-
公开(公告)号：CN101600987B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200780050765.4
申请日：2007-12-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133345 , G02F1/133553 , G02F1/1362 , G02F2202/10
Abstract: 本发明的目的在于以低成本提供一种降低波纹和色偏的高画质的反射型和半透过型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是在多个像素的各个中具备反射区域的液晶显示装置。反射区域包括金属层(56)、半导体层(62)和反射层(63)，在反射层(63)的表面形成有多个凹部(68)和凸部(67)，多个凹部(68)对应金属层(56)的开口部(65)而形成，多个凸部(67)反映半导体层(62)的形状而形成，多个凹部(68)的沿着某个方向相邻的多个对包括凹部(68)的间隔相互不同的2个对，多个凸部(67)的沿着某个方向相邻的多个对包括凸部(67)的间隔相互不同的2个对。
-
公开(公告)号：CN101600987A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：CN200780050765.4
申请日：2007-12-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133555 , G02F1/133345 , G02F1/133553 , G02F1/1362 , G02F2202/10
Abstract: 本发明的目的在于以低成本提供一种降低波纹和色偏的高画质的反射型和半透过型的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置是在多个像素的各个中具备反射区域的液晶显示装置。反射区域包括金属层(56)、半导体层(62)和反射层(63)，在反射层(63)的表面形成有多个凹部(68)和凸部(67)，多个凹部(68)对应金属层(56)的开口部(65)而形成，多个凸部(67)反映半导体层(62)的形状而形成，多个凹部(68)的沿着某个方向相邻的多个对包括凹部(68)的间隔相互不同的2个对，多个凸部(67)的沿着某个方向相邻的多个对包括凸部(67)的间隔相互不同的2个对。
-
公开(公告)号：CN102822981B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201180017085.9
申请日：2011-01-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/146
Abstract: 本发明的电路基板（1）包括与二维排列的像素对应或者与上述像素的规定数量的一组对应地设置于同一绝缘性基板（2）上的多个晶体管元件。该多个晶体管元件的至少一个是包括氧化物半导体作为沟道层（11）的氧化物TFT（10），至少另一个是包括例如非晶硅半导体作为沟道层（21）的a-SiTFT（20）。氧化物TFT（10）和a-SiTFT（20）均是底部栅极型的晶体管。
-
公开(公告)号：CN101432655B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200780015614.5
申请日：2007-04-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的目的在于提供低成本的、高画质的半透射型或反射型的液晶显示器。本发明的液晶显示器为具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域的液晶显示器，反射区域具有形成于衬底上的金属层、形成于上述金属层上的半导体层、形成于上述半导体层上的反射层，反射区域具有形成于反射层的表面上的第1凹部、形成于第1凹部中的反射层的表面上的第2凹部、形成于第2凹部中的反射层(63)的表面上的第3凹部。
-
公开(公告)号：CN101529318B
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN200780038900.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133553
Abstract: 本发明提供反射效率高的高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，上述反射区域包括金属层、在上述金属层上形成的绝缘层、在上述绝缘层上形成的半导体层、和在上述半导体层上形成的反射层，在上述金属层、上述绝缘层和上述半导体层中至少1个中形成有多个凹部，在上述反射区域的上述反射层中形成有与上述多个凹部相应的多个凹陷，上述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离(a)为4μm以下。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102822981A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180017085.9
申请日：2011-01-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/08 , H01L27/088 , H01L27/146
Abstract: 本发明的电路基板（1）包括与二维排列的像素对应或者与上述像素的规定数量的一组对应地设置于同一绝缘性基板（2）上的多个晶体管元件。该多个晶体管元件的至少一个是包括氧化物半导体作为沟道层（11）的氧化物TFT（10），至少另一个是包括例如非晶硅半导体作为沟道层（21）的a-SiTFT（20）。氧化物TFT（10）和a-SiTFT（20）均是底部栅极型的晶体管。
-
公开(公告)号：CN101589335A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200880003167.6
申请日：2008-01-22
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1337 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F1/133707 , G02F2001/134345
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其具有垂直取向型的液晶层(32)，像素电极(12)具有多个单位电极部(12a)，多个单位电极部(12a)分别具有导电膜、和形成在导电膜上的多个狭缝(13)。在像素电极与相对电极之间施加规定的电压时，形成与多个单位电极部的各个对应的液晶畴，液晶畴内的液晶分子为大致放射状倾斜的取向状态。由此，为宽视角且响应特性优良。
-
公开(公告)号：CN101529318A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780038900.3
申请日：2007-09-07
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1343
CPC classification number: G02F1/133553
Abstract: 本发明提供反射效率高的高画质的半透过型和反射型的液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。本发明的液晶显示装置包括使入射光向显示面反射的反射区域，上述反射区域包括金属层、在上述金属层上形成的绝缘层、在上述绝缘层上形成的半导体层、和在上述半导体层上形成的反射层，在上述金属层、上述绝缘层和上述半导体层中至少1个中形成有多个凹部，在上述反射区域的上述反射层中形成有与上述多个凹部相应的多个凹陷，上述多个凹部中的至少2个凹部的端部间的最短距离(a)为4μm以下。
-
公开(公告)号：CN101432655A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200780015614.5
申请日：2007-04-05
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1368
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F1/133555 , G02F1/1362
Abstract: 本发明的目的在于提供低成本的、高画质的半透射型或反射型的液晶显示器。本发明的液晶显示器为具备使入射光朝向显示面进行反射的反射区域的液晶显示器，反射区域具有形成于衬底上的金属层、形成于上述金属层上的半导体层、形成于上述半导体层上的反射层，反射区域具有形成于反射层的表面上的第1凹部、形成于第1凹部中的反射层的表面上的第2凹部、形成于第2凹部中的反射层(63)的表面上的第3凹部。
-
公开(公告)号：CN102870220B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201180021486.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1345 , G02F1/1368 , H01L27/146
CPC classification number: H01L29/78663 , G02F1/13338 , G02F1/13624 , G06F3/0412 , H01L27/0207 , H01L27/0705 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1251 , H01L29/78633 , H01L29/7869
Abstract: 氧化物TFT元件（3）的源漏电极层（3s、3d）由第一导电层形成，氧化物TFT元件（3）的栅极电极（3g）和a-SiTFT元件（5）的栅极电极（5g）由作为相同导电层的第二导电层形成，a-SiTFT元件（5）的源漏电极层（5s、5d）由第三导电层形成，在绝缘基板（2）叠层各导电层的厚度方向上，上述第三导电层形成于上述第二导电层的上层，上述第一导电层形成于上述第二导电层的下层。因此，能够实现能提高形成于绝缘基板上的晶体管元件的集成度的电路基板。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.02 seconds)
