公开(公告)号：CN104611615A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201410850977.2

申请日：2011-08-30

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 大森浩志 ,  坂口一哉 ,  胜见昌高

IPC: C22C19/05 ,  C22C19/03 ,  C22C9/06

Abstract: 本发明的目的在于提供一种Cu电极保护膜用Ni-Cu合金靶材、以及使用该靶材制造的叠层膜，其中所述靶材能够用作Cu电极的保护膜，能够抑制由Cu电极的电解腐蚀或原子扩散所导致的电特性劣化，并且能够通过湿式蚀刻法更高精度地形成图案；能够形成与透明电极的贴附性良好的保护膜，而且能够有效地进行溅射。本发明涉及一种Cu电极保护膜用Ni-Cu合金靶材以及使用该靶材制造的叠层膜，所述靶材含有15.0质量％≤Cu≤55.0质量％、以及0.5质量％≤(Cr、Ti)≤10.0质量％，余量为Ni及不可避免的杂质。

公开(公告)号：CN108884553B

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201780021664.8

申请日：2017-03-29

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 武田裕正 ,  荒木亘 ,  坂口一哉 ,  大藤克子 ,  户塚巡 ,  南和希

IPC: C23C14/06 ,  C22C14/00 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明的钛合金覆膜由(Ti1‑aMoa)1‑xNx表示，满足0.04≤a≤0.32和0.40≤x≤0.60，并且硬度满足至少3000HV的条件。本发明的钛合金靶材由Ti1‑aMoa表示，满足0.04≤a≤0.32，并且当在靶材的表面处测定X射线衍射图时，未检测到由Mo的单一金属相产生的衍射峰强度。

公开(公告)号：CN108884553A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780021664.8

申请日：2017-03-29

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 武田裕正 ,  荒木亘 ,  坂口一哉 ,  大藤克子 ,  户塚巡 ,  南和希

IPC: C23C14/06 ,  C22C14/00 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明的钛合金覆膜由(Ti1‑aMoa)1‑xNx表示，满足0.04≤a≤0.32和0.40≤x≤0.60，并且硬度满足至少3000HV的条件。本发明的钛合金靶材由Ti1‑aMoa表示，满足0.04≤a≤0.32，并且当在靶材的表面处测定X射线衍射图时，未检测到由Mo的单一金属相产生的衍射峰强度。

公开(公告)号：CN104375694B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201410397798.8

申请日：2014-08-13

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 神谷尚秀 ,  多湖雄一郎 ,  尾崎公造 ,  坂口一哉 ,  南和希

IPC: G06F3/041

Abstract: 本发明涉及Cu合金靶用材料、Cu合金靶、Cu合金膜及触摸面板。涉及具备以下的特征的Cu合金靶用材料：(1)前述Cu合金靶用材料含有0.1～10.0at％的Zn，进而含有总含量为0.1～6.0at％的选自由Mg、Cr、Ca、Ti、Al、Sn、Ni和B组成的组中的至少一种元素，剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成；以及(2)前述Cu合金靶用材料被用于靶，该靶用于将触摸面板的传感器电极和/或布线中使用的Cu合金膜形成于基板上。

公开(公告)号：CN104375694A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410397798.8

申请日：2014-08-13

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 神谷尚秀 ,  多湖雄一郎 ,  尾崎公造 ,  坂口一哉 ,  南和希

IPC: G06F3/041

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明涉及Cu合金靶用材料、Cu合金靶、Cu合金膜及触摸面板。涉及具备以下的特征的Cu合金靶用材料：(1)前述Cu合金靶用材料含有0.1～10.0at％的Zn，进而含有总含量为0.1～6.0at％的选自由Mg、Cr、Ca、Ti、Al、Sn、Ni和B组成的组中的至少一种元素，剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成；以及(2)前述Cu合金靶用材料被用于靶，该靶用于将触摸面板的传感器电极和/或布线中使用的Cu合金膜形成于基板上。

