气-液路耦合推进系统运载火箭的Pogo系统建模方法

    公开(公告)号:CN110727251A

    公开(公告)日:2020-01-24

    申请号:CN201910925285.2

    申请日:2019-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种气-液路耦合推进系统运载火箭的Pogo系统建模方法,建立燃气发生器、涡轮、燃气导管、气-液型推力室等气体部件的二阶动力学模型,与建立的液路部分二阶动力学方程组装成完整的推进系统,从而建立起基于状态空间法的包含气路特性的Pogo状态空间模型。与传统的传递矩阵法相比,可以在计算推进系统频率的同时给出阻尼比;与传统的迭代法相比,状态空间法计算效率更高,而且不受迭代初值的影响,不会漏根;状态方程法可以考虑多模态、多耦合点、芯级与助推耦合作用等更多因素,结果更为精确。

    气-液路耦合推进系统运载火箭的Pogo系统建模方法

    公开(公告)号:CN110727251B

    公开(公告)日:2021-01-15

    申请号:CN201910925285.2

    申请日:2019-09-27

    Abstract: 本发明公开了一种气‑液路耦合推进系统运载火箭的Pogo系统建模方法,建立燃气发生器、涡轮、燃气导管、气‑液型推力室等气体部件的二阶动力学模型,与建立的液路部分二阶动力学方程组装成完整的推进系统,从而建立起基于状态空间法的包含气路特性的Pogo状态空间模型。与传统的传递矩阵法相比,可以在计算推进系统频率的同时给出阻尼比;与传统的迭代法相比,状态空间法计算效率更高,而且不受迭代初值的影响,不会漏根;状态方程法可以考虑多模态、多耦合点、芯级与助推耦合作用等更多因素,结果更为精确。

    一种解决Pogo模型奇异性问题的方法

    公开(公告)号:CN110457761A

    公开(公告)日:2019-11-15

    申请号:CN201910645955.5

    申请日:2019-07-17

    Abstract: 本发明公开了一种解决Pogo模型奇异性问题的方法,具体包括如下步骤:步骤1:生成Pogo状态空间模型的系统矩阵E和A;步骤2:求解特征值Λ和特征向量Φ;步骤3:将特征值Λ从小到大排列,特征向量Φ也相应地排列;步骤4:保留前n-m个特征值及其对应的特征向量,生成新的特征值矩阵 和特征向量矩阵 步骤5:求解系统矩阵(ET,AT)的特征值Λt和特征向量Φt;步骤6:将特征值Λt从小到大排列,特征向量Φt也相应地排列;步骤7:保留前面n-m个特征值及其对应的特征向量,生成特征值矩阵 和特征向量矩阵 步骤8:利用特征向量对原状态x进行变换,变换到状态η空间。本方法导出的非奇异Pogo模型可以直接应用于时域仿真和主动抑制设计,适用性广,避免了重复建模工作。

    一种解决Pogo模型奇异性问题的方法

    公开(公告)号:CN110457761B

    公开(公告)日:2021-02-12

    申请号:CN201910645955.5

    申请日:2019-07-17

    Abstract: 本发明公开了一种解决Pogo模型奇异性问题的方法,具体包括如下步骤:步骤1:生成Pogo状态空间模型的系统矩阵E和A;步骤2:求解特征值Λ和特征向量Φ;步骤3:将特征值Λ从小到大排列,特征向量Φ也相应地排列;步骤4:保留前n‑m个特征值及其对应的特征向量,生成新的特征值矩阵和特征向量矩阵步骤5:求解系统矩阵(ET,AT)的特征值Λt和特征向量Φt;步骤6:将特征值Λt从小到大排列,特征向量Φt也相应地排列;步骤7:保留前面n‑m个特征值及其对应的特征向量,生成特征值矩阵和特征向量矩阵步骤8:利用特征向量对原状态x进行变换,变换到状态η空间。本方法导出的非奇异Pogo模型可以直接应用于时域仿真和主动抑制设计,适用性广,避免了重复建模工作。

    运载火箭Pogo主动抑制的自适应控制方法

    公开(公告)号:CN112558480A

    公开(公告)日:2021-03-26

    申请号:CN202011455603.2

    申请日:2020-12-10

    Abstract: 本发明的液体运载Pogo主动抑制的自适应控制方法,包括以下步骤:基于建立的Pogo系统状态空间模型,采用一种解决Pogo模型奇异性问题的方法,通过特征值分析得到新状态空间下的非奇异降阶模型;采用模型参考自适应控制理论导出新状态空间下的自适应控制律;通过特征变换得到原状态空间的自适应控制律。本发明采用自适应控制理论提出一种Pogo主动抑制的自适应控制设计方法,可以更好的适应大型液体火箭空间分布模态、有效频率范围宽的要求,对模型参数变化具有更好的适应性和鲁棒性,增强Pogo主动抑制性能,从而为大型液体运载火箭的Pogo抑制提供新的方法。

