公开(公告)号：CN101114632A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200710139143.0

申请日：2007-07-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 何忠祥 ,  刘奇志 ,  K·M·沃森 ,  N·B·菲尔彻费尔德 ,  王平川 ,  B·雷尼

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/8249 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0623 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括(a)衬底；(b)在所述衬底上的第一半导体器件；(c)在所述第一半导体器件上的N ILD(级间介质)层，其中N是大于1的整数；以及(d)与所述第一半导体器件电连接的导电线。所述导电线适于负载在平行于N ILD层的两个连续ILD层之间的界面表面的横向方向上的横向电流。所述导电线存在于N ILD层的至少两个ILD层中。所述导电线不包括适于负载在垂直于所述界面表面的垂直方向上的垂直电流的导电过孔。

公开(公告)号：CN101114632B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200710139143.0

申请日：2007-07-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 何忠祥 ,  刘奇志 ,  K·M·沃森 ,  N·B·菲尔彻费尔德 ,  王平川 ,  B·雷尼

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76838 ,  H01L21/8249 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53295 ,  H01L27/0623 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括(a)衬底；(b)在所述衬底上的第一半导体器件；(c)在所述第一半导体器件上的N ILD(级间介质)层，其中N是大于1的整数；以及(d)与所述第一半导体器件电连接的导电线。所述导电线适于负载在平行于N ILD层的两个连续ILD层之间的界面表面的横向方向上的横向电流。所述导电线存在于N ILD层的至少两个ILD层中。所述导电线不包括适于负载在垂直于所述界面表面的垂直方向上的垂直电流的导电过孔。