公开(公告)号：CN102449546A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080022993.2

申请日：2010-04-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森下克彦 ,  冈崎敢 ,  坂井健彦 ,  千叶大 ,  藤田哲生 ,  川岛慎吾

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F2001/134318

Abstract: 本发明提供一种能够提高透过率的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置包括一对基板和被夹持在一对基板之间的液晶层，一个基板具有梳齿状的第一电极和第二电极，第一电极包括：第一主干部；和与第一主干部倾斜连接的第一分支部，第二电极包括：第二主干部；和与第二主干部倾斜连接的第二分支部，液晶层包括在无电压施加时与基板面垂直取向的p型向列型液晶，像素具有第二电极的除去部，该除去部包括相互相邻的锐角状的除去部和钝角状的除去部，第一分支部包括配置在该第二电极的除去部内的特定分支部，沿特定分支部的延伸方向且形成锐角状的除去部的部分的第二电极与特定分支部的间隔，至少在特定分支部的前端区域中，窄于沿特定分支部的延伸方向且形成钝角状的除去部的部分的第二电极与特定分支部的间隔。

公开(公告)号：CN107004718B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201580063805.3

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 铃木正彦 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/304 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：基板(1)；将氧化物半导体层5作为活性层的薄膜晶体管(101)；含有铜的至少一层金属配线层(7S、7D)；配置于至少一层金属配线层(7S、7D)的上面的含有铜的金属氧化膜(8)；隔着金属氧化膜(8)而覆盖至少一层金属配线层的绝缘层(11)；于形成在绝缘层(11)的开口部内，未隔着金属氧化膜(8)而与至少一层金属配线层的一部分直接相接的导电层(19)。

公开(公告)号：CN107004719A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064210.X

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  铃木正彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：含有栅极电极(3)、氧化物半导体层(5)、栅极绝缘层(4)以及源极电极(7S)及漏极电极(7D)的薄膜晶体管(101)；以覆盖薄膜晶体管(101)且与薄膜晶体管(101)的通道区域(5c)相接的方式配置的层间绝缘层(11)；配置于层间绝缘层(11)上的透明导电层(19)，源极电极(7S)及漏极电极(7D)各自具有铜层(7a)，进一步具备配置于源极及漏极电极与层间绝缘层(11)之间的铜氧化膜(8)，层间绝缘层(11)隔着铜氧化膜(8)而覆盖漏极电极(7D)，透明导电层(19)于形成在层间绝缘层(11)的接触孔(CH1)内，未隔着铜氧化膜(8)而与漏极电极(7D)的铜层(7a)直接相接。

公开(公告)号：CN103299431B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201280005200.5

申请日：2012-01-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川岛慎吾 ,  中田幸伸 ,  村井淳人 ,  田中信也

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78693 ,  H01L29/247 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的半导体装置(100A)包括：具有第一接触区域(4a)和第二接触区域(4b)以及位于第一接触区域(4a)与第二接触区域(4b)之间的沟道区域(4c)的氧化物半导体层(4)；在氧化物半导体层(4)上以与第一接触区域(4a)接触的方式形成的源极电极(5)；和在氧化物半导体层(4)上以与第二接触区域(4b)接触的方式形成的漏极电极(6)。氧化物半导体层(4)的所有侧面位于栅极电极(2)上，源极电极(5)的宽度大于氧化物半导体层(4)的宽度，漏极电极(6)的宽度大于氧化物半导体层(4)的宽度。

公开(公告)号：CN107004719B

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201580064210.X

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 北川英树 ,  大东彻 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  菊池哲郞 ,  川岛慎吾 ,  铃木正彦

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/306 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: 一种半导体装置(100A)，具备：含有栅极电极(3)、氧化物半导体层(5)、栅极绝缘层(4)以及源极电极(7S)及漏极电极(7D)的薄膜晶体管(101)；以覆盖薄膜晶体管(101)且与薄膜晶体管(101)的通道区域(5c)相接的方式配置的层间绝缘层(11)；配置于层间绝缘层(11)上的透明导电层(19)，源极电极(7S)及漏极电极(7D)各自具有铜层(7a)，进一步具备配置于源极及漏极电极与层间绝缘层(11)之间的铜氧化膜(8)，层间绝缘层(11)隔着铜氧化膜(8)而覆盖漏极电极(7D)，透明导电层(19)于形成在层间绝缘层(11)的接触孔(CH1)内，未隔着铜氧化膜(8)而与漏极电极(7D)的铜层(7a)直接相接。

