公开(公告)号：CN106105004A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201580014779.5

申请日：2015-01-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 作野圭一 ,  伊藤宽 ,  冈俊幸

IPC: H02M3/28

CPC classification number: H02M3/33592 ,  H02M1/126 ,  H02M1/4258 ,  H02M1/44 ,  H02M3/33523 ,  H02M7/125 ,  H02M7/2176 ,  Y02B70/126

Abstract: 本发明的开关电源电路(1A)，在初级侧低电压稳定电位节点(LN1)与次级侧低电压稳定电位节点(LN2)之间连接有低电压节点用电容器(5)，在初级侧高电压稳定电位节点(HN1)与整流元件(31)的阳极之间连接有高电压节点用电容器(4)。由此，能够提供以简易的结构同时实现噪声降低和稳定电位节点的电位稳定化的开关电源电路。

公开(公告)号：CN102725840B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080062295.5

申请日：2010-12-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 池谷直泰 ,  野泽朋宏 ,  野崎义明 ,  约翰.K.特怀南 ,  川村博史 ,  作野圭一

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L27/0629

Abstract: 该复合型半导体装置在第1以及第2端子（T1，T2）之间串联连接常开型的第1场效应晶体管（1）和常闭型的第2场效应晶体管（2），将第1以及第2场效应晶体管（1，2）的栅极分别与第2以及第3端子（T2，T3）连接，在第2场效应晶体管（2）的漏极以及源极之间正向串联连接了N个二极管（3）。从而，能够将第2场效应晶体管（2）的漏极-源极间电压（Vds）抑制为第2场效应晶体管（2）的耐压以下的电压。

公开(公告)号：CN106105004B

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201580014779.5

申请日：2015-01-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 作野圭一 ,  伊藤宽 ,  冈俊幸

IPC: H02M3/28

CPC classification number: H02M3/33592 ,  H02M1/126 ,  H02M1/4258 ,  H02M1/44 ,  H02M3/33523 ,  H02M7/125 ,  H02M7/2176 ,  Y02B70/126

Abstract: 本发明的开关电源电路(1A)，在初级侧低电压稳定电位节点(LN1)与次级侧低电压稳定电位节点(LN2)之间连接有低电压节点用电容器(5)，在初级侧高电压稳定电位节点(HN1)与整流元件(31)的阳极之间连接有高电压节点用电容器(4)。由此，能够提供以简易的结构同时实现噪声降低和稳定电位节点的电位稳定化的开关电源电路。

公开(公告)号：CN102725840A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201080062295.5

申请日：2010-12-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 池谷直泰 ,  野泽朋宏 ,  野崎义明 ,  约翰.K.特怀南 ,  川村博史 ,  作野圭一

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L27/0629

Abstract: 该复合型半导体装置在第1以及第2端子（T1，T2）之间串联连接常开型的第1场效应晶体管（1）和常闭型的第2场效应晶体管（2），将第1以及第2场效应晶体管（1，2）的栅极分别与第2以及第3端子（T2，T3）连接，在第2场效应晶体管（2）的漏极以及源极之间正向串联连接了N个二极管（3）。从而，能够将第2场效应晶体管（2）的漏极-源极间电压（Vds）抑制为第2场效应晶体管（2）的耐压以下的电压。