公开(公告)号：CN102884633B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN201180022959.X

申请日：2011-01-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 山崎周郎 ,  田中信也 ,  菊池哲郎 ,  嶋田纯也

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088

CPC classification number: H05K1/18 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1251 ,  H05K7/00

Abstract: 本发明提供一种电路面积被缩小化后的电路基板和具备该电路基板且被窄边框化的显示装置。本发明的电路基板具有：具有第一半导体层、第一栅极电极、第一源极电极和第一漏极电极的底栅型薄膜晶体管；以及具有第二半导体层、第二栅极电极、第二源极电极和第二漏极电极的顶栅型薄膜晶体管，其中，该第一半导体层与该第二半导体层包括同一材料，该第一漏极电极或第一源极电极与该第二栅极电极以不隔着其他薄膜晶体管的方式连接，且彼此为同电位。

公开(公告)号：CN103299431A

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN201280005200.5

申请日：2012-01-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川岛慎吾 ,  中田幸伸 ,  村井淳人 ,  田中信也

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L29/247 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的半导体装置(100A)包括：具有第一接触区域(4a)和第二接触区域(4b)以及位于第一接触区域(4a)与第二接触区域(4b)之间的沟道区域(4c)的氧化物半导体层(4)；在氧化物半导体层(4)上以与第一接触区域(4a)接触的方式形成的源极电极(5)；和在氧化物半导体层(4)上以与第二接触区域(4b)接触的方式形成的漏极电极(6)。氧化物半导体层(4)的所有侧面位于栅极电极(2)上，源极电极(5)的宽度大于氧化物半导体层(4)的宽度，漏极电极(6)的宽度大于氧化物半导体层(4)的宽度。

公开(公告)号：CN102859605A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201180020790.4

申请日：2011-01-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 堀内智 ,  吉田昌弘 ,  山田崇晴 ,  小笠原功 ,  田中信也 ,  菊池哲郎

IPC: G11C19/28 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36 ,  G11C19/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G11C19/28 ,  G09G3/3677 ,  G09G2310/0286 ,  G11C19/184 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/7869

Abstract: 具备与移位寄存段的第1晶体管具备的2个源极/漏极电极(Tr4s、Tr4d)中的至少一方在与上述第1晶体管的栅极电极(Tr4g)相反的一侧在膜厚方向相对的电容电极(CAPm)。电容电极(CAPm)和与电容电极(CAPm)相对的任一方源极/漏极电极(Tr4s、Tr4d)中的任一方与移位寄存段的输出晶体管的控制电极电连接。

公开(公告)号：CN102822981A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201180017085.9

申请日：2011-01-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村井淳人 ,  田中信也 ,  北川英树 ,  今井元 ,  今出光则 ,  菊池哲郎 ,  森本一典 ,  嶋田纯也 ,  西村淳

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/146

Abstract: 本发明的电路基板（1）包括与二维排列的像素对应或者与上述像素的规定数量的一组对应地设置于同一绝缘性基板（2）上的多个晶体管元件。该多个晶体管元件的至少一个是包括氧化物半导体作为沟道层（11）的氧化物TFT（10），至少另一个是包括例如非晶硅半导体作为沟道层（21）的a-SiTFT（20）。氧化物TFT（10）和a-SiTFT（20）均是底部栅极型的晶体管。

公开(公告)号：CN102483889A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201080039896.4

申请日：2010-05-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郎 ,  田中信也 ,  岛田纯也 ,  山崎周郎

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L27/3276 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124

Abstract: 第2干配线(17c)由作为与第1干配线(17a)不同的层的反射像素电极层形成，并且沿着相邻的第1干配线(17a)的长度方向形成。因此，在单片地形成有栅极驱动电路(15)及其配线(17a、17b、17c、18)的TFT阵列基板(1)中，可以实现能够缩小形成栅极驱动电路(15)及其配线(17a、17b、17c、18)的边框部的宽度的TFT阵列基板(1)。

公开(公告)号：CN102473368A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080031668.2

