有镀银层，所述引线框架单元的下表面的所有外露区域形成有镀镍钯金层，所述引线框架单元的侧壁及框架本体上的非功能区无电镀层；所述引线框架依次通过贴膜、镀银、镀镍钯金、蚀刻、退膜制得。本发明采用先选择性电镀后蚀刻的方法，其中上表面为中低速、低氰、低温电镀，得到的镀银层致密性好、厚度均匀、表面平整，具有良好的打线性能；下表面的镀镍钯金层耐高温高湿，有优良耐储时间和良好的可焊性，可为封装产品提供更好的气密性和可靠性，同时符合绿色、环保、节能的生产要求。
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公开(公告)号：CN111863764B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010725638.7
申请日：2020-07-24
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种预电镀引线框架及其制备方法。本发明的引线框架包括引线框架单元和非功能区，所述引线框架单元的上表面的局部区域形成有镀银层，所述引线框架单元的下表面的所有外露区域形成有镀镍钯金层，所述引线框架单元的侧壁及框架本体上的非功能区无电镀层；所述引线框架依次通过贴膜、镀银、镀镍钯金、蚀刻、退膜制得。本发明采用先选择性电镀后蚀刻的方法，其中上表面为中低速、低氰、低温电镀，得到的镀银层致密性好、厚度均匀、表面平整，具有良好的打线性能；下表面的镀镍钯金层耐高温高湿，有优良耐储时间和良好的可焊性，可为封装产品提供更好的气密性和可靠性，同时符合绿色、环保、节能的生产要求。
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公开(公告)号：CN113764369A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202010835526.7
申请日：2020-08-19
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了引线框架，属于集成电路封装领域，它包括设有半蚀刻区的基材，所述基材表面设有电镀层，所述半蚀刻区侧壁表面经过棕色氧化处理；本发明提供一种引线框架侧壁棕色氧化工艺及半导体封装体，在保证引线框架可靠性的前提下，只对引线框架内蚀刻区域的侧壁进行棕色氧化处理，相对于只在引线框架的正面做棕色氧化的棕色氧化成本，还能进一步节省50％‑60％。
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公开(公告)号：CN112530896A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011525742.8
申请日：2020-12-22
申请人： 宁波康强电子股份有限公司
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/48
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种用于半导体封装的引线框架及其制备方法。本发明的引线框架包括框架本体和电镀层，所述框架本体的上表面具有若干微蚀槽，各微蚀槽内均填充有上述电镀层，所述电镀层的厚度与微蚀槽的厚度相同。本发明的引线框架通过先微蚀后电镀的方式，在框架本体上形成下凹的微蚀槽，使电镀层形成于微蚀槽内，通过微蚀和电镀工艺的合理控制，既可减小引线框架的厚度，有利于半导体封装的薄型化生产，还可起到保护电镀层的作用，从而更好地保证可焊性和产品合格率。
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