    运载火箭Pogo主动抑制的自适应控制方法

    公开(公告)号:CN112558480B

    公开(公告)日:2023-01-17

    申请号:CN202011455603.2

    申请日:2020-12-10

    Abstract: 本发明的液体运载Pogo主动抑制的自适应控制方法,包括以下步骤:基于建立的Pogo系统状态空间模型,采用一种解决Pogo模型奇异性问题的方法,通过特征值分析得到新状态空间下的非奇异降阶模型;采用模型参考自适应控制理论导出新状态空间下的自适应控制律;通过特征变换得到原状态空间的自适应控制律。本发明采用自适应控制理论提出一种Pogo主动抑制的自适应控制设计方法,可以更好的适应大型液体火箭空间分布模态、有效频率范围宽的要求,对模型参数变化具有更好的适应性和鲁棒性,增强Pogo主动抑制性能,从而为大型液体运载火箭的Pogo抑制提供新的方法。

    p型ZnO和n型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法

    公开(公告)号:CN102263372B

    公开(公告)日:2014-04-23

    申请号:CN201010186477.5

    申请日:2010-05-25

    Abstract: 一种p型ZnO和n型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法,属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。器件由衬底1、衬底1上依次制备的AlGaN/GaN薄膜DBR下反射镜8、GaN外延层2、相互分立的电流下限制层3和下电极5、电流下限制层3上制备的ZnO基材料发光层4、电流上限制层7、上电极6和多层介质薄膜DBR上反射镜9等部件构成,其特征在于:GaN外延层2为n型GaN薄膜,ZnO基发光层4为p型ZnO基薄膜,电流下限制层3为Ga2O3薄膜,电流上限制层7为p型ZnO基三元薄膜,其禁带宽度大于ZnO基发光层4的禁带宽度。本发明的效果和益处是可以降低激光器的串联电阻和工作电压,提高输出功率和散热能力,进一步拓展其应用范围。

    n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法

    公开(公告)号:CN102195234B

    公开(公告)日:2012-12-26

    申请号:CN201010128998.5

    申请日:2010-03-18

    Abstract: 一种n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法,属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。激光器件由衬底1,p型GaN外延层2,外延层2上制备的相互分立的电流下限制层3和下电极5,电流下限制层3上制备的n型ZnO基材料发光层4,上电极6等部件构成,其特征是在衬底1和p型GaN外延层2之间生长制备多层AlGaN/GaN薄膜DBR下反射镜8,n型ZnO发光层4上而制备一层n型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层7,再在电流上限制层7上制备相互分立的上电极6和多层介质薄膜DBR上反射镜9。本发明的效果和益处是有可控谐振腔,可以提高器件输出功率,使激光的方向变好,进一步拓展了器件的应用范围。

    n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法

    公开(公告)号:CN102195234A

    公开(公告)日:2011-09-21

    申请号:CN201010128998.5

    申请日:2010-03-18

    Abstract: 一种n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法,属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。激光器件由衬底1,p型GaN外延层2,外延层2上制备的相互分立的电流下限制层3和下电极5,电流下限制层3上制备的n型ZnO基材料发光层4,上电极6等部件构成,其特征是在衬底1和p型GaN外延层2之间生长制备多层AlGaN/GaN薄膜DBR下反射镜8,n型ZnO发光层4上而制备一层n型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层7,再在电流上限制层7上制备相互分立的上电极6和多层介质薄膜DBR上反射镜9。本发明的效果和益处是有可控谐振腔,可以提高器件输出功率,使激光的方向变好,进一步拓展了器件的应用范围。

    p型ZnO和n型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法

    公开(公告)号:CN102263372A

    公开(公告)日:2011-11-30

    申请号:CN201010186477.5

    申请日:2010-05-25

    Abstract: 一种p型ZnO和n型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法,属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。器件由衬底1、衬底1上依次制备的AlGaN/GaN薄膜DBR下反射镜8、GaN外延层2、相互分立的电流下限制层3和下电极5、电流下限制层3上制备的ZnO基材料发光层4、电流上限制层7、上电极6和多层介质薄膜DBR上反射镜9等部件构成,其特征在于:GaN外延层2为n型GaN薄膜,ZnO基发光层4为p型ZnO基薄膜,电流下限制层3为Ga2O3薄膜,电流上限制层7为p型ZnO基三元薄膜,其禁带宽度大于ZnO基发光层4的禁带宽度。本发明的效果和益处是可以降低激光器的串联电阻和工作电压,提高输出功率和散热能力,进一步拓展其应用范围。

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