申请日：2010-04-02

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 吉田昌弘 ,  小笠原功 ,  田中信也

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: G09G3/3674 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G09G3/3677 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3241 ,  H01L27/3276

Abstract: 线宽度较宽的干配线(13a)设置在比线宽度较窄的支配线(13b)靠上的层，在干配线(13a)与支配线(13b)电连接的区域内，干配线(13a)和支配线(13b)隔着栅极绝缘膜在俯视时重叠，在上述栅极绝缘膜中形成有接触孔，使得支配线(13b)露出，干配线(13a)与支配线(13b)通过设置在接触孔中的连接导体电连接。因此，可以实现难以发生断线不良、线宽度异常的、能够抑制驱动电路区域的扩大的TFT阵列基板。

公开(公告)号：CN102067072A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN200980122922.7

申请日：2009-04-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  北川英树 ,  田中信也

IPC: G06F3/041 ,  G01J1/42 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20 ,  G09G3/36

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G01J1/46 ,  G02F1/13318 ,  G02F1/13338 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0876

Abstract: 矩阵型显示装置具备设置于显示区域并输出与照射光的强度对应的信号的光传感器(54)、构成将上述信号作为栅极输入的源极跟随器的n沟道型TFT(52)以及通过检测TFT(52)的源极跟随器输出来进行上述照射光的强度的检测的光强度检测单元，对TFT(52)的漏极输入第1脉冲信号(Vpulse2)，所述第1脉冲信号(Vpulse2)具有在上述信号输入到TFT(52)的栅极的状态下从低电平上升到高电平的第1脉冲。

公开(公告)号：CN101978504A

公开(公告)日：2011-02-16

申请号：CN200980109552.3

申请日：2009-01-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郎 ,  田中信也 ,  今井元 ,  北川英树 ,  山崎周郎 ,  片冈义晴

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3677 ,  G09G2310/0286 ,  H01L27/1255

Abstract: 具备电容(61b)，其是使连接到源极电极(62)的第1电容电极(62a)和连接到栅极电极(64)的第2电容电极(64a)具有在面板厚度方向上隔着第1绝缘膜而对置的区域，并且是使上述第1电容电极(62a)和连接到上述栅极电极(64)的第3电容电极(80a)具有相对于上述第1电容电极(62a)在与上述第2电容电极(64a)侧相反的一侧在面板厚度方向上隔着第2绝缘膜而对置的区域而形成的。由此，实现能够抑制连接到TFT主体部的电容的占有面积的TFT。

公开(公告)号：CN101496083A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200780027790.0

申请日：2007-06-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中信也 ,  今井元 ,  束村亲纪 ,  片冈义晴

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02F1/13454 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/13452 ,  G09G2300/0426

Abstract: 本发明提供的显示装置(100)中，第一玻璃基板(210)弯曲。当从第一玻璃基板(210)的主面(213)的法线方向观察信号线驱动元件(260)和扫描线驱动元件(270)时，信号线驱动元件(260)和扫描线驱动元件(270)是具有两个长边(261、262、271、272)和两个短边(263、264、273、274)的矩形形状。信号线驱动元件(260)和扫描线驱动元件(270)以长边(261、262、271、272)相互平行的方式安装。

公开(公告)号：CN111052216A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201780094487.6

申请日：2017-09-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 田中信也 ,  中野武俊 ,  大和朝日

IPC: G09G3/3233 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3225

Abstract: 本发明的目的在于，在具备由电流驱动的显示元件的显示装置中，实现稳定的显示品质而不受温度变化的影响。在显示装置设置有作为检测周围的温度的温度检测部的热敏电阻(300)。扫描信号振幅控制部(12)根据由热敏电阻(300)得到的温度数据(DT)所示的温度，来使栅极低电压(VGL)的电压电平变化。面板内驱动器控制部(110)将高电平侧的电压电平为栅极高电压(VGH)的电压电平且低电平侧的电压电平为栅极低电压(VGL)的电压电平的栅极时钟信号(GCK)施加至栅极驱动器(400)。栅极驱动器(400)基于该栅极时钟信号(GCK)输出扫描信号G。