公开(公告)号：CN116982421A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202280014154.9

申请日：2022-01-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 韩金萍 ,  P·J·奥尔迪格斯 ,  R·布鲁斯 ,  陈敬慈

IPC: H10B63/10

Abstract: 一种用于半导体器件的相变存储器单元，包括在第一导电层上的加热器元件，具有围绕加热器元件的侧面的间隔件。相变存储器单元包括在导电层上和在围绕加热器元件的间隔件的底部部分上的第一电介质层，以及围绕加热器元件的顶部部分的第一电介质层上的第二电介质层。相变存储器单元包括在加热器元件的顶部表面上和在第二电介质材料上的相变材料。

公开(公告)号：CN118743333A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380022859.X

申请日：2023-02-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·M·菲利普 ,  韩金萍 ,  K·布里 ,  陈敬慈 ,  玉仁祚

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 公开了一种相变存储器单元结构(100)，其包括在底部电极(110)上方垂直对准的第一相变材料(PCM)层(112)、在第一PCM层上方垂直对准的介电层(120)、在介电层上方垂直对准的第二PCM层(130)和在第二PCM层上方垂直对准的顶部电极(132)。在介电层(120)内，形成物理且电连接到两个PCM层的内部电极或导电细丝(122)。

公开(公告)号：CN120051828A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202380072821.3

申请日：2023-10-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·M·菲利普 ,  陈敬慈 ,  K·W·布雷弗 ,  韩金萍 ,  玉仁祚

IPC: G11C11/16

Abstract: 本发明的实施例提供一种磁性隧道结(MTJ)结构。该MTJ结构包括MTJ堆叠，该MTJ堆叠包括参考层上的隧道势垒层及隧道势垒层上的自由层，其中自由层包括多个子自由层，多个子自由层为彼此平行地放置在所述隧道势垒层上的多个铁磁条，多个铁磁条具有连接到第一电极的相应第一端及连接到第二电极的相应第二端。还提供了一种形成MTJ结构的方法。

公开(公告)号：CN116457933A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180077082.8

申请日：2021-11-09

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈敬慈 ,  N·A·兰兹洛 ,  V·纳拉亚南 ,  野上毅

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供一种互连的制造方法。该方法包括形成拓扑半金属层。该方法还包括图案化拓扑半金属层以形成一个或多个互连。该方法还包括在一个或多个互连之间形成电介质层。该方法还包括在一个或多个互连和电介质层的顶部上形成密封电介质盖层。