公开(公告)号：CN116438549A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180075764.5

申请日：2021-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： D·艾格尔 ,  D·格林伯格 ,  D·麦克鲁尔三世 ,  S·E·谢尔顿 ,  金永硕

IPC: G06N10/00

Abstract: 提供了关于量子计算机误差减轻的技术。例如，本文描述的一个或多个实施例可以包括一种系统，该系统可以包括可以存储计算机可执行部件的存储器。该系统还可以包括处理器，该处理器可操作地耦合到存储器，并且可以执行存储在存储器中的计算机可执行部件。计算机可执行部件可以包括误差减轻部件，该误差减轻部件从参考模型内插与目标拉伸因子相关联的门参数，该参考模型包括用于在多个参考拉伸因子处校准的量子门的参考门参数。

公开(公告)号：CN116529819A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180078881.7

申请日：2021-10-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金永硕 ,  李忠贤 ,  T·M·菲利普 ,  徐顺天 ,  玉仁祚 ,  A·雷茨尼采克

IPC: G11C11/00

Abstract: 呈现垂直电阻式存储器阵列。所述阵列包括柱电极和围绕所述柱电极的所述侧周界的开关衬垫。该阵列包括连接到开关衬垫的第一侧的两个或更多个垂直堆叠的单池(SC)电极。开关衬垫、柱电极和每一个SC电极的并置形成相应电阻开关单元(例如，OxRRAM单元)。这些单元的垂直组或组可并联连接并且各自共享相同的柱电极。垂直单元组中的单元可以作为组写入或读取，以限制组内的任何一个或多个单独单元的不一致CF形成的影响。

公开(公告)号：CN116762497A

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN202280010731.7

申请日：2022-01-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金永硕 ,  徐顺天 ,  玉仁祚 ,  A·雷兹尼克

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/00

Abstract: 存储器结构(100)包括嵌入在衬底中的ReRAM模块(110)。在衬底上形成绝缘层(106)。第一电极位于绝缘层上。第一电极近似连接到ReRAM模块的第一端并且包括第一表面区域。第二电极位于所述绝缘层上。第二电极近似连接到ReRAM模块的第二端。第二电极包括第二表面区域、等离子体相互作用部件(116)和电阻部件(118)。该电阻部件位于等离子体相互作用部件与ReRAM模块之间。当第一表面面积和第二表面面积暴露于等离子体的施加时，第一表面面积与第二表面面积的比率在第一电极与第二电极之间产生电压。电压在ReRAM模块中形成导电细丝。

公开(公告)号：CN116636325A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180077847.8

申请日：2021-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·M·菲利普 ,  C·佩尼 ,  N·A·兰齐洛 ,  金永硕 ,  L·克莱文杰

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 一种电阻式RAM(RRAM)装置，特别是用于交叉式阵列，其包括位于第一电极(110A)与第二电极(HOB)之间的电介质层(115)，电阻开关层(120)，以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的第三电极(125)，其中所述第一电极通过所述电阻开关层的第一部分与所述第三电极的第一侧分隔开，且所述第二电极通过所述电阻开关层的第二部分与所述第三电极的第二侧分隔开。还提供了相应的制造方法。

公开(公告)号：CN117063626A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280022678.2

申请日：2022-03-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 玉仁祚 ,  A·雷茨尼采克 ,  徐顺天 ,  金永硕 ,  T·菲利普

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/20

Abstract: 本发明的实施例可以包括一种半导体结构。该半导体结构可以包括位于加热器上方的相变元件。加热器可以包括围绕电介质元件的导电元件。该电介质元件可以包括气隙。

公开(公告)号：CN116806445A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202280009258.0

申请日：2022-01-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金永硕 ,  徐顺天 ,  李忠贤 ,  王仁祚 ,  A·雷兹尼塞克

IPC: H10B63/00

Abstract: 一种电子电路包括：多条字线；多条位线，在多个网格点处与所述多条字线相交；以及多个电阻式随机存取存储器单元，位于多个网格点处。电阻式随机存取存储器单元中的每一个包括：顶部金属(702)，耦合到以下中的一项：字线中的对应的一条字线和位线中的对应的一条位线；底部金属(704)，耦合到以下中的另一项：字线中的对应的一条字线和位线中的对应的一条位线；电介质(706)，夹在顶部金属与底部金属之间；以及高电阻半导体间隔件(701)，与电介质并联地将顶部金属和底部金属电连接。

公开(公告)号：CN116584171A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180071685.7

申请日：2021-10-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 玉仁祚 ,  徐顺天 ,  A·雷茨尼采克 ,  金永硕

IPC: H10B69/00

Abstract: 提供了PCM装置阵列及其制造技术，其具有在加热器图案化期间形成的集成电阻器，用于PCM装置之间的均匀电压降。PCM装置包括：至少一个PCM单元，其包含安置于加热器上的相变材料；以及与所述至少一个PCM单元串联的至少一个电阻器，其中所述至少一个电阻器包含与所述加热器相同的材料组合。还提供了一种存储器阵列和一种形成PCM装置的方法。

公开(公告)号：CN117980923A

公开(公告)日：2024-05-03

申请号：CN202280064210.X

申请日：2022-07-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·陈 ,  A·克洛斯 ,  金永硕 ,  N·桑达雷桑 ,  泷田舞花 ,  A·科科尔斯-冈萨雷斯 ,  T·约德尔

IPC: G06N10/70

Abstract: 提供了关于校准一个或多个量子解码器算法的技术。例如，在此描述的一个或多个实施例可以包括一种系统，该系统可以包括可以存储计算机可执行组件的存储器。该系统还可包括处理器，其可操作地耦合到存储器，并且可执行存储在存储器中的计算机可执行组件。计算机可执行组件可包括相关反转解码器组件，该相关反转解码器组件可通过估计与校正子数据集一致的解码超图的超边概率来校准用于解码量子纠错码的量子解码器算法。

公开(公告)号：CN116635938A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180083693.3

申请日：2021-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·W·布鲁 ,  王维 ,  玉仁祚 ,  于澜 ,  金永硕

IPC: G11C13/00

Abstract: 提供了一种模拟存储器结构，以及写入这样的结构的方法。该模拟存储器结构包括与非易失性存储器元件串联的易失性存储器元件。该模拟存储器结构可在施加电压时改变电阻。这可以使能模拟存储器结构的加速写入。

公开(公告)号：CN114600191A

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN202080074511.1

申请日：2020-10-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金永硕 ,  玉仁祚 ,  A.雷兹尼克 ,  徐顺天

IPC: G11C13/00 ,  H01L45/00

Abstract: 通过在互连介电材料层上形成一对牺牲导电焊盘来提供低形成电压NVM设备，互连介电材料层嵌入一对第二导电结构和图案化材料堆叠。所述牺牲导电焊盘中的一个牺牲导电焊盘具有第一区域并接触所述第二导电结构中的一个的表面，所述第二导电结构中的一个的表面接触下面的第一导电结构的表面，并且所述牺牲导电焊盘中的另一个具有不同于所述第一区域的第二区域并接触所述第二导电结构中的另一个的表面，所述第二导电结构中的另一个的表面接触所述图案化材料堆叠的顶部电极的表面。执行等离子体处理以诱导天线效应且将图案化材料堆叠的介电切换材料转换成导电细丝。在等离子体处理之后，去除该对牺牲导电焊盘。