公开(公告)号：CN103261959A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180059588.2

申请日：2011-11-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 村井淳人 ,  中田幸伸 ,  川岛慎吾 ,  西村淳

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133707 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3272 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明的半导体装置（100A）具有：薄膜晶体管（10）；形成在薄膜晶体管（10）上的第一绝缘层（9）；形成在第一绝缘层（9）上的具有开口部（21a）的第二绝缘层（11）；和以从基板（1）的法线方向看时与氧化物半导体层（5）重叠的方式形成的遮光层（12a），遮光层（12a）形成于开口部（21a），遮光层（12a）的上表面具有凸状的曲面，并且，第二绝缘层（11）的上表面与遮光层（12a）的上表面相比位于基板（1）侧。

公开(公告)号：CN102449545A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201080022935.X

申请日：2010-04-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈崎敢 ,  坂井健彦 ,  森下克彦 ,  川岛慎吾 ,  千叶大 ,  藤田哲生

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F2001/134318

Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，能够改善具有至少一对梳齿状电极的垂直取向模式下的泛白现象。本发明的液晶显示装置，具有相互相对配置的一对基板和被夹持在上述一对基板之间的液晶层，上述一对基板中的一个基板具有梳齿状的一对电极，上述一对电极在俯视时在像素内相互相对配置，上述液晶层包括p型向列型液晶，并且由上述一对电极之间产生的电场驱动，上述p型向列型液晶在无电压施加时与上述一对基板面垂直地取向，上述液晶显示装置在像素内具有上述一对电极的间隔相互不同的两个以上的区域。

公开(公告)号：CN107112365A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580070477.X

申请日：2015-12-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 今井元 ,  大东彻 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  菊池哲郞 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/41

Abstract: 半导体装置(100)具备基板(10)和薄膜晶体管(5)，其中，所述薄膜晶体管(5)由基板支撑，并包括栅极电极(12)、氧化物半导体层(18)、设置于栅极电极和氧化物半导体层之间的栅极绝缘层(20)、以及与氧化物半导体层电性连接的源极电极(14)及漏极电极(16)，漏极电极具有向氧化物半导体层突出的形状，将薄膜晶体管的通道宽度方向上的氧化物半导体层的宽度设为宽度W1，与漏极电极的突出方向正交的方向上的所述漏极电极的宽度设为宽度W2的情况下，宽度W1和所述宽度W2之间满足|W1‑W2|≤1μm的关系，并且，宽度W1及宽度W2为大于等于3μm并小于等于6μm。

公开(公告)号：CN107004603A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580064209.7

申请日：2015-11-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 菊池哲郞 ,  今井元 ,  越智久雄 ,  藤田哲生 ,  北川英树 ,  铃木正彦 ,  川岛慎吾 ,  大东彻

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置包括基板以及支撑于基板的薄膜晶体管。薄膜晶体管具有氧化物半导体层、形成于栅极及氧化物半导体层之间的栅极绝缘层、以及电性连接于氧化物半导体层的源极以及漏极。栅极绝缘层包含由氧化物半导体层覆盖的第一部分、以及与第一部分邻接且未由氧化物半导体层、源极以及漏极的任一者覆盖的第二部分。第二部分较第一部分薄，第二部分与第一部分的厚度的差超过0nm且为50nm以下。

公开(公告)号：CN102449546B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201080022993.2

申请日：2010-04-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森下克彦 ,  冈崎敢 ,  坂井健彦 ,  千叶大 ,  藤田哲生 ,  川岛慎吾

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/1368

CPC classification number: G02F1/134363 ,  G02F2001/134318

Abstract: 本发明提供一种能够提高透过率的液晶显示装置。本发明的液晶显示装置包括一对基板和被夹持在一对基板之间的液晶层，一个基板具有梳齿状的第一电极和第二电极，第一电极包括：第一主干部；和与第一主干部倾斜连接的第一分支部，第二电极包括：第二主干部；和与第二主干部倾斜连接的第二分支部，液晶层包括在无电压施加时与基板面垂直取向的p型向列型液晶，像素具有第二电极的除去部，该除去部包括相互相邻的锐角状的除去部和钝角状的除去部，第一分支部包括配置在该第二电极的除去部内的特定分支部，沿特定分支部的延伸方向且形成锐角状的除去部的部分的第二电极与特定分支部的间隔，至少在特定分支部的前端区域中，窄于沿特定分支部的延伸方向且形成钝角状的除去部的部分的第二电极与特定分支部的间隔。