公开(公告)号：CN102321832A

公开(公告)日：2012-01-18

申请号：CN201110261494.5

申请日：2011-08-30

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 大森浩志 ,  坂口一哉 ,  胜见昌高

IPC: C22C19/05 ,  C22C19/03 ,  C22C9/06

Abstract: 本发明的目的在于提供一种Cu电极保护膜用Ni-Cu合金靶材、以及使用该靶材制造的叠层膜，其中所述靶材能够用作Cu电极的保护膜，能够抑制由Cu电极的电解腐蚀或原子扩散所导致的电特性劣化，并且能够通过湿式蚀刻法更高精度地形成图案；能够形成与透明电极的贴附性良好的保护膜，而且能够有效地进行溅射。本发明涉及一种Cu电极保护膜用Ni-Cu合金靶材以及使用该靶材制造的叠层膜，所述靶材含有15.0质量％≤Cu≤55.0质量％、以及0.5质量％≤(Cr、Ti)≤10.0质量％，余量为Ni及不可避免的杂质。

公开(公告)号：CN105549775B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201510697065.0

申请日：2015-10-23

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 南和希 ,  多湖雄一郎 ,  坂口一哉

IPC: G06F3/041

Abstract: 本发明涉及层压体。本发明涉及一种至少包括(a)透明基材、(b)层叠在所述基材上并形成电极的第一金属层、和(c)具有20％以下的光反射率的第二金属层的层压体，其中所述第二金属层通过使用反应性溅射气体溅射而层叠在所述第一金属层的与所述基材相反的表面上或者层叠在所述第一金属层与所述基材之间，所述第二金属层由至少含有Zn的Cu合金的氧化物或氮化物构成。

公开(公告)号：CN104611615B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410850977.2

申请日：2011-08-30

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 大森浩志 ,  坂口一哉 ,  胜见昌高

IPC: C22C19/05 ,  C22C19/03 ,  C22C9/06

Abstract: 本发明的目的在于提供一种Cu电极保护膜用Ni‑Cu合金靶材、以及使用该靶材制造的叠层膜，其中所述靶材能够用作Cu电极的保护膜，能够抑制由Cu电极的电解腐蚀或原子扩散所导致的电特性劣化，并且能够通过湿式蚀刻法更高精度地形成图案；能够形成与透明电极的贴附性良好的保护膜，而且能够有效地进行溅射。本发明涉及一种Cu电极保护膜用Ni‑Cu合金靶材以及使用该靶材制造的叠层膜，所述靶材含有15.0质量％≤Cu≤55.0质量％、以及0.5质量％≤(Cr、Ti)≤10.0质量％，余量为Ni及不可避免的杂质。

公开(公告)号：CN105549775A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510697065.0

申请日：2015-10-23

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 南和希 ,  多湖雄一郎 ,  坂口一哉

IPC: G06F3/041

Abstract: 本发明涉及层压体。本发明涉及一种至少包括(a)透明基材、(b)层叠在所述基材上并形成电极的第一金属层、和(c)具有20％以下的光反射率的第二金属层的层压体，其中所述第二金属层通过使用反应性溅射气体溅射而层叠在所述第一金属层的与所述基材相反的表面上或者层叠在所述第一金属层与所述基材之间，所述第二金属层由至少含有Zn的Cu合金的氧化物或氮化物构成。

公开(公告)号：CN102321832B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201110261494.5

申请日：2011-08-30

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 大森浩志 ,  坂口一哉 ,  胜见昌高

IPC: C22C19/05 ,  C22C19/03 ,  C22C9/06

Abstract: 本发明的目的在于提供一种Cu电极保护膜用Ni-Cu合金靶材、以及使用该靶材制造的叠层膜，其中所述靶材能够用作Cu电极的保护膜，能够抑制由Cu电极的电解腐蚀或原子扩散所导致的电特性劣化，并且能够通过湿式蚀刻法更高精度地形成图案；能够形成与透明电极的贴附性良好的保护膜，而且能够有效地进行溅射。本发明涉及一种Cu电极保护膜用Ni-Cu合金靶材以及使用该靶材制造的叠层膜，所述靶材含有15.0质量％≤Cu≤55.0质量％、以及0.5质量％≤(Cr、Ti)≤10.0质量％，余量为Ni及不可避免的杂质。