公开(公告)号：CN116584169A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180080719.9

申请日：2021-11-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·M·菲利普 ,  K·布里 ,  L·克莱文格

IPC: H10B63/10

Abstract: 一种非易失性存储器结构可以包括相变存储器，该相变存储器包括相变材料。所述非易失性存储器结构可以包括与相变存储器串联的肖特基二极管，其中肖特基二极管的肖特基势垒是相变存储器的表面。这可以通过适当选择用于相变存储器的接触的材料来实现。这可以产生集成二极管‑存储器结构，其可以控制电流的方向性而不会对结构的占用面积造成不利影响。

公开(公告)号：CN116636325A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180077847.8

申请日：2021-11-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·M·菲利普 ,  C·佩尼 ,  N·A·兰齐洛 ,  金永硕 ,  L·克莱文杰

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20

Abstract: 一种电阻式RAM(RRAM)装置，特别是用于交叉式阵列，其包括位于第一电极(110A)与第二电极(HOB)之间的电介质层(115)，电阻开关层(120)，以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的第三电极(125)，其中所述第一电极通过所述电阻开关层的第一部分与所述第三电极的第一侧分隔开，且所述第二电极通过所述电阻开关层的第二部分与所述第三电极的第二侧分隔开。还提供了相应的制造方法。

公开(公告)号：CN118743333A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380022859.X

申请日：2023-02-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·M·菲利普 ,  韩金萍 ,  K·布里 ,  陈敬慈 ,  玉仁祚

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 公开了一种相变存储器单元结构(100)，其包括在底部电极(110)上方垂直对准的第一相变材料(PCM)层(112)、在第一PCM层上方垂直对准的介电层(120)、在介电层上方垂直对准的第二PCM层(130)和在第二PCM层上方垂直对准的顶部电极(132)。在介电层(120)内，形成物理且电连接到两个PCM层的内部电极或导电细丝(122)。

公开(公告)号：CN116529823A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180076346.8

申请日：2021-10-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·W·布里 ,  玉仁祚 ,  韩金萍 ,  T·M·菲利普 ,  M·J·布莱特斯基 ,  N·索尔尼尔

IPC: G11C13/00

Abstract: 一种相变存储器(PCM)单元，包括：第一电极，包括第一导电材料；第二电极，包括第二导电材料；第一相变层，位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括第一相变材料；以及第二相变层，位于所述第一电极与所述第二电极之间并且包括第二相变材料。第一相变材料具有第一电阻率，第二相变材料具有第二电阻率，并且其中第一电阻率是第二电阻率的至少两倍。

公开(公告)号：CN116529819A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180078881.7

申请日：2021-10-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 金永硕 ,  李忠贤 ,  T·M·菲利普 ,  徐顺天 ,  玉仁祚 ,  A·雷茨尼采克

IPC: G11C11/00

Abstract: 呈现垂直电阻式存储器阵列。所述阵列包括柱电极和围绕所述柱电极的所述侧周界的开关衬垫。该阵列包括连接到开关衬垫的第一侧的两个或更多个垂直堆叠的单池(SC)电极。开关衬垫、柱电极和每一个SC电极的并置形成相应电阻开关单元(例如，OxRRAM单元)。这些单元的垂直组或组可并联连接并且各自共享相同的柱电极。垂直单元组中的单元可以作为组写入或读取，以限制组内的任何一个或多个单独单元的不一致CF形成的影响。

公开(公告)号：CN114530552A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202111350278.8

申请日：2021-11-15

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： B·克斯廷 ,  G·S·塞耶德 ,  V·S·P·琼纳拉加达 ,  M·勒加洛-布尔多 ,  A·塞巴斯蒂安 ,  T·M·菲利普

IPC: H01L45/00

Abstract: 可以提供实现降低的最小电导状态的存储器器件。该器件包括第一电极、第二电极和在第一电极和第二电极之间的相变材料，其中该相变材料取决于相变材料的晶相和非晶相之间的比率来实现多个电导状态。该存储器器件附加地包括在第一电极和第二电极之间的区中的突出层部分。由此，在存储器器件的复位状态下由非晶相中的相变材料直接覆盖的区域大于定向到相变材料的突出层部分的区域，使得产生了存储器器件的电导状态的不连续性，并且实现了复位状态下的存储器器件的降低的最小电导状态。