公开(公告)号：CN116569667A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202180081265.7

申请日：2021-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 玉仁祚 ,  鲍如强 ,  A·H·西蒙 ,  K·布里 ,  N·索尔尼尔 ,  I·R·萨拉夫 ,  P·布萨莱

IPC: H10B63/10

Abstract: 一种半导体结构(100)，包括：被第二电介质层(114)包围的加热器(116)；在第二电介质层(114)的顶部上的投射衬垫(124)；以及在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)。投射衬垫(124)的顶表面与加热器(116)的顶表面基本上齐平。投射衬垫(124)将相变材料层(126)与第二电介质层(114)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。

公开(公告)号：CN116584169A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202180080719.9

申请日：2021-11-05

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·M·菲利普 ,  K·布里 ,  L·克莱文格

IPC: H10B63/10

Abstract: 一种非易失性存储器结构可以包括相变存储器，该相变存储器包括相变材料。所述非易失性存储器结构可以包括与相变存储器串联的肖特基二极管，其中肖特基二极管的肖特基势垒是相变存储器的表面。这可以通过适当选择用于相变存储器的接触的材料来实现。这可以产生集成二极管‑存储器结构，其可以控制电流的方向性而不会对结构的占用面积造成不利影响。

公开(公告)号：CN118743333A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202380022859.X

申请日：2023-02-21

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： T·M·菲利普 ,  韩金萍 ,  K·布里 ,  陈敬慈 ,  玉仁祚

IPC: H10N70/20 ,  H10B63/10

Abstract: 公开了一种相变存储器单元结构(100)，其包括在底部电极(110)上方垂直对准的第一相变材料(PCM)层(112)、在第一PCM层上方垂直对准的介电层(120)、在介电层上方垂直对准的第二PCM层(130)和在第二PCM层上方垂直对准的顶部电极(132)。在介电层(120)内，形成物理且电连接到两个PCM层的内部电极或导电细丝(122)。

公开(公告)号：CN116635937A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180081316.6

申请日：2021-11-18

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 玉仁祚 ,  鲍如强 ,  A·H·西蒙 ,  K·布里 ,  N·索尔尼尔 ,  I·R·萨拉夫 ,  M·桑卡拉潘迪恩 ,  S·麦合塔

IPC: G11C11/56

Abstract: 一种半导体结构(100)，包括：由电介质层(114)包围的加热器(116)；在加热器(116)的顶部部分上的投射衬垫(124)；在投射衬垫(124)上方的相变材料层(126)；以及包围相变材料层(126)的顶部的顶部电极触点(136)。投射衬垫可覆盖加热器(116)的顶表面。投射衬垫(124)可以将相变材料层(126)与第二电介质层和加热器(116)分隔开。投射衬垫(124)可以在相变材料层(126)的结晶相(126a)和无定形相(126b)中提供平行的传导路径。顶部电极触点(136)可以通过金属衬垫(134)与相变材料层(126)分隔开。半导体结构(100)可包括在加热器(116)下方并与加热器(116)电接触的底部电极(110)和在相变材料层(126)上方并与相变材料层(126)电接触的顶部电极(128)。