公开(公告)号：CN102725840A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201080062295.5

申请日：2010-12-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 池谷直泰 ,  野泽朋宏 ,  野崎义明 ,  约翰.K.特怀南 ,  川村博史 ,  作野圭一

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L27/0629

Abstract: 该复合型半导体装置在第1以及第2端子（T1，T2）之间串联连接常开型的第1场效应晶体管（1）和常闭型的第2场效应晶体管（2），将第1以及第2场效应晶体管（1，2）的栅极分别与第2以及第3端子（T2，T3）连接，在第2场效应晶体管（2）的漏极以及源极之间正向串联连接了N个二极管（3）。从而，能够将第2场效应晶体管（2）的漏极-源极间电压（Vds）抑制为第2场效应晶体管（2）的耐压以下的电压。

公开(公告)号：CN105144379A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201480023909.7

申请日：2014-02-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 佐藤知稔 ,  荻野荣治 ,  池谷直泰 ,  森下敏

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H03K17/00 ,  H03K17/687

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L29/7827 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49052 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49177 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 形成有源极电极(120)的常截止型场效应晶体管(102)的主面与芯片焊盘(105)的第一主面相接触，芯片焊盘(105)兼作半导体器件(100)的源极端子。由此，提供一种能够降低在共源共栅连接电路的工作中最重要的电感，提高电路的工作性能的半导体器件。

公开(公告)号：CN105379118A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201480036978.1

申请日：2014-06-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 池谷直泰 ,  仲嶋明生 ,  印南航介

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/10 ,  H03K17/687

CPC classification number: H03K17/6871 ,  H03K17/08142 ,  H03K17/102

Abstract: 本发明提供一种能够节省空间的复合型半导体器件及其控制方法。Si－FET(2)先导通，GaN器件(1)在Si－FET(2)导通后导通，由此复合型半导体器件(10)实现导通。

公开(公告)号：CN105379118B

公开(公告)日：2018-12-04

申请号：CN201480036978.1

申请日：2014-06-06

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 池谷直泰 ,  仲嶋明生 ,  印南航介

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/10 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明提供一种能够节省空间的复合型半导体器件及其控制方法。Si－FET(2)先导通，GaN器件(1)在Si－FET(2)导通后导通，由此复合型半导体器件(10)实现导通。

公开(公告)号：CN102725840B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080062295.5

申请日：2010-12-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 池谷直泰 ,  野泽朋宏 ,  野崎义明 ,  约翰.K.特怀南 ,  川村博史 ,  作野圭一

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L27/0629

Abstract: 该复合型半导体装置在第1以及第2端子（T1，T2）之间串联连接常开型的第1场效应晶体管（1）和常闭型的第2场效应晶体管（2），将第1以及第2场效应晶体管（1，2）的栅极分别与第2以及第3端子（T2，T3）连接，在第2场效应晶体管（2）的漏极以及源极之间正向串联连接了N个二极管（3）。从而，能够将第2场效应晶体管（2）的漏极-源极间电压（Vds）抑制为第2场效应晶体管（2）的耐压以下的电压。